Cible d'antimoniure d'aluminium et de gallium (AlGaSb) Description
L'antimoniure d'aluminium et de gallium (AlGaSb) est un composé ternaire III-V qui présente une combinaison de propriétés électroniques, structurelles et thermiques souhaitables, ce qui le rend adapté aux applications de couches minces avancées. Sa structure cristalline est typiquement une blende de zinc avec une bonne compatibilité de réseau avec d'autres semi-conducteurs III-V comme le GaSb ou l'InAs, ce qui permet une intégration précise dans des dispositifs à hétérostructure. La bande interdite du matériau peut être modifiée en faisant varier le rapport Al/Ga, qui se situe généralement entre 0,5 et 1,6 eV, ce qui permet de régler avec souplesse les caractéristiques électriques et optiques pour répondre aux exigences spécifiques des dispositifs. L'AlGaSb possède également une mobilité des porteurs relativement élevée et une faible masse effective, ce qui le rend bien adapté aux applications électroniques à grande vitesse et à faible puissance. Le matériau présente une bonne stabilité thermique et une inertie chimique dans des environnements contrôlés. Lorsqu'il est fabriqué comme cible de pulvérisation, il peut atteindre une densité élevée et une distribution uniforme des grains, ce qui garantit des performances de dépôt constantes. Sa résistivité, typiquement semi-conductrice, dépend de la composition et des conditions de dopage.
Spécification de la cible d'antimoniure d'aluminium et de gallium (AlGaSb)
Propriétés
Pureté
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99.9%
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Matériau
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AlGaSb
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Forme
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Disque planaire
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*Lesinformations ci-dessus sont basées sur des données théoriques. Pour des exigences spécifiques et des demandes détaillées, veuillez nous contacter.
Taille: Sur mesure
Cible d'antimoniure d'aluminium et de gallium (AlGaSb) Applications
Lacible d'antimoniure d'aluminium et de gallium (AlGaSb) est principalement utilisée dans la fabrication de dispositifs optoélectroniques avancés et de dispositifs électroniques à grande vitesse. Sa bande interdite accordable et ses capacités d'adaptation au réseau en font un matériau idéal pour les détecteurs infrarouges, les cellules thermophotovoltaïques, les diodes laser et les transistors à effet de champ à hétérojonction (HFET). L'AlGaSb est particulièrement apprécié dans les systèmes optoélectroniques pour l'infrarouge moyen et les structures à puits quantiques, où le contrôle précis de l'alignement des bandes et de la qualité de l'interface est essentiel. Il est également utilisé dans la recherche et le développement de semi-conducteurs de nouvelle génération pour l'aérospatiale, la défense et les technologies de communication.
Emballage des cibles d'antimoniure d'aluminium et de gallium (AlGaSb)
Nos produits sont emballés dans des cartons personnalisés de différentes tailles en fonction des dimensions du matériau. Les petits articles sont solidement emballés dans des boîtes en PP, tandis que les articles plus volumineux sont placés dans des caisses en bois personnalisées. Nous veillons à respecter strictement la personnalisation de l'emballage et à utiliser des matériaux de rembourrage appropriés pour assurer une protection optimale pendant le transport.

Emballage : Carton, caisse en bois ou sur mesure.
Processus de fabrication
1. Bref déroulement du processus de fabrication

2. Méthode d'essai
- Analyse de la composition chimique - vérifiée à l'aide de techniques telles que GDMS ou XRF pour garantir la conformité aux exigences de pureté.
- Essai des propriétés mécaniques - comprend des essais de résistance à la traction, de limite d'élasticité et d'allongement afin d'évaluer les performances du matériau.
- Inspection dimensionnelle - Mesure de l'épaisseur, de la largeur et de la longueur pour s'assurer du respect des tolérances spécifiées.
- Inspection de la qualité de la surface - Recherche de défauts tels que des rayures, des fissures ou des inclusions par un examen visuel et par ultrasons.
- Essai de dureté - Détermine la dureté du matériau pour confirmer l'uniformité et la fiabilité mécanique.
Cible d'antimoniure d'aluminium et de gallium (AlGaSb) FAQs
Q1 : Quelles sont les techniques de dépôt compatibles avec les cibles AlGaSb ?
R1 : Les cibles AlGaSb sont généralement utilisées dans les systèmes de pulvérisation et d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE). Les conditions adéquates de la chambre et l'adaptation du substrat sont essentielles pour obtenir des couches minces de haute qualité.
Q2 : Comment les cibles AlGaSb doivent-elles être stockées ?
R2 : Elles doivent être stockées dans un environnement propre, sec et scellé sous vide afin d'éviter l'oxydation et la contamination de la surface. L'utilisation d'un emballage sous gaz inerte est recommandée pendant le transport.
Q3 : SAM peut-il fournir des tailles et des formes personnalisées ?
R3 : Oui, Stanford Advanced Materials (SAM) propose des dimensions, des services de collage et des configurations (planaires, rotatives) sur mesure pour s'adapter à une large gamme de systèmes de dépôt.
Tableau de comparaison des performances avec les produits concurrents
Cible d'antimoniure d'aluminium et de gallium (AlGaSb) par rapport aux matériaux concurrents : Comparaison des performances
Propriété
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Cible AlGaSb
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Cible GaSb
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Cible InSb
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Cible AlAs
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Pureté
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≥99.95% (synthèse MBE/PVD)
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≥99.9% (croissance Czochralski)
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≥99.8% (affinage par zone)
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≥99.95% (qualité épitaxiale)
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Stabilité thermique (°C)
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≤600
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≤550
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≤400
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≤900
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Bande interdite (eV)
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0.7-1.6
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0.72
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0.17
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2.16
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Conductivité thermique
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20-30 W/m-K
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32 W/m-K
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18 W/m-K
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90 W/m-K
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Résistance mécanique
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300-350 MPa
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250-300 MPa
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150-200 MPa
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400-450 MPa
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Taux de pulvérisation
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100-150 nm/min (RF, 400W)
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80-120 nm/min (DC, 300W)
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50-80 nm/min
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200-250 nm/min
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Informations connexes
- Matières premières - Aluminium (Al)
L'aluminium est un métal léger, blanc argenté, de numéro atomique 13. Il est connu pour son excellente résistance à la corrosion, sa conductivité thermique et électrique élevée et sa faible densité (2,7 g/cm³), ce qui le rend idéal pour les applications nécessitant une intégrité structurelle pour un poids minimal. L'aluminium forme une couche d'oxyde naturel qui le protège contre toute oxydation ultérieure. Il est très réfléchissant et ductile, ce qui le rend facile à traiter et à allier à d'autres métaux.
- Matières premières - Gallium (Ga)
Le gallium est un métal doux et argenté dont le point de fusion est d'environ 29,8 °C, ce qui signifie qu'il peut fondre dans la main. Il est couramment utilisé dans les semi-conducteurs, l'optoélectronique et les matériaux composés en raison de ses excellentes propriétés électroniques. Le gallium forme des composés stables avec des éléments tels que l'arsenic (GaAs), le nitrure (GaN) et l'antimoine (GaSb), qui sont essentiels dans les dispositifs électroniques à haute vitesse et à haute fréquence. La capacité du gallium à s'allier à d'autres métaux et son rôle dans les technologies photovoltaïques et DEL en font un matériau précieux dans l'électronique moderne.
- Matières premières - Antimoine (Sb)
L'antimoine est un métalloïde brillant et fragile très utilisé dans les matériaux semi-conducteurs, les retardateurs de flamme et les alliages. Il améliore la dureté et la résistance des métaux et forme d'importants composés semi-conducteurs tels que les antimonides. Dans la technologie des couches minces, les composés d'antimoine comme le GaSb et l'InSb sont appréciés pour leurs excellentes propriétés thermoélectriques et de détection infrarouge. La capacité unique de l'antimoine à modifier la conductivité électrique des matériaux le rend indispensable dans les applications électroniques et énergétiques avancées.
Spécifications
Propriétés
Pureté
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99.9%
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Matériau
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AlGaSb
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Forme
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Disque planaire
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*Lesinformations ci-dessus sont basées sur des données théoriques. Pour des exigences spécifiques et des demandes détaillées, veuillez nous contacter.
Taille: Sur mesure