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Stanford Advanced Materials
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SC5622 Creuset en carbure de silicium (Creuset SiC)

Catalogue No. SC5622
Matériau SiC
Température de fonctionnement ≤ 1600 ℃
Densité 3,0-3,2 g/cm3
Dimensions Sur mesure

Le creuset en carbure de silicium se caractérise par la conductivité thermique élevée du métal et la résistance aux températures élevées et la solidité de la céramique. Stanford Advanced Materials (SAM) peut se targuer d'une grande expérience dans la fourniture de creusets en carbure de silicium d'une grande pureté et à des prix compétitifs.

Produits connexes : Creusets en PBN, Anneau d'étanchéité en carbure de silicium, Tube radiant en carbure de silicium (SiC)

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