SI6021 Creuset en quartz pour le tirage de silicium monocristallin

Name: SI6021 Quartz Crucible for Single Crystal Silicon pulling
SKU: SI6021
Availability: InStock
Rating: 4.9 (166 reviews)

Catalogue No.	SI6021
Matériau	Quartz, SiO2
Température de fonctionnement	1100-1200℃
Pureté	99.99%

Lecreuset en quartz pour le tirage du silicium monocristallin est un équipement spécialisé en quartz fondu ou en verre de silice, conçu en forme de cloche. Stanford Advanced Materials (SAM) fournit des produits optiques de qualité exceptionnelle à des prix très compétitifs.

Produits connexes : Tubes en quartz fondu, Bateau en verre de quartz, Creuset en verre de quartz

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Matériau	Quartz, SiO2
Température de fonctionnement	1100-1200℃
Pureté	99.99%
Point de fusion	1660-1710℃
Point de ramollissement	1570℃
Densité	2,2 g/cm3

Spécification	D	H	W1	W2	W3	R1	R2
14 pouces	355±3	240±3	10±3	10±3	11±3	89	381
16 pouces	405±2	280±3	9±2	9±2	9±2	90	450
18 pouces	457±3	355±2	7-12	7-12	7-12	88-120	457-500
20 pouces	505±3	385±2	11±2	11±2	11±2	120	508
22 pouces	555-560	406±2	11+3/-1	11+3/-1	11+3/-1	127	560
24 pouces	609+2/-3	440±3	11-2/+3	12-2/+3	12-2/+3	120	610
25 pouces	632±3	460±3	11+3/-1	11+3/-1	14+4/-2	120	635
26 pouces	654±3	500±3	12+3/-1	12+3/-1	14+4/-2	120	660
28 pouces	708±3	556±3	13.5±2	13.5±2	19.0±3	120	710
30 pouces	758±3	580±3	13.5±2	13.5±2	19.0±3	120	760
32 pouces	810±3	680±3	15.0±3	15.0±3	21.0±4	120	81
S32 pouce	834±4	680±3	15.0±3	15.0±3	21.0±4	120	834
S36 pouce	943±4	760±3	15.0±3	15.0±3	22.0±4	160	947
40 pouces	1016±4	760±3	15.0±3	15.0±3	25.0±5	160	1016

Type de creuset	Matériau	Température maximale (°C)	Conductivité thermique	Résistance aux chocs thermiques	Résistance chimique	Applications
Céramique de quartz	Céramique de quartz	1100	Faible	Élevée	Haut	Laboratoire général
Céramique BeO	Oxyde de béryllium	1800	Très élevé	Élevée	Élevée	Haute température, électronique
Revêtement PG C	Graphite revêtu de PG	2000	Haute (anisotrope)	Très élevé	Élevée	Croissance cristalline, évaporation
PBN revêtu de PG	PBN revêtu de PG	1800	Élevée	Très élevé	Très élevé	Croissance de cristaux de haute pureté
Creuset PBN	Pyrolytique BN	1800	Haute	Très élevé	Très élevé	Procédés MBE, OLED, VGF, LEC
Creuset AlN	Nitrure d'aluminium	1800	Élevée	Haut	Haut	Semi-conducteur, emballage
Creuset SiC	Carbure de silicium	1600	Très élevé	Très élevé	Très élevé	Fusion de métaux, fonderie
Creuset H-BN	BN pressé à chaud	1800	Modéré	Très élevé	Très élevé	Traitement des métaux, soudure
Titanate d'aluminium	Titanate d'aluminium	1400	Faible	Excellente	Modéré	Cyclage thermique, industrie du verre
Creuset en alumine	Oxyde d'aluminium	1700	Modéré	Modéré	Haute température	Haute température générale
Quartz pour Si	Quartz fondu	1200	Faible	Haute	Élevée	Croissance de monocristaux de silicium (Czochralski)

Matériau	Quartz, SiO2
Température de fonctionnement	1100-1200℃
Pureté	99.99%
Point de fusion	1660-1710℃
Point de ramollissement	1570℃
Densité	2,2 g/cm3

Spécification	D	H	W1	W2	W3	R1	R2
14 pouces	355±3	240±3	10±3	10±3	11±3	89	381
16 pouces	405±2	280±3	9±2	9±2	9±2	90	450
18 pouces	457±3	355±2	7-12	7-12	7-12	88-120	457-500
20 pouces	505±3	385±2	11±2	11±2	11±2	120	508
22 pouces	555-560	406±2	11+3/-1	11+3/-1	11+3/-1	127	560
24 pouces	609+2/-3	440±3	11-2/+3	12-2/+3	12-2/+3	120	610
25 pouces	632±3	460±3	11+3/-1	11+3/-1	14+4/-2	120	635
26 pouces	654±3	500±3	12+3/-1	12+3/-1	14+4/-2	120	660
28 pouces	708±3	556±3	13.5±2	13.5±2	19.0±3	120	710
30 pouces	758±3	580±3	13.5±2	13.5±2	19.0±3	120	760
32 pouces	810±3	680±3	15.0±3	15.0±3	21.0±4	120	81
S32 pouce	834±4	680±3	15.0±3	15.0±3	21.0±4	120	834
S36 pouce	943±4	760±3	15.0±3	15.0±3	22.0±4	160	947
40 pouces	1016±4	760±3	15.0±3	15.0±3	25.0±5	160	1016

SI6021 Creuset en quartz pour le tirage de silicium monocristallin

Creuset de quartz pour l'extraction de silicium monocristallin Description

Creuset en quartz pour l'extraction de silicium monocristallin Spécifications

Creuset en quartz pour l'extraction de silicium monocristallin

Comparaison des produits

Emballage du creuset en quartz pour l'extraction du silicium monocristallin

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