ST0972 Cible de pulvérisation de phosphure de germanium, GeP

Description de la cible de pulvérisation de phosphure de germanium

La cible de pulvérisation de phosphure de germanium, GeP, est conçue pour des applications de pulvérisation de haute précision, garantissant des performances fiables dans les processus avancés de dépôt de couches minces. Fabriquée avec une pureté de ≥99 % et un point de fusion de 725 °C, cette cible est disponible sous forme de disques standard ou de formes personnalisées pour répondre aux exigences industrielles spécifiques. L'utilisation d'une liaison à l'indium améliore la stabilité thermique et mécanique, ce qui en fait un choix idéal pour les applications sensibles dans la fabrication de semi-conducteurs et de dispositifs optoélectroniques.

Applications des cibles de pulvérisation de phosphure de germanium

- Fabrication de semi-conducteurs : Idéale pour le dépôt de couches minces dans les dispositifs microélectroniques.
- Dispositifs optoélectroniques : Utilisés dans la fabrication de capteurs et de composants photoniques.
- Traitements de surface avancés : Offre des performances supérieures dans les processus de revêtement par pulvérisation cathodique.
- Recherche et développement : Convient aux installations expérimentales dans les domaines de la science des matériaux et de l'ingénierie.
- Procédés industriels personnalisés : Adaptable aux exigences spécialisées grâce à des formes personnalisées.

Emballage des cibles de pulvérisation de phosphure de germanium

Notre cible de pulvérisation de phosphure de germanium est soigneusement emballée pour préserver sa grande pureté et son intégrité structurelle. Chaque unité est scellée dans un emballage résistant à l'humidité et antistatique afin de garantir une qualité optimale pendant le stockage et le transport.

Questions fréquemment posées

Q : Quelle est l'utilisation principale de la cible de pulvérisation de phosphure de germanium, GeP ?
R : Elle est principalement utilisée dans les processus de pulvérisation pour les applications de dépôt de couches minces, en particulier dans la fabrication de semi-conducteurs et de dispositifs optoélectroniques.

Q : Que signifie une pureté de ≥99% pour cette cible ?
R : Une pureté de ≥99% garantit que la cible contient un minimum d'impuretés, ce qui permet d'améliorer la qualité du dépôt et d'obtenir des performances fiables dans les applications sensibles.

Q : Le produit peut-il être personnalisé ?
R : Oui, la cible de pulvérisation de phosphure de germanium est disponible sous forme de disque standard ou de formes personnalisées pour répondre à des exigences techniques spécifiques.

Q : Quelle est l'importance de la liaison indium utilisée dans ce produit ?
R : La liaison à l'indium offre une excellente stabilité thermique et mécanique, ce qui est crucial pendant le processus de pulvérisation sous forte contrainte, garantissant ainsi des performances constantes.

Q : La cible de pulvérisation en phosphure de germanium est-elle compatible avec l'équipement de pulvérisation standard ?
R : Oui, elle est conçue pour fonctionner avec une variété de systèmes de pulvérisation, bien que la compatibilité spécifique doive être confirmée avec les spécifications de votre équipement.