ST0947 Cible de pulvérisation d'arséniure d'indium, InAs

Description de la cible de pulvérisation d'arséniure d'indium

La cible de pulvérisation d'arséniure d'indium, InAs, est conçue pour la pulvérisation de précision et le dépôt de couches minces dans les applications semi-conductrices et optoélectroniques. Sa stabilité thermique robuste avec un point de fusion de 942 °C et une densité de 5,67 g/cm³ garantissent un fonctionnement fiable dans des environnements industriels exigeants.

Applications des cibles de pulvérisation d'arséniure d'indium

- Fabrication de semi-conducteurs : Idéale pour le dépôt de couches minces dans les dispositifs à semi-conducteurs avancés.
- Optoélectronique : Utilisée dans la fabrication de photodétecteurs, de cellules solaires et d'autres composants optoélectroniques.
- Recherche et développement : Matériau privilégié pour les installations expérimentales et la production pilote dans les laboratoires de science des matériaux.
- Électronique de précision : Essentiel pour la production de composants dans les circuits électroniques de haute performance.

Emballage des cibles de pulvérisation d'arséniure d'indium

Nos cibles de pulvérisation d'arséniure d'indium sont soigneusement emballées pour préserver leur pureté et leurs performances. Des solutions d'emballage personnalisées sont disponibles, y compris des emballages sous vide pour minimiser la contamination, garantissant que le produit reste en parfait état pendant le stockage et le transport.

Questions fréquemment posées

Q : Quelles sont les applications courantes de la cible de pulvérisation d'arséniure d'indium, InAs ?
R : Elle est principalement utilisée pour le dépôt de couches minces dans la fabrication de semi-conducteurs, les dispositifs optoélectroniques et la recherche sur les matériaux avancés.

Q : Comment la haute pureté (≥99%) de l'InAs influence-t-elle ses performances ?
R : La haute pureté garantit un minimum d'impuretés, ce qui se traduit par un comportement de pulvérisation cohérent et des propriétés électriques et optiques optimales dans le produit final.

Q : La cible de pulvérisation peut-elle avoir une forme personnalisée ?
R : Oui, la cible peut être fabriquée sous différentes formes, y compris des disques ou des configurations sur mesure, pour répondre aux exigences d'applications spécifiques.

Q : Quelle est la signification du point de fusion à 942 °C pour ce matériau ?
R : Le point de fusion indique la stabilité thermique de l'InAs, ce qui garantit qu'il conserve son intégrité pendant les opérations de traitement à haute température, sans dégradation.

Q : Comment la cible de pulvérisation d'arséniure d'indium (InAs) doit-elle être stockée et manipulée ?
R : Elle doit être manipulée avec soin dans un environnement exempt de toute contamination et stockée dans un emballage sous vide ou dans un emballage protecteur similaire afin de préserver sa grande pureté et ses performances.