ST0886 Cible de pulvérisation cathodique en tellurure d'antimoine et de germanium, GST

Cible de pulvérisation de tellurure d'antimoine germanique, GST Description

La cible de pulvérisation de tellurure d'antimoine et de germanium, GST, est fabriquée avec précision pour offrir d'excellentes performances dans les applications de pulvérisation et de dépôt de couches minces. Utilisant du Ge₂Sb₂Te₅ de haute qualité avec une pureté ≥99%, cette cible de pulvérisation est disponible sous forme de disque ou de formes personnalisées pour répondre à divers besoins industriels. Sa composition robuste et sa densité contrôlée la rendent idéale pour les applications dans les dispositifs de mémoire à semi-conducteur et les technologies à changement de phase. Conçu par Stanford Advanced Materials, ce produit fait preuve d'une fiabilité et d'une cohérence supérieures dans des conditions de traitement exigeantes.

Cible de pulvérisation de tellurure d'antimoine et de germanium, applications GST

- Dispositifs semi-conducteurs : Utilisée dans la fabrication d'éléments de mémoire tels que la mémoire vive à changement de phase (PCRAM) et d'autres dispositifs de mémoire non volatile.
- Dépôt de couches minces : Idéal pour les processus de pulvérisation afin de déposer des couches minces de haute qualité dans les applications électroniques et optiques.
- Nano-fabrication : Convient à la recherche et au développement avancés dans le domaine des nanotechnologies et des systèmes microélectromécaniques (MEMS).
- Recherche et développement : Employé dans les études sur la science des matériaux et l'innovation pour les composants électroniques de la prochaine génération.

Cible de pulvérisation de tellurure d'antimoine et de germanium, emballage GST

Les produits sont méticuleusement emballés pour maintenir l'intégrité et la performance du matériau cible pendant l'expédition et le stockage.
- Des options d'emballage personnalisées sont disponibles sur demande pour assurer une protection optimale des composants de précision.

Questions fréquemment posées

Q : Quelle est la composition chimique de la cible de pulvérisation GST ?
R : La composition est Ge₂Sb₂Te₅, ce qui garantit une grande pureté et des performances sur mesure pour les applications de pulvérisation avancées.

Q : Quels types de formes sont disponibles pour cette cible de pulvérisation ?
R : La cible est disponible sous forme de disque standard ou peut être fabriquée sur mesure en fonction d'exigences spécifiques.

Q : Quelles sont les principales applications de la cible de pulvérisation GST ?
R : Elle est principalement utilisée dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, le dépôt de couches minces, la nanofabrication et diverses applications de recherche et développement.

Q : Comment le type de liaison (indium) affecte-t-il les performances de la cible de pulvérisation ?
R : La liaison à l'indium assure un excellent contact thermique et électrique pendant les processus de pulvérisation, ce qui est essentiel pour un dépôt précis de couches minces.

Q : Le point de fusion (~600°C) est-il un facteur limitant pour des applications spécifiques ?
R : Le point de fusion de ~600°C est typique de ce matériau et convient à la plupart des processus de pulvérisation et de dépôt utilisés dans les industries des semi-conducteurs et de la nanofabrication.