ST0479 Sulfure d'étain (IV) (SnS2) Cible de pulvérisation cathodique

Cible de pulvérisation d'étain (IV) sulfuré (SnS2) Description

La cible de pulvérisation d'étain (IV) sulfuré (SnS2), désignée, est conçue pour les processus avancés de dépôt de couches minces dans la fabrication de semi-conducteurs et d'appareils électroniques. Avec un niveau de pureté élevé de ≥99%, cette cible garantit des performances constantes et une efficacité de pulvérisation fiable. Ses formes personnalisables, y compris les disques, facilitent la compatibilité avec divers systèmes et applications de pulvérisation.

Le sulfure d'étain (IV) est connu pour ses propriétés semi-conductrices, ce qui permet de l'utiliser dans les cellules photovoltaïques, les capteurs et d'autres composants électroniques. Son point de fusion élevé de 882 °C et sa densité optimisée de 4,5 g/cm3 contribuent également à sa stabilité et à ses performances sous contrainte opérationnelle.

Applications des cibles de pulvérisation du sulfure d'étain (IV) (SnS2)

- Fabrication de semi-conducteurs : Idéale pour le dépôt de couches minces dans les circuits électroniques et les cellules photovoltaïques.
- Dispositifs de détection : Utilisé dans les capteurs de gaz ou de produits chimiques en raison de ses propriétés de semi-conducteur.
- Optoélectronique : Employé dans la production de dispositifs optoélectroniques et de détecteurs.
- Recherche et développement : Convient aux installations expérimentales en sciences des matériaux et en nanotechnologie.

Emballage des cibles de pulvérisation du sulfure d'étain (IV) (SnS2)

Le produit est soigneusement emballé pour garantir la sécurité et la qualité pendant le stockage et le transport. Il est disponible dans un emballage scellé sous vide, avec des options d'expédition standard ou personnalisée selon les besoins du client.

Questions fréquemment posées

Q : Quelle est l'utilisation principale du sulfure d'étain (IV) dans les cibles de pulvérisation ?
R : Il est principalement utilisé pour les processus de dépôt de couches minces dans les applications semi-conductrices et optoélectroniques.

Q : Comment la pureté élevée (≥99%) de la cible favorise-t-elle ses performances ?
R : La pureté élevée garantit une contamination minimale, ce qui permet d'obtenir une qualité de film uniforme et d'améliorer les performances des dispositifs.

Q : La forme de la cible de pulvérisation peut-elle être personnalisée ?
R : Oui, la cible est disponible sous forme de disques et peut être personnalisée pour répondre aux exigences spécifiques du système.

Q : Quelle est l'importance du point de fusion de 882 °C ?
R : Le point de fusion élevé contribue à la stabilité de la cible dans les processus de pulvérisation à haute température, ce qui garantit des performances fiables à long terme.

Q : Comment la cible de pulvérisation au sulfure d'étain (IV) est-elle conditionnée pour préserver sa qualité ?
R : Elle est emballée dans des conteneurs scellés sous vide pour la protéger de la contamination et des dommages pendant le stockage et le transport.