ST0308 Cible de pulvérisation de séléniure de germanium (GeSe2)

Description de la cible de pulvérisation de séléniure de germanium (GeSe2)

La cible de pulvérisation de séléniure de germanium (GeSe2), désignée est un matériau de haute pureté conçu pour les processus de dépôt par pulvérisation avancés. Avec une composition de GeSe₂ et un point de fusion de 707℃, cette cible est optimisée pour les applications de semi-conducteurs et de couches minces où la précision et la performance sont cruciales. Ses formes personnalisables, proposées sous forme de disques standard ou de configurations sur mesure, assurent la compatibilité avec une variété de systèmes de pulvérisation et d'exigences de fabrication.

Applications des cibles de pulvérisation de séléniure de germanium (GeSe2)

- Fabrication de semi-conducteurs : Idéale pour le dépôt de couches minces dans les circuits intégrés et autres dispositifs à semi-conducteurs.
- Dispositifs optoélectroniques : Convient à la création d'optiques infrarouges et de photodétecteurs.
- Cellules solaires : Améliore les performances photovoltaïques en permettant le dépôt uniforme de films.
- Recherche et développement : Soutient les études avancées sur les matériaux et les processus expérimentaux de couches minces.

Emballage de cibles de pulvérisation de séléniure de germanium (GeSe2)

Nos cibles de pulvérisation de séléniure de germanium sont soigneusement emballées pour préserver l'intégrité du produit pendant le stockage et le transport. Des solutions d'emballage personnalisées, telles que des conteneurs scellés sous vide, sont disponibles pour protéger la cible des contaminants et garantir des performances optimales.

Questions fréquemment posées

Q : Quelles sont les applications les mieux adaptées à la cible de pulvérisation de séléniure de germanium (GeSe2) ?
R : Elle est principalement utilisée dans la fabrication de semi-conducteurs, les dispositifs optoélectroniques, les cellules solaires et la recherche et le développement pour les processus de dépôt de couches minces.

Q : Pourquoi une pureté élevée (≥99%) est-elle importante pour cette cible de pulvérisation ?
R : La pureté élevée minimise la contamination pendant le dépôt, ce qui garantit une qualité de film supérieure et une performance constante des dispositifs.

Q : La cible peut-elle être personnalisée au-delà des formes de disque standard ?
R : Oui, la cible est disponible dans des formes personnalisées pour répondre à des exigences spécifiques en matière d'équipement ou d'application.

Q : Comment le point de fusion de 707℃ influence-t-il son utilisation ?
R : Un point de fusion de 707℃ garantit que la cible conserve son intégrité structurelle pendant les processus de pulvérisation à haute température, ce qui permet un dépôt stable et fiable.

Q : Que signifie "Sputter : N/A" dans les informations sur le produit ?
R : Cela indique qu'aucune méthode de pulvérisation spécifique n'est associée à cette cible, ce qui signifie qu'elle est conçue pour une utilisation directe dans les processus de dépôt par pulvérisation sans modifications supplémentaires.