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SD6706 Diodes Schottky en carbure de silicium (SiC)

Catalogue No. SD6706
Matériau SiC
Température de fonctionnement -55℃ à 125℃
Dimensions Dépend du modèle

Stanford Advanced Materials propose des diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) de haute performance, conçues pour une efficacité supérieure, une tolérance à la tension élevée et une commutation ultra-rapide. Idéales pour l'électronique de puissance et les systèmes d'énergie renouvelable, nos diodes Schottky en SiC offrent une stabilité thermique et une fiabilité exceptionnelles dans les environnements exigeants.

Produits apparentés : Diodes Schottky à faible tension directe, Diodes Schottky miniatures / CMS, Redresseurs Schottky de puissance

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