Description des diodes Schottky en carbure de silicium (SiC)
Les diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) sont des dispositifs semi-conducteurs de puissance de nouvelle génération conçus pour des applications à haut rendement et à haute tension. Contrairement aux diodes au silicium traditionnelles, les diodes Schottky en SiC offrent des pertes négligeables dues à la récupération inverse, ce qui permet une commutation ultra-rapide et un meilleur rendement énergétique dans les systèmes de conversion d'énergie.
Ces diodes sont conçues pour supporter des courants de pointe élevés, fonctionner à des fréquences plus élevées et présenter un coefficient de température positif, ce qui améliore les performances thermiques et la fiabilité dans des conditions exigeantes. En outre, elles sont sans halogène et conformes à la directive RoHS, ce qui en fait une solution écologique pour une large gamme d'applications industrielles, automobiles et dans le domaine des énergies renouvelables.
Applications des diodes Schottky en carbure de silicium (SiC)
-Systèmes de conversion d'énergie - Utilisées dans les convertisseurs DC-DC et les redresseurs AC-DC pour une gestion efficace de l'énergie.
-Chargeurs de véhicules électriques - Idéales pour les systèmes de charge à haut rendement grâce à leurs capacités de commutation rapide et de haute tension.
-Systèmes d'énergie renouvelable - Essentiels dans les onduleurs photovoltaïques et les systèmes d'éoliennes pour maximiser l'efficacité de la conversion de l'énergie.
-Entraînements et convertisseurs de moteurs - Utilisés dans les commandes de moteurs industriels et les convertisseurs de fréquence pour améliorer les performances et réduire les pertes de puissance.
-Télécommunications - Utilisées dans les applications à haute fréquence, y compris les alimentations pour les équipements de communication.
-Alimentations sans interruption (ASI) - Fournissent des systèmes de secours fiables et efficaces dans les applications critiques.
-Systèmes de traction électrique - Utilisés dans les applications de traction ferroviaire et automobile pour un fonctionnement économe en énergie.
Emballage des diodes Schottky en carbure de silicium (SiC)
Nos produits sont emballés dans des cartons personnalisés de différentes tailles en fonction des dimensions du matériau. Les petits articles sont solidement emballés dans des boîtes en PP, tandis que les articles plus volumineux sont placés dans des caisses en bois personnalisées. Nous veillons à respecter scrupuleusement la personnalisation de l'emballage et à utiliser des matériaux de rembourrage appropriés afin d'assurer une protection optimale pendant le transport.

Emballage : Carton, caisse en bois, ou sur mesure.
Veuillez consulter les détails de l'emballage fournis à titre de référence.
FAQ sur les diodes Schottky en carbure de silicium (SiC)
Q1 : Qu'est-ce qu'une diode Schottky en carbure de silicium (SiC) ?
R : Les diodes Schottky en carbure de silicium sont des diodes haute performance fabriquées à partir de carbure de silicium (SiC). Elles offrent une faible récupération inverse, une grande capacité de traitement du courant de surtension et une stabilité thermique améliorée par rapport aux diodes en silicium traditionnelles, ce qui les rend idéales pour les applications à haut rendement et à haute tension.
Q2 : Quels sont les principaux avantages des diodes Schottky en SiC ?
A : Les principaux avantages comprennent une récupération inverse négligeable, des capacités de courant de choc plus élevées, un coefficient de température positif, une fréquence de commutation plus élevée et la conformité RoHS, ce qui contribue à une efficacité énergétique accrue, à une réduction de la production de chaleur et à une plus grande fiabilité dans les applications exigeantes.
Q3 : Pour quelles applications les diodes SiC Schottky sont-elles le mieux adaptées ?
R : Les diodes SiC Schottky sont couramment utilisées dans les systèmes de conversion d'énergie, les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable, les entraînements de moteur et les alimentations sans interruption (ASI), offrant un rendement élevé et des performances fiables dans des environnements à haute tension et à haute fréquence.
Tableau de comparaison des performances avec les produits concurrents
Caractéristiques
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Diodes Schottky en carbure de silicium (SiC)
|
Diodes Schottky standard
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Chute de tension directe (VF)
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Très faible (aussi faible que 0,2V-0,4V)
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Typiquement 0,3V-0,6V
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Courant de fuite (IR)
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Très faible, surtout à haute température
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Fuite plus importante, en particulier sous contrainte thermique
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Vitesse de commutation
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Rapide à ultra-rapide
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Rapide
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Plage de tension inverse
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10V à 100V (varie selon le modèle)
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Large, souvent jusqu'à 150V
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Performance thermique
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Excellentes, avec des conceptions compactes et thermiquement optimisées
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Varie selon le fabricant et le boîtier
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Options de boîtier
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CMS compacts (SOD-323), etc.
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Gamme similaire, mais souvent plus volumineux pour les mêmes valeurs nominales
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Adaptation à l'application
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Optimisé pour les circuits portables, automobiles et LED
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Redressement à usage général
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Prix
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Légèrement plus élevé, justifié par les performances et la taille
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Généralement plus bas pour des puissances comparables
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Spécifications
Paramètres
Type de données
|
VRRM
|
I(AV)
|
IFSM
|
VF
|
IR
|
Paquet
|
V
|
A
|
A
|
V
|
IF (A)
|
μA
|
VR (V)
|
SSC0665D
|
650
|
6
|
66
|
1.34
|
6
|
1.2
|
650
|
PDFN5*6
|
SSC0665-T
|
650
|
6
|
66
|
1.34
|
6
|
1.2
|
650
|
TO-220-2
|
Q-SSC0865-TF
|
650
|
16.1
|
42
|
1.4
|
10
|
1
|
650
|
TO-220F-2L
|
Q-SSC05120-T
|
1200
|
5
|
51
|
1.4
|
5
|
15
|
1200
|
TO-220AC
|
Q-SSC2090-T7
|
900
|
20
|
125
|
1.39
|
20
|
20
|
900
|
TO-247-2
|
*Les informations ci-dessus sont basées sur des données théoriques. Pour plus de modèles et des demandes détaillées, veuillez nous contacter.