ST11470 Cible planaire nickel cobalt fer, cible NiCoFe

Cible planaire nickel-cobalt-fer, cible NiCoFe Description

La cible planaire nickel-cobalt-fer, cible NiCoFe, est constituée d'un alliage NiCoFe uniforme optimisé pour les applications de pulvérisation. La géométrie plate de la cible facilite un bombardement ionique homogène pendant le dépôt, contribuant à une croissance régulière du film sur les substrats. Conçue pour être compatible avec les équipements standards de dépôt de semi-conducteurs et de couches minces, ses propriétés matérielles permettent de contrôler la microstructure et de minimiser les défauts au cours du processus de revêtement.

Cible planaire nickel-cobalt-fer, cible NiCoFe Applications

Électronique
- Utilisée comme source de pulvérisation dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs pour obtenir un dépôt uniforme de couches minces en tirant parti de la composition contrôlée de l'alliage.
- Utilisée comme matériau cathodique dans la fabrication d'écrans plats pour former des couches conductrices d'épaisseur uniforme.

Industrie
- Utilisé dans les applications de revêtement de composants optiques où des films métalliques uniformes sont nécessaires, en tirant parti de la surface plane de la cible pour assurer un dépôt homogène.
- Utilisée dans la production de cellules solaires pour déposer des contacts métalliques avec des propriétés de film constantes.

Cible planaire nickel-cobalt-fer, NiCoFe Emballage de la cible

La cible est emballée dans un conteneur antistatique de qualité salle blanche avec des inserts en mousse pour minimiser les impacts mécaniques. Des sacs scellés sous vide protègent la cible de la contamination pendant le transport et le stockage. L'emballage comprend des barrières contre l'humidité et des étiquettes de contrôle de la température pour préserver l'intégrité du matériau. Des options d'emballage personnalisées sont disponibles pour répondre aux exigences spécifiques de manipulation et de stockage.

Informations complémentaires

Les cibles de pulvérisation jouent un rôle essentiel dans les processus de dépôt de couches minces en assurant la libération contrôlée du matériau pendant le bombardement ionique. L'uniformité de l'alliage NiCoFe influence directement la microstructure du film, ce qui est essentiel pour les applications en microélectronique et en optique. La compréhension de la composition de la cible et de la qualité de sa surface est fondamentale pour optimiser les paramètres de dépôt et obtenir les caractéristiques souhaitées du film.

Le développement de cibles planaires implique des mesures rigoureuses de contrôle de la qualité, y compris l'analyse morphologique et le profilage de la surface. Ces évaluations permettent d'établir une corrélation entre les propriétés des matériaux et les performances de dépôt, ce qui favorise l'obtention de résultats reproductibles dans les environnements de recherche et de production industrielle.