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  • ST11455 Cible planaire Nickel Cobalt Vanadium, cible NiCoV

    • ST11455 Cible planaire Nickel Cobalt Vanadium, cible NiCoV

    Catalogue No. ST11455
    Composition NiCoV
    Forme Rectangulaire
    Formulaire Cible
    Pureté Ni+Co+V : ≥99%

    La cible planaire nickel-cobalt-vanadium (NiCoV) est fabriquée à partir d'un alliage NiCoV spécialement formulé pour les applications de pulvérisation. Stanford Advanced Materials (SAM) applique des analyses spectroscopiques et de diffraction des rayons X pour vérifier l'uniformité de la composition et la cohérence de la structure. SAM conserve des données de contrôle détaillées pendant la production afin de minimiser la production de particules et de garantir des caractéristiques de dépôt uniformes. Ces mesures permettent de prévoir les propriétés des films pendant le traitement des couches minces.

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    FAQ

    Comment la composition de la cible NiCoV améliore-t-elle les performances de pulvérisation ?

    L'alliage NiCoV favorise un modèle d'érosion uniforme pendant la pulvérisation. Cette uniformité permet d'obtenir une épaisseur de film constante et de réduire la contamination par les particules, ce qui améliore la répétabilité du processus.

    Quel est l'impact de la géométrie planaire sur l'uniformité du dépôt ?

    La conception planaire assure un champ électrique uniforme pendant la pulvérisation. Il en résulte un dépôt homogène et des effets de bord minimes, ce qui est crucial pour les applications nécessitant des couches minces uniformes.

    Quelles sont les conditions de traitement recommandées pour optimiser l'utilisation de cette cible ?

    Le fait de travailler dans des conditions de pression et de température contrôlées améliore l'adhérence du film et minimise l'usure de la cible. Ajustez les réglages de la puissance de pulvérisation en fonction des exigences de vitesse de dépôt. Pour des directives détaillées, reportez-vous aux protocoles de processus spécifiques ou contactez-nous.

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