ST11217 Cible planaire en siliciure de titane, cible TiSi2

Cible planaire en siliciure de titane, cible TiSi2 Description

La cible planaire de siliciure de titane, cible TiSi2, est conçue pour les applications de pulvérisation cathodique dans le cadre du dépôt de couches minces. La composition contrôlée de la cible réduit la production de particules et améliore les propriétés d'adhérence des films déposés, ce qui favorise les processus de dépôt de matériaux de précision.

Cible planaire de siliciure de titane, TiSi2 Caractéristiques de la cible

*Les informations ci-dessus sont basées sur des données théoriques et ne sont données qu'à titre indicatif. Les spécifications réelles peuvent varier.

Cible planaire de siliciure de titane, cible TiSi2 Applications

1.électronique
- Utilisée comme source de pulvérisation dans les dispositifs semi-conducteurs pour obtenir un dépôt uniforme de couches minces en tirant parti de la structure planaire de la cible.
- Appliquée comme couche de contact dans les circuits intégrés pour obtenir des caractéristiques électriques cohérentes en minimisant les variations microstructurelles.

2.industriel
- Utilisé comme matériau de revêtement dans la fabrication de capteurs pour maintenir une épaisseur de film contrôlée grâce à l'érosion uniforme par pulvérisation cathodique.
- Utilisé comme source de dépôt dans les processus de traitement de surface pour garantir des propriétés de film fiables dans des conditions de plasma variables.

3.optoélectronique
- Utilisé comme matériau d'électrode dans les composants d'affichage pour assurer une conductivité constante du film en tirant parti du profil d'érosion uniforme de la cible.

Cible planaire en siliciure de titane, emballage de la cible TiSi2

La cible planaire de siliciure de titane, cible TiSi2, est emballée dans des sachets antistatiques scellés placés dans des conteneurs en mousse rigide afin de la protéger contre les chocs mécaniques et la contamination. L'emballage comprend des barrières contre l'humidité afin d'éviter l'oxydation de la surface pendant le transport et le stockage. Des options personnalisées, y compris des conteneurs scellés sous vide et étiquetés, sont disponibles. Il est recommandé de stocker les produits dans un environnement propre, sec et à température contrôlée.

Informations complémentaires

Le siliciure de titane est un composé intermétallique largement utilisé dans la fabrication des semi-conducteurs en raison de sa faible résistivité et de sa compatibilité avec les substrats en silicium. Son intégration dans les cibles de pulvérisation est basée sur sa capacité à former des couches minces uniformes et adhérentes avec une composition contrôlée, améliorant ainsi les performances de dépôt dans divers processus de fabrication de dispositifs.

Les techniques avancées de caractérisation des surfaces, telles que la microscopie électronique à balayage et la diffraction des rayons X, sont essentielles pour évaluer la microstructure du matériau. Ces méthodes analytiques permettent non seulement de valider la qualité du produit, mais contribuent également à une optimisation plus efficace des processus dans les applications de dépôt de couches minces.