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Stanford Advanced Materials
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ST11210 Cible planaire en carbure de silicium, cible SiC

Catalogue No. ST11210
Composition SiC
Pureté ≥99,9%, ou personnalisé
Formulaire Cible
Forme Rectangulaire
Dimensions Sur mesure

La cible planaire en carbure de silicium, SiC Target, est conçue pour les applications de pulvérisation nécessitant la stabilité du matériau à des températures élevées. Stanford Advanced Materials (SAM) utilise des processus de synthèse contrôlés et des inspections par microscopie électronique à balayage pour vérifier l'uniformité de la microstructure et les niveaux d'impureté. La géométrie planaire de la cible et ses dimensions personnalisables facilitent l'intégration dans les systèmes de pulvérisation, garantissant l'uniformité des matériaux dans les environnements de traitement des céramiques et des semi-conducteurs.

ENQUÊTE
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Description
Spécifications
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FAQ

Quels sont les avantages techniques du carbure de silicium en tant que cible de pulvérisation ?

L'inertie chimique et le point de fusion élevé du carbure de silicium favorisent un comportement stable lors de la pulvérisation. Ces propriétés minimisent la dégradation de la cible et maintiennent un dépôt de film uniforme, ce qui est essentiel pour les processus de fabrication précis dans les applications de semi-conducteurs et de céramiques.

Comment les dimensions personnalisées affectent-elles l'intégration de la cible SiC dans les systèmes de pulvérisation ?

Les dimensions personnalisées garantissent que la cible s'adapte précisément aux différentes conceptions de chambres de pulvérisation. Cette adaptation sur mesure optimise la distribution de l'énergie et l'uniformité du dépôt, réduisant ainsi la variabilité du processus et améliorant les performances globales de la pulvérisation.

Quelles sont les mesures de contrôle de la qualité mises en œuvre pendant la production de la cible SiC ?

Les mesures de contrôle de la qualité comprennent des inspections par microscopie électronique à balayage (MEB) et l'analyse du niveau d'impureté. Ces méthodes vérifient la cohérence de la microstructure et la finition de la surface, garantissant que la cible répond aux exigences rigoureuses des processus de dépôt par pulvérisation cathodique.

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