ST11209 Cible de pulvérisation de silicium, cible Si

Cible de pulvérisation de silicium, cible Si Description

La cible de pulvérisation de silicium, Si Target, est fabriquée à partir de silicium métallique de haute pureté et est destinée à être utilisée dans les systèmes de dépôt physique en phase vapeur. Les dimensions personnalisables de la cible garantissent sa compatibilité avec l'équipement standard de fabrication des semi-conducteurs. Sa composition et sa structure sont conçues pour favoriser le dépôt uniforme de films de silicium, réduisant ainsi la variabilité du processus dans les applications de revêtement de couches minces.

Cible de pulvérisation de silicium, caractéristiques de la cible Si

Les informationsci-dessus sont basées sur des données théoriques et ne sont données qu'à titre indicatif. Les spécifications réelles peuvent varier.

Cible de pulvérisation de silicium, cible Si Applications

Fabrication de produits électroniques et de semi-conducteurs
- Utilisée comme source de dépôt dans les systèmes de pulvérisation pour obtenir une formation uniforme de film de silicium en tirant parti d'une pureté contrôlée et de dimensions personnalisables.
- Utilisée comme cible active dans les transistors à couche mince pour contrôler l'épaisseur du film et améliorer les performances du dispositif grâce à des propriétés matérielles cohérentes.

Procédés de revêtement industriels
- Sert de support de pulvérisation dans les systèmes de revêtement pour former des couches protectrices en utilisant sa composition mesurée et sa cohérence structurelle, réduisant ainsi la tension du film pendant le dépôt.
- Utilisée dans la fabrication de cellules solaires pour déposer des couches de silicium intrinsèque, elle contribue à améliorer l'efficacité photovoltaïque en assurant un dépôt uniforme du matériau.

Cible de pulvérisation de silicium, emballage de cible de silicium

La cible de pulvérisation de silicium, cible Si, est emballée dans un conteneur en plastique propre et scellé avec des inserts en mousse antistatique pour éviter les dommages mécaniques et la contamination. L'emballage est conçu pour exclure la poussière et l'humidité, garantissant ainsi un stockage dans un environnement contrôlé et peu humide. Des options d'emballage personnalisées, telles que des emballages scellés sous vide ou des caisses rembourrées, sont disponibles pour répondre à des exigences de manipulation spécifiques.

Informations complémentaires

Les cibles de silicium utilisées dans la pulvérisation cathodique sont un élément fondamental dans le dépôt de couches minces, essentielles dans la fabrication des semi-conducteurs et de la microélectronique. Leur pureté contrôlée, leur composition constante et leurs dimensions personnalisables permettent d'adapter avec précision les propriétés électroniques des films déposés. La recherche continue d'affiner les techniques de pulvérisation, en mettant l'accent sur la réduction des défauts et l'uniformité des films.

Le processus de production des cibles de pulvérisation de silicium implique une évaluation minutieuse des caractéristiques du matériau, telles que la densité et le point de fusion. La compréhension de ces paramètres permet d'optimiser le processus de dépôt par pulvérisation cathodique, qui joue un rôle essentiel dans la fabrication de dispositifs présentant des caractéristiques électriques de haute performance.