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Stanford Advanced Materials
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ST11190 Cible de pulvérisation planaire d'indium, dans la cible

Catalogue No. ST11190
Composition En
Pureté ≥99,99%, ou sur mesure
Formulaire Cible
Forme Rectangulaire
Dimensions Sur mesure

La cible de pulvérisation planaire d'indium, In Target, est une cible de pulvérisation conçue pour les applications de dépôt de couches minces. Fabriqué par Stanford Advanced Materials (SAM), ce produit est soumis à des contrôles de processus rigoureux qui incluent des inspections par microscopie de surface pour l'uniformité. SAM applique un contrôle de processus détaillé pendant la production pour maintenir un contrôle dimensionnel précis et une cohérence des matériaux, garantissant que la cible répond aux exigences rigoureuses des systèmes de dépôt sous vide.

ENQUÊTE
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Description
Spécifications
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FAQ

Comment l'état de surface de la cible d'indium influence-t-il le processus de pulvérisation ?

La finition de la surface affecte directement le taux d'érosion pendant la pulvérisation. Une surface lisse et plane favorise un dépôt uniforme du film, réduisant la contamination par les particules et les défauts du film. Une préparation optimisée de la surface minimise l'interruption du processus et améliore la régularité du dépôt. Pour des paramètres détaillés, contactez-nous.

Quels sont les paramètres de dépôt recommandés lors de l'utilisation d'une cible de pulvérisation d'indium ?

Les réglages recommandés dépendent de la configuration de la chambre et de l'épaisseur de film souhaitée. En général, de faibles densités de puissance avec une atmosphère d'argon contrôlée permettent d'obtenir une pulvérisation stable. Des ajustements peuvent être nécessaires en fonction de la distance entre la cible et le substrat, afin d'assurer une uniformité optimale du film et une contrainte thermique minimale.

De quelle manière la pureté de l'indium affecte-t-elle les performances des films dans les applications semi-conductrices ?

La grande pureté de l'indium minimise les défauts induits par l'impureté pendant la croissance du film. Il en résulte des propriétés électriques améliorées et une formation cohérente de l'interface. Des niveaux de dosage plus élevés réduisent les risques de contamination et permettent un comportement de dépôt prévisible, essentiel pour les processus de précision des semi-conducteurs.

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