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  • ST11189 Cible de pulvérisation de sulfure de gallium, cible Ga2S3

    • ST11189 Cible de pulvérisation de sulfure de gallium, cible Ga2S3

    Catalogue No. ST11189
    Composition Ga2S3
    Pureté ≥99,9%, ou personnalisé
    Formulaire Cible
    Forme Rectangulaire, Rond
    Dimensions Sur mesure

    La cible de pulvérisation de sulfure de gallium, Ga2S3 Target, est un composé Ga2S3 de haute pureté conçu pour les applications de dépôt physique en phase vapeur. Fabriquée par Stanford Advanced Materials (SAM), la cible subit des ajustements de composition contrôlés et une vérification de la microstructure par des méthodes telles que la diffraction des rayons X et la spectroscopie à dispersion d'énergie. Ce régime technique permet de maintenir un contrôle de qualité rigoureux, garantissant que la cible répond aux exigences d'uniformité et de performance requises pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

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    FAQ

    Comment la microstructure de la cible de pulvérisation au sulfure de gallium influence-t-elle les processus de dépôt par pulvérisation ?

    La microstructure de la cible affecte la stabilité du plasma et l'uniformité du film. Une distribution granulométrique contrôlée minimise la pulvérisation de particules et assure un transfert d'énergie cohérent, ce qui a un impact direct sur l'adhérence et l'uniformité du film pendant le dépôt.

    Quelles sont les méthodes de traitement utilisées pour obtenir les dimensions personnalisées de la cible ?

    La cible est produite à l'aide de procédés d'usinage de précision et de frittage contrôlé. Ces méthodes permettent d'adapter les dimensions de la cible aux configurations spécifiques des systèmes de pulvérisation tout en préservant l'intégrité du substrat.

    Comment les propriétés matérielles de Ga2S3 influencent-elles l'adhérence du film pendant le dépôt ?

    La composition chimique contrôlée de Ga2S3 et sa stabilité thermique inhérente permettent d'obtenir une surface cible uniforme, ce qui favorise une distribution homogène du plasma et une meilleure adhérence du film. Cela permet de minimiser les défauts et d'améliorer l'efficacité du dépôt dans divers procédés de semi-conducteurs.

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