ST11184 Cible de pulvérisation planaire cuivre indium gallium, cible CIG

Cible de pulvérisation planaire cuivre indium gallium, cible CIG Description

La cible de pulvérisation planaire cuivre indium gallium, cible CIG, est un matériau de pulvérisation formulé à partir d'un alliage précis de cuivre, d'indium et de gallium. Les dimensions personnalisables de la cible facilitent l'intégration dans divers systèmes de dépôt, ce qui garantit la compatibilité avec l'équipement standard de traitement des semi-conducteurs. Sa microstructure bien contrôlée permet d'obtenir des caractéristiques de film uniformes et d'optimiser l'adhérence et la morphologie du film pour les applications de couches minces avancées.

Cible de pulvérisation planaire cuivre indium gallium, CIG Caractéristiques de la cible

*Les informations ci-dessus sont basées sur des données théoriques et ne sont données qu'à titre indicatif. Les spécifications réelles peuvent varier.

Cible de pulvérisation planaire cuivre indium gallium, cible CIG Applications

Électronique et semi-conducteurs
- Utilisée comme source de pulvérisation dans les systèmes de dépôt de semi-conducteurs pour obtenir des couches minces uniformes en tirant parti de dimensions personnalisables.
- Utilisée comme source de matériau dans la production de cellules photovoltaïques pour réguler la morphologie du film grâce à une composition d'alliage contrôlée.

Microfabrication industrielle
- Sert de cible de dépôt dans les processus de microfabrication pour les interconnexions de circuits intégrés afin d'améliorer l'uniformité du film en utilisant un contrôle précis de la composition.
- Fréquemment utilisé pour les processus de revêtement dans les emballages électroniques, où des dimensions adaptées améliorent la qualité du film et les performances de l'appareil.

Cible de pulvérisation planaire cuivre-indium-gallium, emballage de la cible CIG

La cible de pulvérisation planaire cuivre indium gallium est emballée dans un conteneur antistatique doublé de mousse pour la protéger des chocs mécaniques et de la contamination particulaire. La cible est scellée dans un emballage sous atmosphère inerte pour limiter l'exposition à l'humidité et aux contaminants en suspension dans l'air. Il est conseillé de stocker la cible dans un environnement contrôlé où la température et l'humidité sont stables. Des options d'emballage personnalisées sont disponibles pour répondre aux besoins spécifiques de manipulation et de transport.

Informations complémentaires

Les cibles de pulvérisation sont essentielles pour le dépôt de couches minces avancées, car elles influencent les propriétés des couches et les performances des appareils. Les propriétés du matériau, telles que la composition, la densité et la morphologie de la surface, jouent un rôle essentiel dans la détermination du rendement de pulvérisation et de l'uniformité du film. L'ajustement de ces paramètres peut optimiser le processus de dépôt pour des applications semi-conductrices et photovoltaïques spécifiques.

La compréhension de l'interaction entre la composition de l'alliage et les paramètres de dépôt est essentielle dans la science des matériaux. La recherche continue à se concentrer sur l'affinement des techniques de pulvérisation afin d'obtenir une épaisseur de film cohérente et un contrôle de la microstructure dans diverses applications industrielles, ce qui permet d'améliorer à la fois les performances et l'efficacité de la fabrication.