{{flagHref}}
Produits
  • Produits
  • Catégories
  • Blog
  • Podcast
  • Application
  • Document
|
/ {{languageFlag}}
Sélectionnez la langue
Stanford Advanced Materials {{item.label}}
Stanford Advanced Materials
Sélectionnez la langue
Stanford Advanced Materials {{item.label}}

ST11176 Cible planaire cobalt, cible co

Catalogue No. ST11176
Composition Co
Pureté ≥99,99%, ou sur mesure
Formulaire Cible
Forme Rectangulaire
Dimensions Sur mesure

La cible planaire en cobalt, Co Target, est une cible de pulvérisation fabriquée à partir de cobalt de haute pureté, conçue pour le dépôt contrôlé de couches minces. Stanford Advanced Materials (SAM) applique une caractérisation rigoureuse des matériaux à l'aide de techniques telles que la microscopie optique et la fluorescence X pour contrôler l'uniformité de la composition. Le contrôle du processus par SAM minimise les impuretés et les défauts, garantissant que le produit répond aux normes techniques rigoureuses pour les applications de pulvérisation.

ENQUÊTE
Ajouter à la comparaison
Description
Spécifications
Avis

FAQ

Comment la dimension personnalisée affecte-t-elle le processus de pulvérisation ?

Les dimensions personnalisées permettent d'adapter la cible à des systèmes de dépôt spécifiques, en optimisant l'uniformité du film et en réduisant les effets de bord. Les utilisateurs bénéficient d'un meilleur contrôle de l'épaisseur du revêtement et de l'uniformité de la microstructure dans diverses configurations de pulvérisation.

Quelles sont les mesures de contrôle de la qualité mises en œuvre pendant la production ?

SAM utilise la caractérisation analytique, y compris la fluorescence X et l'analyse de la morphologie de surface, pour évaluer la composition de l'alliage et la finition de la surface. Ce processus réduit l'incidence des impuretés, ce qui garantit la cohérence entre les lots et des performances fiables dans les applications de pulvérisation cathodique.

Comment la propriété matérielle inhérente au cobalt est-elle utilisée dans le dépôt de couches minces ?

Le point de fusion élevé du cobalt et sa densité contrôlée contribuent à la stabilité des conditions du plasma pendant la pulvérisation. Cette stabilité permet d'obtenir un dépôt de film uniforme avec une contamination particulaire minimale, ce qui est essentiel pour les semi-conducteurs et les applications de revêtement. Pour plus d'informations, contactez-nous.

OBTENIR UN DEVIS

Envoyez-nous une demande dès aujourd'hui pour en savoir plus et recevoir les derniers tarifs. Merci !

* Votre nom
* Votre Email
* Nom du produit
* Votre téléphone
* Pays

France

    Commentaires
    Je souhaite rejoindre la liste de diffusion pour recevoir des mises à jour de Stanford Advanced Materials.
    Joindre les dessins:

    Déposez vos fichiers ici ou

    * Code de vérification
    Types de fichiers acceptés : PDF, png, jpg, jpeg. Vous pouvez télécharger plusieurs fichiers à la fois ; chaque fichier doit avoir une taille inférieure à 2 Mo.
    Laisser un message
    Laisser un message
    * Votre nom:
    * Votre Email:
    * Nom du produit:
    * Votre téléphone:
    * Commentaires: