SC9908 Poutre en carbure de silicium recristallisé 30 x 30 mm

Poutre en carbure de silicium recristallisé 30 x 30 mm Description

La poutre en carbure de silicium recristallisé 30 x 30 mm est produite à partir de SiC d'une pureté ≥99%. Ses dimensions précises de 30 x 30 mm facilitent la compatibilité avec les installations standard de traitement à haute température. La densité du matériau (~2,7 g/cm³) contribue à sa stabilité mécanique et à son inertie thermique. La microstructure recristallisée minimise la densité des défauts, ce qui favorise les applications qui exigent une inertie chimique et une endurance thermique soutenue.

Poutre de carbure de silicium recristallisé 30 x 30 mm Applications

Applications industrielles
- Utilisé comme composant structurel dans les fours à haute température pour atténuer les problèmes de dilatation thermique en tirant parti de sa tolérance élevée à la température de fonctionnement, ce qui permet de maintenir la stabilité opérationnelle.
- Utilisé comme élément de gestion de la chaleur dans les équipements de traitement pour contrer les déformations induites par la chaleur en utilisant sa haute densité et son inertie chimique, améliorant ainsi la fiabilité du processus.

Applications électroniques
- Utilisé comme substrat isolant dans les modules électroniques de puissance pour relever les défis de la dissipation thermique en tirant parti de sa microstructure stable, garantissant des performances constantes dans des conditions de forte puissance.
- Utilisé comme matériau de support dans les assemblages de capteurs à haute température pour lutter contre la dérive du signal due au stress thermique en tirant parti de sa stabilité dimensionnelle et de sa pureté, préservant ainsi la précision des mesures.

Poutre de carbure de silicium recristallisé 30 x 30 mm Emballage

La poutre en carbure de silicium recristallisé 30 x 30 mm est emballée de manière sûre dans un conteneur antistatique et résistant à l'humidité, avec un rembourrage interne en mousse pour éviter les dommages mécaniques. La conception de l'emballage intègre des barrières à particules et des caractéristiques d'atmosphère contrôlée pour atténuer les risques de contamination. Les conditions de stockage recommandées comprennent une faible humidité et des environnements à température contrôlée. Des options d'emballage personnalisées, y compris un étiquetage sur mesure et des mesures de protection supplémentaires, sont disponibles sur demande.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quel est l'impact de la haute pureté (≥99%) du SiC sur ses performances ?
R1 : Le niveau de pureté élevé du SiC réduit les défauts liés à l'impureté, ce qui améliore l'intégrité structurelle et la stabilité thermique. Cela est essentiel pour maintenir des performances dimensionnelles et mécaniques constantes, en particulier dans les environnements à haute température.

Q2 : Comment la température de fonctionnement de ≤1650 ℃ affecte-t-elle l'adéquation de l'application ?
A2 : Une température de fonctionnement de ≤1650 ℃ permet au matériau de conserver sa structure dans des conditions thermiques extrêmes. Cette propriété le rend adapté aux composants soumis à une chaleur élevée, garantissant une dégradation thermique minimale au cours d'une utilisation prolongée.

Q3 : Des écarts dans les dimensions de 30 x 30 mm peuvent-ils avoir un impact sur la fonctionnalité de la poutre ?
A3 : La précision dimensionnelle est essentielle pour l'intégration dans des équipements de traitement de précision. Les écarts peuvent entraîner des disparités dans l'assemblage ou modifier la distribution de la chaleur, ce qui risque d'affecter les performances globales du système.

Informations complémentaires

Le carbure de silicium (SiC) est largement reconnu dans la science des matériaux pour son exceptionnelle stabilité thermique et chimique. Sa structure cristalline unique lui permet de fonctionner dans des conditions où les céramiques traditionnelles risquent d'échouer, ce qui en fait un matériau de choix pour les applications nécessitant une résistance aux températures élevées et une inertie aux environnements corrosifs.

Les progrès récents des techniques de recristallisation ont encore amélioré l'uniformité microstructurale des composants SiC. Ces progrès soutiennent les applications dans les secteurs industriels et électroniques en garantissant que les composants fonctionnent de manière cohérente, même en cas de cycles thermiques rapides et de contraintes mécaniques élevées.