SC9904 Plaque de carbure de silicium recristallisé de 20 mm d'épaisseur

Plaque de carbure de silicium recristallisé de 20 mm d'épaisseur Description

La plaque de carbure de silicium recristallisé de 20 mm d'épaisseur est produite à partir de SiC polycristallin d'une pureté de ≥99%. L'épaisseur de 20 mm garantit une intégrité structurelle robuste à des températures élevées. La microstructure dense du matériau et sa résistance thermique inhérente facilitent une dispersion efficace de la chaleur. Ses propriétés céramiques le rendent adapté aux applications nécessitant une dilatation thermique minimale et une grande stabilité de surface.

Plaque de carbure de silicium recristallisé de 20 mm d'épaisseur Applications

1)Applications électroniques et semi-conducteurs
- Utilisation comme dissipateur de chaleur dans les assemblages d'électronique de puissance pour obtenir des températures de fonctionnement stables en tirant parti d'une endurance thermique élevée.
- Utilisé comme isolant structurel dans les circuits de haute puissance pour maintenir l'intégrité des performances sous contrainte thermique.

2)Équipements industriels et de traitement
- Sert de composant résistant à l'usure dans les équipements de traitement à haute température pour maintenir la stabilité dimensionnelle en tirant parti de sa pureté et de sa densité élevées.
- Fréquemment utilisé dans les revêtements de fours pour maintenir des profils thermiques cohérents et réduire les pertes de chaleur dans les systèmes de chauffage industriels.

Plaque de carbure de silicium recristallisé de 20 mm d'épaisseur Emballage

Le produit est solidement emballé dans un emballage antistatique et résistant à l'humidité, avec des inserts en mousse rigide pour éviter les dommages mécaniques. Des cartons de protection personnalisés sont utilisés pour isoler la plaque de toute contamination pendant le transport. Les instructions de stockage recommandent un environnement sec et à température contrôlée. Des options d'emballage personnalisées, y compris l'étiquetage et la compartimentation, sont disponibles pour répondre à des exigences de manipulation spécifiques.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quelles sont les méthodes utilisées pour évaluer l'uniformité du matériau dans la plaque SiC ?
R1 : La plaque est soumise à une analyse par diffraction des rayons X et par microscopie électronique à balayage pour évaluer la structure des grains et la distribution des phases, ce qui garantit l'uniformité du matériau et la constance des performances sous des charges thermiques.

Q2 : Comment le produit se comporte-t-il à des températures élevées ?
R2 : La plaque SiC conserve sa stabilité dimensionnelle et ses performances thermiques jusqu'à 1650 ℃ grâce à sa microstructure recristallisée, ce qui la rend adaptée aux applications qui exigent une gestion efficace de la chaleur et une résilience structurelle.

Q3 : Des options de personnalisation sont-elles disponibles pour les dimensions des plaques SiC ?
R3 : Oui, il est possible de personnaliser les dimensions des plaques et la finition de leur surface. Des processus de coupe, de polissage et de finition sur mesure permettent de répondre aux exigences d'applications spécifiques.

Informations complémentaires

Le carbure de silicium (SiC) est largement apprécié dans la science des matériaux pour sa conductivité thermique élevée et son inertie chimique. Le processus de recristallisation affine la microstructure, ce qui améliore la cohérence et les performances. Ce matériau est couramment utilisé dans des environnements soumis à des cycles thermiques fréquents, où les céramiques traditionnelles risquent d'échouer. La compréhension de ses propriétés fondamentales permet d'optimiser la conception des composants en termes de gestion thermique et d'intégrité mécanique.

Les techniques avancées de traitement des céramiques continuent d'évoluer, ce qui permet d'améliorer le contrôle des limites du grain et la densité. Ces progrès ont un impact direct sur l'efficacité des composants à base de SiC dans les applications à forte consommation d'énergie et à haute température, renforçant ainsi son rôle dans les systèmes industriels et électroniques modernes.