SC8593 Silicon-on-Insulator Wafer SOI Wafer (111) Dia. 4 pouces

Plaque de silicium sur isolant Plaque SOI (111) Dia. 4 pouces Description

Notre plaquette de silicium sur isolant (SOI) (111), d'un diamètre de 4 pouces, offre une isolation électrique et une gestion thermique supérieures, ce qui permet la fabrication de dispositifs de haute performance. L'orientation (111) répond aux applications nécessitant des propriétés cristallographiques uniques, notamment les structures MEMS avancées, l'électronique de puissance et les dispositifs de détection. Une couche d'oxyde robuste sert d'excellent isolant, réduisant la capacité parasite et améliorant l'efficacité globale du dispositif. Sa couche supérieure de silicium uniforme garantit des profils de dopage cohérents, ce qui en fait un matériau bien adapté à un traitement de haute précision.

Fabriquées selon des paramètres de qualité rigoureux, ces plaquettes présentent une planéité de surface exceptionnelle, des densités de défauts minimales et une épaisseur étroitement contrôlée. Chaque plaquette fait l'objet d'une inspection rigoureuse afin de respecter les normes industrielles, ce qui garantit des résultats fiables et reproductibles dans des environnements de production exigeants. Avec cette plaquette SOI, les chercheurs, les développeurs et les fabricants peuvent innover en toute confiance, en tirant parti d'une plateforme conçue pour des produits semi-conducteurs de haute qualité de la prochaine génération.

Plaque de silicium sur isolateur Plaque SOI (111) Dia. 4 pouces Applications

La plaquette de silicium sur isolant (SOI) (111), d'un diamètre de 4 pouces, offre des performances supérieures en matière de transistors, une capacité parasite réduite et d'excellentes propriétés d'isolation, ce qui en fait un substrat essentiel pour les technologies de pointe. Sa structure unique, composée de couches de silicium séparées par une couche d'enfouissement isolante, permet un fonctionnement économe en énergie et une meilleure durabilité. En outre, son orientation garantit un alignement cristallographique précis, essentiel pour les applications électroniques et optoélectroniques de pointe.

1) Applications électroniques et semi-conducteurs

-Développement de circuits intégrés à grande vitesse avec une perte de puissance minimale

-Fabrication de capteurs et de dispositifs d'imagerie à faible bruit

-Création de systèmes microélectromécaniques (MEMS) avancés pour l'électronique grand public.

2) Applications en matière de recherche et de développement

-Exploration de nouvelles architectures de dispositifs pour l'informatique de la prochaine génération

-Prototypage de nouveaux composants photoniques à diaphonie réduite

-Réalisation d'études sur les matériaux afin d'optimiser les propriétés électroniques et optiques

3) Applications commerciales et industrielles

-Production de cellules solaires à haut rendement énergétique pour les systèmes d'énergie renouvelable

-Intégration dans des modules de capteurs automobiles robustes pour une sécurité accrue

-Fabrication d'instruments de précision pour les processus chimiques et pharmaceutiques

Plaque de silicium sur isolant Plaque SOI (111) Dia. Emballage 4 pouces

Ces plaquettes de silicium sur isolateur de 4 pouces (111) sont emballées dans des conteneurs scellés sous vide dotés de couches de mousse antistatique qui protègent chaque plaquette des chocs et des contaminants environnementaux. Pour une protection optimale, il convient de les stocker dans des zones propres, à humidité contrôlée, à une température comprise entre 20 et 25°C. Le double emballage et les cassettes scellées minimisent l'accumulation de poussière, tandis que la purge à l'azote optionnelle réduit encore la contamination. Des solutions d'emballage personnalisées, y compris des supports et des étiquettes spécialisés, sont disponibles pour répondre aux besoins uniques en matière de manutention et de transport.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois ou personnalisé.

Plaquette de silicium sur isolant Plaquette SOI (111) Dia. 4 pouces FAQ

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du matériau de la plaquette de silicium sur isolateur SOI Wafer (111) Dia. 4 pouces ?

A1 : Ce wafer SOI présente typiquement une couche de dispositif en silicium cristallin liée à un wafer de poignée orienté (111), séparée par une couche d'oxyde enfouie (BOX). La couche de dispositif présente une faible densité de défauts, ce qui minimise les dislocations et améliore les performances du dispositif. L'uniformité de son épaisseur est étroitement contrôlée et la résistivité électrique peut être personnalisée par dopage. Dans l'ensemble, ces propriétés permettent une grande fiabilité, une stabilité thermique et une intégrité supérieure des signaux pour les applications de semi-conducteurs avancées.

Q2 : Comment doit-on manipuler et stocker cette plaquette de silicium sur isolateur (111) Dia. 4 pouces doit-elle être manipulée et stockée afin de préserver son intégrité ?

R2 : Manipulez la plaquette uniquement dans une salle blanche en utilisant des gants et des pinces approuvés afin d'éviter toute contamination et tout dommage mécanique. Évitez tout contact direct avec la surface active de la plaquette. Stockez la plaquette dans un porte-plaquette ou un conteneur d'expédition spécialisé, en veillant à ce que les vibrations et les fluctuations de température soient minimales. Une protection adéquate contre les décharges électrostatiques est essentielle ; des mesures de mise à la terre et des postes de travail antistatiques permettent de protéger la couche sensible de la plaquette.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent aux plaquettes de silicium sur isolant SOI Wafer (111) Dia. 4 pouces ?

R3 : Ces plaquettes sont généralement produites en conformité avec les normes SEMI en matière de précision dimensionnelle, de tolérance d'épaisseur et de qualité de surface. Les fabricants sont souvent certifiés ISO 9001 pour garantir des systèmes de gestion de la qualité robustes. En outre, les plaquettes peuvent faire l'objet d'inspections rigoureuses, y compris la surveillance des particules, les mesures de la variation totale de l'épaisseur (TTV) et les contrôles de la densité des défauts. La conformité à la directive RoHS et à d'autres réglementations environnementales est souvent vérifiée pour répondre aux exigences de fabrication mondiales.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages du matériau

Sculptée dans un substrat de silicium monocristallin avec une couche d'oxyde de haute qualité, la plaquette de silicium sur isolateur (111) Dia. 4 pouces présente des capacités d'isolation électrique exceptionnelles qui minimisent les capacités parasites. Cette conception stratégique garantit des performances supérieures, en particulier pour les circuits intégrés à forte demande et les applications de gestion de l'énergie. L'orientation cristalline (111) améliore encore l'uniformité du dopage, garantissant des profils de résistivité cohérents, essentiels pour l'électronique de pointe.

Les fines couches de dispositifs dans la structure de la plaquette SOI permettent de réduire les courants de fuite et de dissiper efficacement la chaleur, ce qui améliore l'efficacité énergétique d'une large gamme de produits. En isolant la couche active de silicium au-dessus d'une matrice d'oxyde, cette plaquette offre une résistance robuste au verrouillage et réduit la diaphonie, ce qui en fait un choix de premier ordre pour les dispositifs MEMS de la prochaine génération et d'autres systèmes de précision.

2. Applications dans les industries de pointe

Largement utilisée dans l'électronique aérospatiale, la plaquette de silicium sur isolant (111) Dia. 4 pouces offre une stabilité thermique stratégique et une forte isolation électrique pour résister aux conditions extrêmes. Les systèmes en haute altitude et dans l'espace bénéficient souvent de sa tolérance aux radiations, maintenant une fonctionnalité fiable dans des conditions d'exposition cosmique intense qui pourraient entraver les plaquettes de silicium standard.

Largement adoptée par le secteur automobile, cette plaquette répond à la demande croissante d'efficacité énergétique et de performance des chaînes de traction électriques. Les modules de puissance améliorés et les systèmes de sécurité automobile basés sur des capteurs s'appuient sur la résilience EMI améliorée de la structure SOI, ce qui permet un traitement des données à grande vitesse et des lectures précises dans des environnements difficiles, ouvrant ainsi la voie à des véhicules plus sûrs et plus intelligents.