SC8592 Silicon-on-Insulator Wafer SOI Wafer (110) Dia. 8 pouces

Plaque de silicium sur isolant Plaque SOI (110) Dia. 8 pouces Description

La plaquette de silicium sur isolant (SOI) avec une orientation (110) et un diamètre de 8 pouces offre des propriétés électriques et mécaniques supérieures pour une large gamme d'applications de semi-conducteurs avancées. Son alignement cristallin (110) améliore la mobilité des porteurs, ce qui la rend idéale pour la microélectronique à haute performance et les dispositifs de puissance. La couche d'oxyde soigneusement conçue assure une isolation diélectrique efficace, réduisant la capacité parasite tout en améliorant la conductivité thermique pour une meilleure fiabilité des dispositifs. Cette conception robuste permet un contrôle étroit des dimensions, minimisant la densité des défauts et améliorant l'uniformité globale des plaquettes de silicium.

Fabriquée selon des normes de qualité strictes, chaque plaquette subit des tests rigoureux pour garantir un minimum d'impuretés, une épaisseur constante et une excellente intégrité diélectrique. Ces spécifications de pointe permettent de réduire la consommation d'énergie, d'augmenter la vitesse de fonctionnement et de prolonger la durée de vie des appareils. Qu'elle soit utilisée dans des capteurs MEMS ou des processeurs à grande vitesse, cette plaquette SOI offre des performances inégalées pour répondre aux exigences des technologies des semi-conducteurs de la prochaine génération.

Plaque de silicium sur isolant Plaque SOI (110) Dia. 8 pouces Applications

Ces plaquettes de silicium sur isolant (SOI) avec une orientation (110) et un diamètre de 8 pouces offrent une plate-forme avancée pour des applications électroniques et photoniques de haute performance. Leur couche isolante réduit la capacité parasite, ce qui permet d'améliorer la vitesse des dispositifs et de réduire la consommation d'énergie. Associées à une excellente conductivité thermique et à des courants de fuite réduits, ces plaquettes aident les chercheurs, les ingénieurs et les fabricants à créer des produits innovants dans divers secteurs, améliorant ainsi la fiabilité et la précision des applications critiques.

1) Applications électroniques et semi-conducteurs

-Circuits intégrés CMOS à grande vitesse avec une consommation d'énergie réduite

-Dispositifs de mémoire à faible courant de fuite pour une meilleure rétention des données

-Photodétecteurs permettant d'améliorer la mobilité des porteurs et la détection des signaux.

2) Dispositifs médicaux et de santé

-Biocapteurs fournissant des résultats diagnostiques rapides et précis

-Instruments chirurgicaux mini-invasifs aux performances stables

-Puces implantables assurant une surveillance précise des paramètres vitaux

3. recherche et développement

-Prototypage de transistors avancés avec une meilleure isolation

-Création de dispositifs MEMS et NEMS spécialisés pour l'innovation en matière de capteurs

-Étude de l'intégration de nouveaux matériaux pour la microélectronique de la prochaine génération

Plaque de silicium sur isolant Plaque SOI (110) Dia. Emballage 8 pouces

Ces plaquettes de silicium sur isolant (SOI) de 8 pouces orientées (110) sont expédiées dans un support de plaquette scellé et dissipateur d'électricité statique pour les protéger contre les dommages physiques et électrostatiques. L'entrelacement avec une mousse spécialisée assure un contact minimal avec la surface, évitant ainsi les rayures et la contamination par les particules. Stocker dans un environnement sec et à température contrôlée pour maintenir l'intégrité du produit. Une purge à l'azote de haute pureté est optionnelle pour une protection accrue. Des configurations d'emballage personnalisées sont disponibles pour répondre aux exigences spécifiques des clients, garantissant un transport sûr et la préservation de la qualité des plaquettes.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois ou personnalisé.

Plaquette de silicium sur isolant Plaquette SOI (110) Dia. 8 pouces FAQ

Q1 : Quelles sont les principales propriétés des plaques de silicium sur isolateur SOI (110) Dia. 8 pouces ?

R1 : Cette plaquette de silicium sur isolant avec une orientation (110) offre une couche de dispositif typiquement dopée (type p ou type n), une couche d'oxyde isolante fournissant une isolation électrique, et une plaquette de poignée de support pour la stabilité mécanique. Le diamètre de 8 pouces garantit une grande surface pour la fabrication de dispositifs. Avec une faible densité de défauts, une épaisseur uniforme et une excellente conductivité thermique, ces plaquettes conviennent aux processus de semi-conducteurs avancés et aux applications électroniques de haute performance.

Q2 : Comment doit-on manipuler et stocker les plaques de silicium sur isolant SOI Wafer (110) Dia. 8 pouces ?

R2 : Les plaquettes de silicium sur isolant doivent être manipulées dans une salle blanche en utilisant des gants non poudrés et des pinces non métalliques pour éviter toute contamination ou rayure. Elles doivent être stockées dans leur emballage d'origine ou dans des supports spécialisés qui les protègent des contraintes mécaniques. La température et l'humidité doivent être étroitement contrôlées pour éviter l'absorption d'humidité ou le gauchissement. Des procédures d'inspection et de nettoyage régulières permettent de maintenir une qualité de surface constante pour une fabrication fiable des dispositifs.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent aux plaques de silicium sur isolant SOI Wafer (110) Dia. 8 pouces ?

A3 : Ces plaquettes SOI sont généralement conformes aux normes SEMI M1 pour les dimensions, la planéité et la propreté des plaquettes. Les fabricants suivent souvent des systèmes de gestion de la qualité ISO 9001 ou IATF 16949 pour garantir la cohérence et la traçabilité. Les propriétés électriques et de surface sont généralement vérifiées à l'aide d'une métrologie normalisée, comme la mesure de l'épaisseur, les tests de résistivité et l'inspection des défauts. La conformité aux réglementations RoHS et REACH peut également s'appliquer, en fonction de l'application envisagée.

Informations connexes

1. Processus de fabrication

Tirant parti des techniques avancées de transfert de couches, le processus de fabrication de la plaquette de silicium sur isolant SOI Wafer (110) Dia. 8 pouces commence généralement par la préparation de la tranche de poignée et de la tranche de dispositif. La plaquette à poignée est soigneusement nettoyée afin d'éliminer tout contaminant de surface éventuel, tandis que la plaquette à dispositif est soumise à une procédure de collage spécialisée afin de garantir la stabilité des couches d'oxyde. Une fois collée, la tranche combinée subit un recuit à haute température pour former une interface solide qui maintiendra l'intégrité structurelle pendant les étapes ultérieures d'amincissement de précision.

Au cours de la phase d'amincissement, la plaquette est soigneusement réduite à l'épaisseur souhaitée, ce qui permet d'obtenir une couche de silicium uniforme, essentielle à la constance des performances électriques. L'orientation (110) permet d'obtenir des avantages spécifiques en termes de mobilité des canaux, ce qui améliore les capacités des dispositifs dans la microélectronique de haute performance. Enfin, la plaquette SOI subit plusieurs cycles de polissage et d'inspection pour confirmer sa topographie de surface vierge et sa fonctionnalité avant d'être livrée pour la fabrication des composants.

2. Applications dans les industries de pointe

L'évolution de la demande de dispositifs à grande vitesse et à faible consommation d'énergie fait de cette plaquette de silicium sur isolant (SOI Wafer) (110) Dia. 8 pouces un substrat essentiel dans des domaines tels que l'aérospatiale, la technologie automobile et l'instrumentation médicale. Les propriétés d'isolation améliorées offertes par la technologie SOI permettent de réduire les courants de fuite dans les conceptions à haute tension, ce qui garantit un comportement cohérent des dispositifs, même dans des conditions environnementales difficiles. En outre, l'orientation de la surface (110) est reconnue pour sa mobilité accrue des trous, ce qui en fait un excellent choix pour les circuits nécessitant des performances supérieures en matière de transistors.

Les principaux fabricants de semi-conducteurs utilisent ces plaques SOI de 8 pouces pour développer des circuits intégrés dont les capacités parasites sont réduites au minimum, ce qui se traduit par une transmission plus rapide des signaux. En outre, l'isolation thermique renforcée entre les couches offre une fiabilité accrue des composants, ce qui fait de la plate-forme SOI un choix privilégié pour les modules électroniques compacts. En conséquence, les applications sophistiquées bénéficient d'une consommation d'énergie réduite, d'une densité d'emballage améliorée et d'un avantage concurrentiel en matière d'innovation de pointe.