SC8590 Silicon-on-Insulator Wafer SOI Wafer (110) Dia. 4 pouces

Plaque de silicium sur isolant Plaque SOI (110) Dia. 4 pouces Description

Innovez dans vos processus de fabrication de semi-conducteurs avec notre plaquette SOI (Silicon-on-Insulator) de 100 mm (4 pouces), présentant une orientation cristalline (110) pour améliorer les performances des dispositifs. La structure soigneusement conçue comprend une couche supérieure de silicium, une couche d'oxyde isolante et une plaquette à poignée à haute résistivité, ce qui permet de réduire la capacité parasite et d'améliorer la conductivité thermique. Cette base unique permet une isolation supérieure du dispositif et une réduction des fuites hors état, ce qui garantit la fiabilité des applications électroniques de haute performance.

Fabriquées selon des normes de qualité strictes, nos plaques SOI sont soumises à une inspection rigoureuse afin de répondre aux spécifications SEMI définies par l'industrie. L'épaisseur uniforme, l'état de surface lisse et le contrôle précis du dopage favorisent le développement de circuits CMOS avancés, de dispositifs de puissance et de capteurs à base de MEMS. Faites confiance à notre plaquette SOI à orientation (110) pour obtenir la cohérence et la reproductibilité nécessaires aux percées de la prochaine génération en matière de semi-conducteurs.

Plaque de silicium sur isolant Plaque SOI (110) Dia. 4 pouces Applications

Cette plaquette de silicium sur isolant (SOI) avec une orientation cristalline (110) et un diamètre de 4 pouces est spécialement conçue pour la microélectronique avancée et d'autres applications à haute performance. Sa structure en couches offre une isolation électrique supérieure, une capacité parasite réduite et une gestion thermique améliorée. Ces propriétés uniques en font un substrat idéal pour la production de dispositifs de nouvelle génération dans des secteurs tels que les soins de santé, les télécommunications et l'électronique grand public.

1) Fabrication de produits électroniques et de semi-conducteurs

-Application 1 : fabrication de circuits intégrés à grande vitesse avec des effets parasites minimisés

-Application 2 : développement de capteurs et d'actionneurs avancés pour des systèmes de contrôle précis

2) Médecine et soins de santé

-Application 1 : création de dispositifs de diagnostic sur puce pour des tests rapides et précis

-Application 2 : production de capteurs d'imagerie biocompatibles pour l'équipement médical

3) Télécommunications et électronique grand public

-Application 1 : intégration de composants photoniques à faible perte pour les réseaux de communication optique

-Application 2 : assemblage de dispositifs RF offrant une meilleure intégrité du signal pour les produits électroniques grand public

Plaque de silicium sur isolant Plaque SOI (110) Dia. 4 pouces Emballage

Chaque plaquette de silicium sur isolant est scellée individuellement dans un manchon antistatique de qualité salle blanche avec des inserts rembourrés pour éviter les contraintes mécaniques et la contamination. L'emballage scellé est ensuite placé dans un support de protection rigide, garantissant une pénétration minimale des particules pendant le transport. Pour un stockage prolongé, les plaquettes doivent être conservées dans un environnement à faible humidité et à température stable. Un étiquetage optionnel, des matériaux d'emballage spécialisés et des transporteurs personnalisés sont disponibles pour répondre aux exigences particulières de manipulation et d'expédition.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Plaque de silicium sur isolateur Plaque SOI (110) Dia. 4 pouces FAQ

Q1 : Quelles sont les principales propriétés des plaques de silicium sur isolateur SOI (110) Dia. 4 pouces ?

A1 : Les plaques de silicium sur isolant (SOI) d'orientation (110), d'un diamètre de 4 pouces, comportent généralement une fine couche de silicium liée à une couche isolante de dioxyde de silicium, ce qui permet de réduire la capacité parasite et les courants de fuite. L'orientation (110) offre des caractéristiques uniques de gravure anisotrope et une mobilité favorable des trous, ce qui est bénéfique pour les applications de dispositifs spécialisés. Ces plaquettes présentent également une faible densité de défauts, une épaisseur constante de la face arrière et une excellente conductivité thermique, ce qui les rend adaptées à la fabrication de CMOS et de MEMS à haute performance.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : En raison de la nature délicate de la fine couche de dispositif et de l'oxyde isolant, ces plaquettes SOI doivent être manipulées avec précaution à l'aide de gants de salle blanche et en limitant au maximum le contact direct avec les surfaces actives. Elles doivent être transportées dans des supports de plaquettes ou des cassettes conçus pour des plaquettes de 4 pouces afin d'éviter toute contrainte mécanique. Les conditions de stockage doivent être propres, l'humidité contrôlée et l'absence de contaminants en suspension dans l'air. Le fait de les garder scellées jusqu'à leur traitement réduit le risque d'accumulation de particules.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent aux plaques de silicium sur isolant SOI Wafer (110) Dia. 4 pouces ?

A3 : Ces plaquettes SOI sont généralement conformes aux normes SEMI M1, qui définissent les spécifications relatives aux dimensions des plaquettes de silicium, à l'orientation cristallographique et à la qualité de la surface. Les fabricants sont souvent certifiés ISO 9001 pour garantir des méthodes de production cohérentes et des résultats de haute qualité. En outre, de nombreux fournisseurs respectent les normes de gestion environnementale ISO 14001 afin de minimiser l'impact écologique négatif. Les clients exigent souvent la certification de la propreté, de l'uniformité de l'épaisseur et de la planéité afin de répondre aux exigences rigoureuses en matière de performance et de fiabilité des dispositifs.

Informations connexes

1. Processus de fabrication

Des techniques sophistiquées sont employées pour créer la plaquette de silicium sur isolant (110) Dia. 4 pouces, garantissant une structure en couches qui assure un haut degré d'isolation électrique. Tout d'abord, les substrats de silicium de première qualité sont soumis à un meulage et à un polissage précis afin d'obtenir l'épaisseur et la finition de surface souhaitées. Ensuite, des méthodes de collage spécialisées fusionnent la couche du dispositif avec une barrière d'oxyde, ce qui améliore le rendement et les performances du dispositif. Cette combinaison de collage de plaquettes et de traitements thermiques finement ajustés aboutit à une plate-forme qui présente des courants de fuite réduits, permettant une production efficace de transistors et d'autres dispositifs microélectroniques.

Des contrôles de qualité approfondis sont effectués à chaque étape de la production, en utilisant des outils de lithographie et d'inspection avancés pour identifier les défauts et mesurer l'uniformité. Au cours des dernières étapes, les paramètres de polissage et les protocoles de nettoyage sont méticuleusement adaptés à l'orientation cristallographique (110), qui présente des propriétés mécaniques et électriques distinctes par rapport aux autres orientations. Cette approche minutieuse garantit que chaque plaquette SOI de 4 pouces livrée sur le marché répond systématiquement aux exigences élevées de la fabrication d'appareils modernes.

2. Applications dans les industries de pointe

En microélectronique de haute performance, la plaquette SOI de 4 pouces avec l'orientation (110) est privilégiée pour sa capacité à améliorer les performances des transistors, à réduire la capacité parasite et à améliorer la gestion thermique. En outre, l'orientation cristalline (110) optimise la mobilité des trous, ce qui permet d'accélérer la vitesse de commutation des dispositifs, un facteur essentiel dans divers appareils électroniques grand public et machines spécialisées.

Divers secteurs s'appuient sur les spécifications particulières de cette plaquette pour des applications innovantes dans les réseaux de capteurs, les dispositifs IoT et les composants optoélectroniques. Les systèmes aérospatiaux bénéficient souvent de l'amélioration de la tolérance aux rayonnements du wafer, ce qui permet au matériel de maintenir un fonctionnement fiable dans des conditions environnementales difficiles. Le contrôle cohérent de l'épaisseur et l'isolation uniforme des diodes sont essentiels pour obtenir des rendements élevés et des performances supérieures des dispositifs dans les environnements de fabrication avancés.