CY9536 Co Spinel Q Switch Crystal 5x5 mm T0=80%

Co Spinel Q Switch Crystal 5x5 mm T0=80% Description

Co Spinel Q Switch Crystal 5x5 mm T0=80% est un substrat à base de spinelle configuré dans un format de 5x5 mm avec un paramètre T0 fixé à 80%, indiquant le seuil thermique prévu pour le comportement de commutation. Les dimensions uniformes permettent la compatibilité avec l'équipement standard de manipulation des substrats. Le produit est synthétisé dans des conditions contrôlées de haute température avec des taux de refroidissement surveillés pour obtenir des réponses électriques et thermiques stables nécessaires aux applications de commutation.

Cristal de commutation Co Spinel Q 5x5 mm T0=80% Applications

1.électronique
- Utilisé comme interface de commutation dans les circuits microélectroniques pour obtenir une modulation des signaux électriques en tirant parti de sa structure stable de spinelle de cobalt.
- Appliqué dans les modules de capteurs où le paramètre T0 défini aide à maintenir les performances thermiques attendues dans des conditions ambiantes variables.

2)Recherche industrielle
- Employé comme référence d'étalonnage dans les installations de laboratoire pour obtenir des réponses uniformes pendant les expériences de cycle thermique en utilisant son comportement de commutation contrôlé.
- Sert de substrat d'essai dans les études sur les matériaux pour contrôler les mécanismes de transport de charge dérivés de ses propriétés cristallines de spinelle.

Cristal de commutation Co Spinel Q 5x5 mm T0=80% Emballage

Les cristaux sont emballés dans des plateaux antistatiques et fixés dans des boîtes en carton ondulé scellées et recouvertes de mousse afin d'atténuer les chocs et l'exposition à l'humidité. L'emballage est conçu pour éviter la contamination et les abrasions mécaniques pendant le transport et le stockage. Il est recommandé de stocker le substrat dans un environnement à faible humidité et à température contrôlée. Des options d'étiquetage et de compartimentage personnalisées sont disponibles pour répondre aux exigences spécifiques de stockage et de manipulation.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment le paramètre T0=80% influence-t-il les performances de commutation du cristal ?
R1 : Le paramètre T0=80% indique le seuil thermique auquel le substrat modifie ses propriétés électriques. Cette valeur est essentielle pour définir la plage de température permettant une commutation efficace, garantissant ainsi que le matériau présente le comportement attendu lors des cycles thermiques dans les applications pratiques.

Q2 : Quelles sont les méthodes utilisées pour vérifier l'orientation cristallographique du substrat ?
R2 : Le substrat est soumis à une analyse par diffraction des rayons X et par microscopie électronique à balayage. Ces techniques confirment l'alignement cristallographique et évaluent les niveaux de défauts, garantissant que la structure spinelle répond aux normes requises pour les applications de commutation.

Q3 : Les dimensions standard sont-elles fixes ou peuvent-elles être adaptées à des besoins spécifiques ?
R3 : Les dimensions standard sont fixées à 5 x 5 mm ; toutefois, il est possible de les personnaliser sur demande. Les modifications dimensionnelles sont envisagées en fonction des contraintes de traitement et de l'impact sur les performances cristallographiques et thermiques dans les environnements d'application ciblés.

Informations complémentaires

Les cristaux de spinelle, en particulier ceux qui intègrent du cobalt, présentent des transitions de phase électrique uniques sous l'effet des variations thermiques. Leur structure de réseau stable et leurs seuils thermiques définis les rendent précieux pour les études sur la commutation conductrice et la caractérisation des matériaux dans les milieux de la recherche universitaire et industrielle.

Stanford Advanced Materials (SAM) utilise une combinaison de protocoles de synthèse avancés et de techniques d'évaluation microscopique pour garantir l'uniformité de ses substrats de spinelle. Cette approche soutient les recherches en cours sur le traitement des semi-conducteurs et le développement de capteurs, en mettant en lumière le comportement des matériaux dans des conditions expérimentales contrôlées.