CY9510 Plaquette de silicium Type P (100) Dia. 5 pouces, SSP

Plaquette de silicium Type P (100) Dia. 5 pouces, SSP Description

La plaquette de silicium de type P (100) Dia. 5 pouces, SSP est fabriquée à partir de silicium de haute pureté avec une orientation cristallographique définie (100). Son diamètre de 5 pouces est maintenu dans des tolérances de planéité strictes, ce qui garantit sa compatibilité avec l'équipement standard de fabrication de semi-conducteurs. Le profil d'impureté contrôlé et la finition de surface uniforme du substrat permettent un dépôt de couche précis pour la fabrication de dispositifs électroniques avancés, tout en réduisant la propagation des défauts pendant le traitement.

Plaquette de silicium de type P (100) Dia. 5 pouces, SSP Applications

Électronique
- Utilisé comme substrat dans la fabrication de circuits intégrés pour minimiser la propagation des défauts en tirant parti de profils de dopage uniformes.
- Utilisé comme base pour les dispositifs microélectroniques afin de faciliter le dépôt efficace de couches minces grâce à une orientation cristallographique contrôlée.

Industrie
- Ce substrat sert de composant clé dans les systèmes de contrôle des processus pour obtenir des traitements thermiques cohérents en tirant parti de sa planéité et de sa composition régulée.

Recherche
- Utilisé dans les expériences de caractérisation des matériaux pour étudier la croissance des couches épitaxiales en tirant parti de ses propriétés de surface bien définies.

Plaquette de silicium de type P (100) Dia. 5 pouces, emballage SSP

La plaquette de silicium de type P (100) Dia. 5 pouces, SSP est emballé dans des supports de qualité salle blanche avec des inserts en mousse antistatique et des barrières de matériaux inertes pour prévenir la contamination. Les plaquettes sont scellées dans des conteneurs résistants à l'humidité et stockées dans des environnements à température contrôlée. Les options d'emballage peuvent être personnalisées pour répondre à des exigences spécifiques en matière de manutention et de transport, afin de garantir que les substrats restent physiquement et chimiquement intacts tout au long de l'expédition et du stockage.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment l'orientation cristallographique (100) améliore-t-elle la fabrication de dispositifs semi-conducteurs ?
R1 : L'orientation (100) offre un arrangement atomique de surface uniforme, ce qui améliore la croissance de la couche épitaxiale et minimise la propagation des défauts. Cette structure contrôlée favorise une intégration fiable des dispositifs en facilitant l'obtention de caractéristiques électriques cohérentes sur l'ensemble de la plaquette.

Q2 : Quelles sont les procédures de manipulation recommandées pour une plaquette de silicium de 5 pouces dans un environnement de fabrication ?
R2 : Il est conseillé de manipuler la plaquette avec des gants isolés dans une salle blanche, en utilisant des outils qui minimisent les contraintes mécaniques. Le substrat doit être stocké dans des supports antistatiques et maintenu à des températures contrôlées pour éviter la contamination et les dommages de surface.

Q3 : Cette plaquette peut-elle être facilement intégrée dans un équipement standard de traitement des semi-conducteurs ?
R3 : Oui, le diamètre standard de 5 pouces de la plaquette et les propriétés contrôlées de sa surface garantissent sa compatibilité avec les équipements classiques de traitement des semi-conducteurs. Ses paramètres bien réglés permettent de l'intégrer dans les flux de fabrication établis.

Informations complémentaires

Les plaquettes de silicium sont les substrats de base de la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs. Les orientations cristallographiques contrôlées et les profils d'impuretés sont des paramètres critiques qui influencent les dépôts de couches ultérieurs et les performances des dispositifs. Les techniques avancées de production de plaquettes, telles que la croissance épitaxiale et le tranchage de précision, garantissent que les substrats répondent aux exigences rigoureuses des processus modernes de microfabrication.

Comprendre l'interaction entre la pureté des matériaux, la cristallographie et l'état de surface est essentiel pour des applications allant de la microélectronique à la recherche sur les circuits intégrés. Cette perspective plus large aide les ingénieurs à optimiser les techniques de traitement et à améliorer les performances globales des dispositifs.