CY9509 Plaquette de silicium Type P (100) Dia. 4 pouces, SSP

Plaquette de silicium Type P (100) Dia. 4 pouces, SSP Description

La plaquette de silicium de type P (100) Dia. 4 inch, SSP est un substrat de type p, dopé au bore avec une orientation (100) bien définie. Son diamètre de 4 pouces est optimisé pour l'intégration dans l'équipement standard de traitement des semi-conducteurs. La cristallographie contrôlée de la plaquette et la densité minimale des défauts permettent d'obtenir des performances électriques constantes et une reproduction fiable du processus pendant la fabrication des dispositifs.

Plaquette de silicium de type P (100) Dia. 4 pouces, SSP Applications

Applications électroniques et semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans la fabrication de micropuces pour obtenir des profils de dopage uniformes en tirant parti de son orientation (100).
- Utilisé dans la fabrication de capteurs pour assurer un comportement électrique cohérent grâce à sa cristallinité contrôlée.

Applications industrielles
- Utilisé comme plateforme de test de circuits intégrés pour faciliter l'analyse des défauts grâce à sa finition de surface précise.

Recherche et développement
- Sert de base à l'expérimentation des semi-conducteurs pour évaluer les variations de processus en capitalisant sur son traitement SSP normalisé.

Plaquette de silicium de type P (100) Dia. 4 pouces, emballage SSP

La plaquette est scellée individuellement dans un conteneur antistatique doublé de mousse et placée dans une pochette anti-poussière pour éviter les contraintes mécaniques et la contamination. Il est recommandé de contrôler la température et l'humidité pendant le stockage et le transport. Les clients peuvent demander des options d'emballage personnalisées, y compris un emballage sous vide ou compartimenté, afin de renforcer la protection contre la contamination.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quels sont les tests de contrôle de la qualité effectués pendant la production des plaquettes ?
R1 : SAM utilise la diffraction des rayons X et l'inspection optique pour évaluer l'orientation cristallographique et l'intégrité de la surface. Cela garantit que la plaquette conserve des profils de dopage uniformes et une densité de défauts minimale, ce qui est essentiel pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

Q2 : Quels sont les avantages de l'orientation (100) pour le traitement des semi-conducteurs ?
R2 : L'orientation (100) favorise un dopage uniforme et réduit la variabilité de la gravure lors de la mise en forme des dispositifs. Ces propriétés simplifient l'intégration du processus dans l'équipement standard tout en améliorant la reproductibilité des caractéristiques électriques.

Q3 : Quelles sont les conditions de stockage nécessaires pour ces plaquettes ?
R3 : Les plaquettes doivent être stockées dans un environnement contrôlé, à faible humidité et dans un emballage antistatique. Cela permet d'éviter la contamination et les dommages physiques pendant le transport et de garantir que la plaquette conserve ses propriétés électriques et structurelles spécifiées.

Informations complémentaires

Les plaquettes de silicium constituent le matériau de base de la fabrication des semi-conducteurs, où la distribution contrôlée des dopants et l'orientation cristallographique sont essentielles. Des méthodes de caractérisation détaillées, telles que la diffraction des rayons X et la microscopie électronique, permettent d'évaluer les propriétés des plaquettes, telles que la résistivité et l'uniformité de la surface, qui sont essentielles à la fiabilité des performances des dispositifs.

Les progrès réalisés dans les techniques de croissance cristalline et de traitement continuent d'affiner la qualité et le contrôle dimensionnel des plaquettes de silicium. Ces améliorations permettent non seulement de renforcer la cohérence des dispositifs semi-conducteurs, mais aussi de poursuivre la miniaturisation et l'optimisation des performances dans le domaine de la recherche et de la production microélectroniques.