CY9507 Plaquette de silicium Type P (100) Dia. 2 pouces, SSP

Plaquette de silicium Type P (100) Dia. 2 pouces, SSP Description

La plaquette de silicium (Si) avec un dopage de type P et une orientation cristallographique (100) sert de substrat fondamental pour les processus semi-conducteurs. Le diamètre de 2 pouces assure la compatibilité avec l'équipement de fabrication standard. La plaquette subit une diffusion contrôlée du dopant et des traitements à faible contrainte thermique pour réduire la densité des dislocations. Le polissage de la surface SSP améliore l'uniformité lors des processus de dépôt et de gravure ultérieurs, ce qui facilite la reproductibilité des résultats dans la fabrication des circuits intégrés.

Plaquette de silicium de type P (100) Dia. 2 pouces, SSP Applications

1)Applications électroniques et semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans la fabrication de circuits intégrés pour obtenir une distribution uniforme des dopants en tirant parti d'une diffusion contrôlée.
- Utilisé dans la fabrication de cellules photovoltaïques pour améliorer l'efficacité de la conversion énergétique grâce à des propriétés de surface optimisées.

2)Applications industrielles
- Utilisé comme base dans les réseaux de capteurs MEMS pour générer des signaux électriques précis en tirant parti de la faible densité de dislocation.

Plaquette de silicium de type P (100) Dia. 2 pouces, emballage SSP

La plaquette de silicium est emballée dans un conteneur antistatique avec un rembourrage en mousse pour éviter les dommages mécaniques et particulaires. Elle est stockée sous atmosphère d'azote pour réduire l'oxydation et l'absorption d'humidité. Chaque unité est scellée dans un sac plastique spécialisé et placée dans un carton rigide. Des options personnalisées pour les dimensions, l'étiquetage et la compartimentation sont disponibles pour répondre aux exigences spécifiques de manipulation et de stockage.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quelles sont les méthodes de test utilisées pour vérifier l'uniformité du dopant de la plaquette ?
R1 : SAM utilise des inspections optiques, la microscopie électronique et la spectroscopie à rayons X à dispersion d'énergie pour évaluer la distribution du dopant sur la plaquette. Ces méthodes permettent de détecter les variations potentielles susceptibles d'affecter le traitement ultérieur des semi-conducteurs.

Q2 : Quel est l'impact de l'orientation cristallographique (100) sur les processus de fabrication ?
R2 : L'orientation (100) permet d'obtenir des modèles de gravure et de dépôt prévisibles, qui sont essentiels pour le transfert de modèles dans la fabrication de circuits intégrés. Cette orientation favorise le contrôle et la cohérence des processus.

Q3 : Quelles sont les conditions de stockage qui permettent de préserver l'intégrité de la surface des plaquettes ?
R3 : Les plaquettes doivent être stockées dans un environnement à faible humidité et à température contrôlée, avec une exposition minimale à l'oxygène. Un emballage antistatique et une purge à l'azote sont recommandés pour éviter la contamination et la détérioration de la surface.

Informations complémentaires

Les substrats de silicium constituent le matériau de base pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs et sont essentiels à l'évolution de l'électronique moderne. Les analyses détaillées des niveaux de dopants, de la densité de dislocation et de l'orientation cristallographique permettent d'améliorer les techniques de microfabrication et d'optimiser les paramètres du processus, ce qui permet d'améliorer l'intégration et les performances des dispositifs électroniques.

La recherche sur le traitement du silicium affine continuellement les méthodes de gravure, de diffusion et de dépôt. Les progrès des techniques d'analyse, notamment la microscopie électronique et la spectroscopie, fournissent un retour d'information essentiel pour l'ajustement des processus. Ce processus itératif permet la fabrication fiable de circuits intégrés et d'autres composants semi-conducteurs, contribuant ainsi aux progrès constants de la technologie électronique.