CY9497 Plaquette de silicium ultra-plate de type P, Dia. 8 pouces x 725 μm d'épaisseur

Plaquette de silicium ultra-plate de type P, Dia. 8 pouces x 725 μm d'épaisseur Description

La plaquette de silicium ultraplate de type P, Dia. 8 pouces x 725 μm d'épaisseur est une plaquette de silicium coupée avec précision et dopée au type P, ce qui la rend adaptée au traitement des semi-conducteurs et à la recherche avancée. Le diamètre de 8 pouces facilite la compatibilité avec les équipements de production standard, tandis que l'épaisseur de 725 μm offre une stabilité mécanique suffisante pendant le traitement à haute température. L'état de surface uniforme minimise les erreurs de lithographie et améliore les performances des dispositifs dans de multiples environnements opérationnels.

Plaquette de silicium ultra-plate de type P, Dia. 8 pouces x 725 μm d'épaisseur Applications

Électronique et traitement des semi-conducteurs
- Utilisée comme substrat dans la fabrication de circuits intégrés pour obtenir un minimum de défauts de surface en tirant parti de sa surface ultraplate, assurant une lithographie et un transfert de modèle précis.

Recherche et développement
- Utilisé comme spécimen d'essai dans les études de science des matériaux pour observer le comportement des dopants en utilisant ses caractéristiques de type P constantes, ce qui facilite la reproductibilité des expériences.

Optoélectronique
- Sert de base à la fabrication de dispositifs photoniques pour maintenir une propagation uniforme de la lumière en tirant parti de son épaisseur contrôlée et de sa géométrie plate, ce qui améliore l'efficacité des dispositifs.

Plaquette de silicium ultra-plate de type P, Dia. 8 pouces x 725 μm d'épaisseur Emballage

La plaquette est emballée en toute sécurité dans un support antistatique et placée dans des conteneurs doublés de mousse pour atténuer les contraintes mécaniques. Elle est scellée dans un sachet à faible humidité pour minimiser la contamination et maintenir l'intégrité de la surface. L'emballage comprend un étiquetage personnalisé et des inserts de protection optionnels selon les exigences de la commande. Le stockage est recommandé dans une salle blanche à température et humidité contrôlées afin de préserver les propriétés de la plaquette.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quels sont les avantages de la surface ultraplate de la plaquette pour le traitement des semi-conducteurs ?
R1 : La surface ultraplate minimise les variations topographiques, ce qui est essentiel lors de la photolithographie. Cette uniformité améliore la précision du modèle et réduit la variabilité du processus dans la fabrication des circuits intégrés.

Q2 : Quelles sont les mesures prises pour préserver la qualité de la surface de la plaquette ?
R2 : La plaquette subit un traitement de surface méticuleux et est inspectée à l'aide d'un microscope à haute résolution. Ces méthodes permettent de détecter et de contrôler les imperfections, ce qui garantit que la plaquette répond aux critères de planéité rigoureux exigés par les processus de fabrication des semi-conducteurs.

Q3 : La plaquette peut-elle supporter un traitement à haute température sans déformation ?
A3 : Oui. L'épaisseur spécifiée de 725 μm offre une stabilité mécanique suffisante pendant le traitement à haute température, ce qui réduit la probabilité de déformation. Cette stabilité est importante pour maintenir les performances au cours des étapes de fabrication ultérieures.

Informations complémentaires

Les plaquettes de silicium constituent l'épine dorsale de la fabrication des dispositifs semi-conducteurs. Les variations du type et de la concentration des dopants permettent d'adapter les propriétés électriques à des applications spécifiques. Le contrôle précis de l'épaisseur et de la planéité de la surface est essentiel pour obtenir des performances constantes dans les dispositifs microélectroniques.

Les processus de traitement de surface avancés, y compris le polissage chimico-mécanique et l'amincissement contrôlé, sont essentiels pour produire des substrats présentant un minimum de défauts. Ces méthodologies soutiennent les activités de recherche et de fabrication en garantissant que les spécifications dimensionnelles et de surface sont conformes aux exigences rigoureuses des applications modernes des semi-conducteurs et de l'optoélectronique.