CY9496 Plaquette de silicium ultra-plate de type P, Dia. 6 pouces x 675 μm d'épaisseur

Plaquette de silicium ultra-plate de type P, Dia. 6 pouces x 675 μm d'épaisseur Description

La plaquette de silicium ultraplate de type P, Dia. 6 pouces x 675 μm d'épaisseur est un substrat de silicium conçu pour les applications de semi-conducteurs et de microélectronique. Son diamètre de 6 pouces et son épaisseur de 675 μm sont conformes aux normes d'équipement établies, tandis que le dopage contrôlé de type P optimise la concentration des porteurs de charge. La plaquette est traitée à l'aide d'une combinaison de planarisation chimique et mécanique afin de minimiser la rugosité de la surface. Sa surface lisse facilite la précision du marquage lithographique et l'intégration des processus dans la fabrication des dispositifs.

Plaquette de silicium ultra-plate de type P, Dia. 6 pouces x 675 μm d'épaisseur Applications

Fabrication de produits électroniques et de semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans la fabrication de circuits intégrés pour obtenir un modelage précis en tirant parti de sa surface ultraplate.
- Utilisé comme matériau de base dans la production de cellules solaires pour assurer une conversion photovoltaïque efficace grâce à son dopage contrôlé.

Recherche et développement
- Utilisé dans des expériences de science des matériaux pour analyser les propriétés électroniques en tirant parti de sa surface uniforme.
- Utilisé dans la fabrication de capteurs pour obtenir des réponses électromécaniques précises en tirant parti de son profil de dopage stable.

Plaquette de silicium ultra-plate de type P, Dia. 6 pouces x 675 μm d'épaisseur Emballage

La plaquette est emballée dans un conteneur dissipateur d'électricité statique avec un insert en mousse pour la protéger des chocs physiques et de la contamination. Elle est enfermée dans une pochette antistatique et scellée dans un emballage résistant à l'humidité. Un stockage à température contrôlée est recommandé pour préserver l'intégrité du matériau. Des options d'emballage personnalisées, telles que des conteneurs compatibles avec les salles blanches et des exigences d'étiquetage spécifiques, peuvent être organisées sur demande.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quelles sont les étapes de traitement qui garantissent la planéité de la surface de la plaquette ?
R1 : La plaquette subit un polissage chimique-mécanique suivi d'une inspection interférométrique. Ces étapes minimisent les micro-rugosités et garantissent que la surface répond aux exigences strictes de planéité requises pour la lithographie des semi-conducteurs et l'intégration des dispositifs.

Q2 : Comment le dopage de type P influence-t-il les performances électriques ?
R2 : Le dopage de type P contrôlé ajuste la concentration de porteurs, ce qui est crucial pour atteindre les propriétés électriques cibles dans les dispositifs à semi-conducteurs. Cet ajustement permet de réduire les courants de fuite et d'obtenir des performances constantes dans diverses conditions de traitement.

Q3 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour la plaquette de silicium ?
R3 : La plaquette doit être stockée dans un environnement à température contrôlée et à faible taux d'humidité, en utilisant un emballage antistatique et des films anti-humidité. Un stockage adéquat minimise la contamination et préserve les caractéristiques de surface précises nécessaires au traitement ultérieur.

Informations complémentaires

Les substrats en silicium sont essentiels pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs avancés en raison de leur stabilité cristalline et de leurs propriétés électroniques bien comprises. L'uniformité de la structure cristalline du silicium permet une intégration à haute densité et des performances fiables à travers divers processus de fabrication.

Les progrès des techniques de planarisation et de dopage continuent d'améliorer la planéité et l'uniformité électrique des tranches de silicium. Ces améliorations sont essentielles car les fabricants s'orientent vers des nœuds de processus plus petits et des architectures de dispositifs plus complexes. Le perfectionnement continu des méthodes de fabrication facilite la recherche et le développement, en permettant des simulations plus précises et des validations expérimentales dans le domaine de la science des matériaux.