CY9495 Plaquette de silicium ultra-plate de type P, Dia. 4 pouces x 525 μm d'épaisseur

Plaquette de silicium ultra-plate de type P, Dia. 4 pouces x 525 μm d'épaisseur Description

La plaquette de silicium ultraplate de type P, Dia. 4 pouces x 525 μm d'épaisseur est fabriquée à partir de Si (silicium) de haute pureté et est conçue pour offrir une surface uniforme et atomiquement lisse. Le diamètre de 4 pouces est conforme à l'équipement standard de traitement des semi-conducteurs, tandis que l'épaisseur de 525 μm garantit la stabilité mécanique et la facilité de manipulation lors des étapes de traitement ultérieures. Son dopage de type p facilite la conductivité contrôlée pour les applications de dispositifs. La planéité du substrat est essentielle pour le dépôt uniforme de couches minces, ce qui le rend adapté à la fabrication de circuits intégrés avancés et au prototypage de dispositifs.

Plaquette de silicium ultra-plate de type P, Dia. 4 pouces x 525 μm d'épaisseur Applications

1.électronique
- Utilisé comme substrat dans la fabrication de circuits intégrés pour obtenir des couches de dépôt uniformes en tirant parti de sa surface ultraplate pour un modelage photolithographique précis.
- Appliqué comme matériau de base dans les dispositifs MEMS pour atteindre une stabilité dimensionnelle grâce à une épaisseur contrôlée, améliorant ainsi la fiabilité du dispositif.

2.traitement industriel
- Employé comme plaquette de support dans la fabrication de semi-conducteurs pour minimiser les irrégularités de surface en tirant parti de sa planéité et de son épaisseur contrôlées.
- Utilisé dans les installations de recherche avancée comme norme d'étalonnage, offrant une interface lisse qui permet des mesures reproductibles et le prototypage de dispositifs.

Plaquette de silicium ultra-plate de type P, Dia. 4 pouces x 525 μm d'épaisseur Emballage

La plaquette est emballée dans un conteneur antistatique doublé de mousse pour éviter les dommages mécaniques et la contamination. Elle est scellée dans un environnement propre et peu humide afin de préserver l'intégrité de la surface pendant le transport et le stockage. Le rembourrage protecteur et les matériaux d'emballage inertes réduisent le risque de contamination particulaire. Des options d'emballage personnalisé, notamment des sachets sous vide et des conteneurs étiquetés, sont disponibles pour répondre à des exigences spécifiques en matière de manipulation et d'environnement.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment la planéité de la surface est-elle vérifiée pendant la production ?
R1 : La planéité de la surface est vérifiée à l'aide de mesures interférométriques et de la microscopie à force atomique. Ces techniques garantissent que la plaquette répond aux critères de planéité précis requis pour les processus de semi-conducteurs à haute résolution, tout en détectant les irrégularités de surface dès le début de la production.

Q2 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour la plaquette ?
R2 : La plaquette doit être stockée dans un environnement à température contrôlée (environ 20-25°C) avec une faible humidité relative. Un emballage antistatique et une salle blanche contrôlée sont recommandés pour éviter la contamination par les particules et l'humidité, afin de garantir la stabilité des propriétés de la plaquette.

Q3 : Cette plaquette peut-elle être intégrée dans des processus de fabrication de semi-conducteurs standard ?
A3 : Oui, son diamètre de 4 pouces et son épaisseur de 525 μm s'alignent sur les équipements standard de l'industrie. La surface ultraplate contribue à un dépôt cohérent de couches minces et à une meilleure résolution des motifs, ce qui la rend hautement compatible avec diverses techniques de fabrication de semi-conducteurs.

Informations complémentaires

Les plaquettes de silicium sont essentielles à la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs, car elles servent de plate-forme de départ pour les circuits intégrés et les dispositifs MEMS. La nature ultraplate de ces plaquettes minimise les défauts lors du dépôt du film, ce qui améliore l'uniformité du dispositif. Les progrès de la métrologie et des techniques de traitement de surface continuent d'élever les normes de performance dans la production de plaquettes.

L'évolution technique des substrats en silicium a été motivée par la demande de précision dans la microfabrication. La caractérisation détaillée de la surface, y compris l'interférométrie et les évaluations AFM, joue un rôle crucial en garantissant que chaque plaquette présente le degré élevé de planéité nécessaire aux activités de recherche et de développement de niveau supérieur dans le domaine de la fabrication de semi-conducteurs.