CY9494 Plaquette de silicium avec 50 nm de type P en argent, Dia. 2 pouces x 525 μm d'épaisseur

Plaquette de silicium avec 50 nm de type P en argent, Dia. 2 pouces x 525 μm d'épaisseur Description

La plaquette de silicium incorpore un revêtement de type P argenté de 50 nm, d'un diamètre de 2 pouces et d'une épaisseur de 525 μm. La couche d'argent améliore la connectivité électrique tandis que le dopage contrôlé favorise l'intégration de circuits spécifiques. Les dimensions standard garantissent la compatibilité avec les outils conventionnels de traitement des semi-conducteurs. Les mesures de contrôle de la qualité, notamment l'inspection de la surface et la cartographie des défauts, permettent d'obtenir les performances électriques constantes requises pour le prototypage de dispositifs et les applications de recherche.

Plaquette de silicium avec 50 nm de type P en argent, Dia. 2 pouces x 525 μm d'épaisseur Applications

Électronique
- Utilisé comme substrat actif dans les cellules photovoltaïques pour améliorer la dynamique des porteurs de charge en tirant parti du dopage uniforme à l'argent.
- Appliqué comme couche fondamentale dans les circuits intégrés pour obtenir une conductivité contrôlée en tirant parti d'une tolérance d'épaisseur précise.

Industrie
- Utilisé comme substrat dans les capteurs semi-conducteurs pour obtenir une modulation précise du signal en s'appuyant sur des normes de dopage et de fabrication cohérentes.

Recherche
- Utilisé comme échantillon d'essai dans le développement de processus semi-conducteurs pour évaluer l'efficacité du dopage en tirant parti du dépôt contrôlé d'argent.

Plaquette de silicium avec 50 nm d'argent de type P, Dia. 2 pouces x 525 μm d'épaisseur Emballage

Les plaquettes sont fixées individuellement dans des supports dissipateurs d'électricité statique et enfermées dans des conteneurs scellés pour éviter toute contamination. Des inserts en mousse sur mesure amortissent les chocs mécaniques pendant le transport. Il est recommandé de stocker le produit dans un environnement sec et à température contrôlée. Des configurations d'étiquetage et d'emballage personnalisées sont disponibles pour répondre aux protocoles de manipulation spécifiques pour les applications de recherche sensibles.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment la couche d'argent de 50 nm est-elle vérifiée ?
R1 : La couche d'argent de 50 nm est vérifiée à l'aide de techniques de métrologie de surface, notamment la microscopie électronique à balayage (MEB) et l'ellipsométrie, étalonnées par rapport aux normes industrielles afin de garantir un dépôt uniforme sur l'ensemble de la plaquette.

Q2 : Comment la plaquette favorise-t-elle la fabrication de dispositifs semi-conducteurs ?
R2 : Les dimensions précises et le dopage de type P contrôlé facilitent l'intégration dans les processus de fabrication des semi-conducteurs. La compatibilité avec les équipements de traitement standard garantit des caractéristiques électriques reproductibles et des performances optimales des dispositifs pendant la fabrication.

Q3 : Quelles sont les meilleures pratiques pour le stockage de ces plaquettes ?
R3 : Les plaquettes doivent être stockées dans des conditions de température contrôlée et de faible humidité, dans des conteneurs exempts d'électricité statique. Cela minimise le risque de dommages physiques ou électrostatiques et préserve l'intégrité de la surface pour le traitement ultérieur.

Informations complémentaires

Les plaquettes de silicium sont des composants fondamentaux dans la fabrication des semi-conducteurs, servant de base aux circuits intégrés et à divers appareils électroniques. L'intégration d'une couche d'argent comme dopant modifie les propriétés électriques, ce qui est essentiel pour adapter les performances des dispositifs. Ces modifications nécessitent un contrôle précis des paramètres de dépôt et une analyse complète des défauts, afin de s'assurer que la plaquette répond aux normes strictes de la recherche et du développement.

Les tendances récentes dans le traitement des semi-conducteurs se sont concentrées sur l'obtention d'une uniformité à l'échelle nanométrique dans les revêtements métalliques et le dopage, ce qui est essentiel pour améliorer les performances microélectroniques. Les ingénieurs intègrent des processus rigoureux de contrôle de la qualité, y compris des inspections optiques en ligne et une métrologie avancée, afin de maintenir l'uniformité requise pour les applications de fabrication et de recherche à haute performance.