CY9493 Plaquette de silicium avec 50 nm de type P en argent, Dia. 4 pouces x 525 μm d'épaisseur

Plaquette de silicium avec 50 nm de type P en argent, Dia. 4 pouces x 525 μm d'épaisseur Description

La plaquette de silicium avec 50 nm de type P argenté, Dia. 4 pouces x 525 μm d'épaisseur est un substrat de silicium de type p comportant une couche d'argent de 50 nm déposée uniformément. Le diamètre de 4 pouces et l'épaisseur de 525 μm sont des dimensions standard compatibles avec les équipements de traitement des semi-conducteurs. La couche d'argent sert à améliorer la conductivité localisée et les caractéristiques de l'interface, garantissant une diffusion contrôlée des dopants pendant la fabrication des dispositifs tout en soutenant les techniques d'intégration avancées.

Plaquette de silicium avec 50 nm d'argent de type P, Dia. 4 pouces x 525 μm d'épaisseur Applications

Fabrication de produits électroniques et de semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans les circuits intégrés pour obtenir des performances électriques précises en tirant parti du revêtement d'argent contrôlé.
- Appliqué dans l'assemblage de dispositifs photovoltaïques pour améliorer la formation des contacts et la conductivité uniforme en utilisant les propriétés de type p.

Traitement industriel
- Utilisé dans la fabrication de capteurs pour améliorer la précision de la réponse grâce à des propriétés matérielles cohérentes, améliorant ainsi l'intégrité du signal dans les systèmes de surveillance industriels.

Plaquette de silicium avec type P en argent de 50 nm, Dia. 4 pouces x 525 μm d'épaisseur Emballage

La plaquette est emballée dans un support rigide antistatique avec un rembourrage en mousse pour réduire les contraintes mécaniques et la contamination. Elle est scellée dans un sac anti-humidité avec des inserts déshydratants et placée dans un conteneur absorbant les chocs. L'emballage permet un étiquetage personnalisé et une compartimentation pour répondre aux exigences de manipulation et de stockage. Des conditions de stockage contrôlées et des mesures anti-contamination standardisées garantissent que le substrat reste intact jusqu'à son traitement.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment la couche d'argent de 50 nm affecte-t-elle les caractéristiques de traitement de la plaquette ?
R1 : La couche d'argent uniforme de 50 nm aide à établir une diffusion contrôlée du dopant pendant les processus thermiques. Elle fournit une interface cohérente qui peut avoir un impact sur la résistance de contact et la conductivité, essentielles lors de la fabrication des dispositifs.

Q2 : Quelles sont les considérations à prendre en compte pour la manipulation d'une plaquette de 4 pouces et de 525 μm d'épaisseur pendant le traitement ?
R2 : Les dimensions de la plaquette exigent une compatibilité avec les outils de manipulation standard, et sa finesse inhérente nécessite une manipulation soigneuse pour éviter les fractures. Des outils d'alignement de précision et des mesures antistatiques sont recommandés.

Q3 : Comment SAM vérifie-t-il la qualité du dépôt d'argent et de l'ensemble du substrat ?
R3 : SAM utilise la métrologie de surface et l'analyse de la composition, y compris la microscopie électronique et la diffraction des rayons X, pour confirmer l'épaisseur uniforme de l'argent et la clarté de la structure cristallographique. Ces étapes permettent d'identifier les écarts par rapport aux paramètres spécifiés dès le début du cycle de production.

Informations complémentaires

Les plaquettes de silicium constituent l'épine dorsale de la fabrication des dispositifs semi-conducteurs. Leurs propriétés, telles que le dopage contrôlé et l'uniformité de la surface, sont essentielles à la performance des circuits intégrés et des cellules photovoltaïques. La technologie avancée des plaquettes de silicium évolue constamment pour répondre aux exigences de la microélectronique moderne.

L'intégration d'une fine couche d'argent dans les plaquettes de silicium introduit un contrôle supplémentaire du processus, permettant des caractéristiques électroniques plus prévisibles. La recherche dans ce domaine se concentre souvent sur l'optimisation des techniques de dépôt et sur la garantie de la cohérence entre les lots, ce qui est crucial pour les environnements de fabrication à haut débit.