CY9492 Substrat de plaquette de silicium de type N (dopé P) de 100 mm, qualité supérieure (100), SSP, 0.001-0.01 ohm-cm

Substrat de plaquette de silicium de type N (dopé P) de 100 mm, qualité première (100), SSP, 0,001-0,01 ohm-cm Description

La plaquette est fabriquée à partir de silicium de haute pureté avec une orientation de première qualité (100), garantissant des propriétés cristallographiques optimales pour l'intégration des dispositifs. Le dopage de type N avec incorporation contrôlée de P produit une plage de résistivité de 0,001-0,01 ohm-cm, essentielle pour un comportement électronique précis. La finition SSP offre une surface lisse et sans défaut, propice au traitement des semi-conducteurs à haut rendement. La distribution uniforme des dopants et les faibles niveaux de contamination assurent des performances électriques constantes sur l'ensemble de la plaquette.

Substrat de plaquette de silicium de 100 mm de type N (dopé P) Prime Grade (100), SSP, 0.001-0.01 ohm-cm Applications

Électronique
- Utilisé comme substrat pour les circuits intégrés dans les dispositifs semi-conducteurs afin d'obtenir des profils de dopage contrôlés en tirant parti de son orientation définie (100) et de sa finition SSP.
- Utilisé comme matériau de base dans la fabrication de transistors à grande vitesse pour obtenir une faible perte de signal en utilisant sa plage de résistivité spécifiée.

Industrie
- Utilisé dans les réseaux de capteurs pour garantir des caractéristiques électriques stables en tirant parti d'un dopage P uniforme, qui minimise la variabilité dans des conditions environnementales variables.
- Appliqué comme couche de base dans les systèmes microélectromécaniques pour garantir un comportement électronique précis grâce à l'orientation contrôlée des cristaux.

Plaque de silicium de 100 mm de type N (dopé P) Substrat Prime Grade (100), SSP, 0,001-0,01 ohm-cm Emballage

Les plaquettes sont emballées individuellement dans des supports antistatiques avec un rembourrage en mousse et scellées dans des sachets anti-humidité afin d'éviter toute contamination et tout dommage mécanique. Elles doivent être stockées dans un environnement propre et à température contrôlée pour éviter les contraintes thermiques et l'oxydation. Des options d'emballage personnalisées, y compris le scellement sous vide et les environnements à gaz inerte, sont disponibles pour répondre à des exigences de stockage spécifiques.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment la planéité des plaquettes et la minimisation des défauts sont-elles assurées pendant la production ?
R1 : SAM utilise un traitement chimique précis et des inspections SEM à haute résolution pour contrôler l'uniformité de la surface et la densité des défauts. Ce processus évalue les variations d'épaisseur d'un côté à l'autre de la plaquette et minimise les micro-défauts, garantissant ainsi une planéité constante des plaquettes pour les applications de semi-conducteurs.

Q2 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour ces plaquettes de silicium ?
R2 : Conservez les plaquettes dans un environnement contrôlé, à faible humidité et à une température ambiante stable. Utilisez un emballage antistatique et résistant à l'humidité pour éviter la contamination et les contraintes mécaniques lors de la manipulation et du transport.

Q3 : Comment le processus de production permet-il de maintenir la plage de résistivité spécifiée ?
R3 : Le processus de fabrication comprend un dopage P contrôlé et un contrôle de la résistivité en cours de fabrication. Cela garantit que chaque plaquette reste dans la plage de 0,001-0,01 ohm-cm, ce qui permet d'obtenir les performances électriques constantes nécessaires à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs avancés.

Informations complémentaires

Les plaquettes de silicium constituent le matériau de base de la technologie des semi-conducteurs, où le contrôle précis de la distribution des dopants et de l'orientation cristallographique est vital. La combinaison de propriétés électriques bien définies et de la qualité de la surface influence directement les performances des dispositifs et la complexité de l'intégration. Une métrologie détaillée et des conditions de traitement contrôlées sont essentielles pour obtenir les caractéristiques nuancées des matériaux requises dans les systèmes électroniques modernes.

Les progrès des techniques de dopage et des méthodes de traitement de surface continuent d'améliorer les performances des plaquettes. Ces développements améliorent non seulement la fiabilité des dispositifs semi-conducteurs, mais permettent également une miniaturisation et une intégration plus poussées dans diverses industries de haute technologie.