CY9491 150 mm Type P (dopé B) Substrat de plaquette de silicium Prime Grade (100), SSP, 10-20 ohm-cm

Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé au B) de 150 mm Prime Grade (100), SSP, 10-20 ohm-cm Description

Ce substrat est fabriqué à partir de silicium de haute pureté avec un dopage au bore contrôlé pour obtenir une plage de résistivité de 10-20 ohm-cm. L'orientation cristallographique (100) fournit une surface uniforme idéale pour les processus de circuits intégrés. Le diamètre de 150 mm permet l'utilisation d'équipements de fabrication de semi-conducteurs standard, ce qui garantit la compatibilité avec les outils de traitement existants. Le contrôle de la qualité comprend une inspection optique de l'uniformité de la surface et de la minimisation des défauts.

Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) de 150 mm Prime Grade (100), SSP, 10-20 ohm-cm Applications

Fabrication de produits électroniques et de semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans les circuits intégrés pour obtenir une distribution uniforme des dopants en tirant parti d'une résistivité contrôlée, ce qui améliore les performances du dispositif.
- Utilisé dans la fabrication de puces mémoire pour garantir des caractéristiques électriques cohérentes grâce à un alignement cristallographique précis.

Dispositifs optoélectroniques
- Utilisé comme base dans les réseaux de capteurs pour améliorer l'uniformité du signal en tirant parti de la pureté du matériau et de la finition contrôlée de la surface, ce qui garantit une réponse précise à la lumière.

Plaquette de silicium de type P (dopé B) de 150 mm Substrat Prime Grade (100), SSP, 10-20 ohm-cm Emballage

Les plaquettes sont emballées dans un plateau antistatique et rembourré, placé dans un conteneur scellé et résistant à l'humidité, afin d'éviter toute contamination particulaire et tout dommage mécanique. Le stockage est recommandé dans un environnement propre et à température contrôlée. D'autres options de personnalisation, telles que des supports étiquetés individuellement et l'inclusion de déshydratants, sont disponibles pour répondre à des exigences de manipulation spécifiques.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment la plage de résistivité spécifiée affecte-t-elle les applications électroniques ?
R1 : La plage de résistivité de 10 à 20 ohm-cm permet de contrôler la concentration des porteurs, ce qui garantit des caractéristiques électriques uniformes cruciales pour les performances des dispositifs dans les applications de semi-conducteurs. Elle permet un contrôle cohérent de la tension de seuil et réduit la variabilité lors de la fabrication des circuits.

Q2 : Quelles sont les mesures de contrôle de la qualité mises en œuvre pour vérifier la planéité du substrat ?
R2 : La planéité de la surface est contrôlée à l'aide de la profilométrie optique, qui prend des mesures précises pour garantir un gauchissement et des défauts minimaux. Ce processus est essentiel pour maintenir la cohérence de l'interface au cours des étapes de traitement ultérieures dans la fabrication des circuits intégrés.

Q3 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour ces plaquettes ?
R3 : Les plaquettes doivent être stockées dans un environnement propre, à température contrôlée et à faible taux d'humidité. Un emballage protecteur, tel que des plateaux antistatiques et des conteneurs résistants à l'humidité, est essentiel pour éviter la contamination et les dommages mécaniques pendant le stockage.

Informations complémentaires

Les plaquettes de silicium constituent l'élément fondamental de la fabrication des dispositifs semi-conducteurs. Le contrôle précis des niveaux de dopants et de l'orientation des cristaux est essentiel pour déterminer les propriétés électriques requises lors du traitement des dispositifs. Les plaquettes de type P, qui impliquent un dopage au bore, sont largement utilisées dans les processus CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) et servent de substrat pour de nombreux composants électroniques.

Les progrès des techniques de fabrication, notamment le dépôt chimique en phase vapeur et les méthodes de gravure avancées, ont permis d'améliorer la qualité globale et la cohérence de ces substrats. Il est essentiel de comprendre l'interaction entre la concentration de dopants, la résistivité et l'orientation cristallographique pour optimiser les performances des dispositifs dans les circuits intégrés à haute densité.