CY9489 Substrat de substrat de silicium de type P (dopé B) de 300 mm, qualité d'essai (100), DSP, 1-100 ohm-cm

Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé au B) de 300 mm, qualité test (100), DSP, 1-100 ohm-cm Description

Le substrat est fabriqué à partir de silicium de haute pureté avec un dopage au bore contrôlé, ce qui permet d'obtenir une plage de résistivité de 1 à 100 ohm-cm. L'orientation cristallographique (100) améliore l'uniformité, tandis que le traitement DSP minimise les défauts de surface critiques pour les applications de test des semi-conducteurs. Son diamètre de 300 mm assure la compatibilité avec les équipements de fabrication de semi-conducteurs actuels, permettant des mesures de résistivité précises et la validation des processus.

Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) de 300 mm, qualité test (100), DSP, 1-100 ohm-cm Applications

Applications électroniques et semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans les systèmes de métrologie des semi-conducteurs pour obtenir un profilage précis de la résistivité grâce à un dopage au bore contrôlé et à un traitement DSP précis.
- Utilisé dans les outils de développement de processus pour faciliter la cohérence des études de dopage en utilisant l'orientation uniforme (100) pour obtenir des résultats de test fiables.

Recherche sur les matériaux
- Utilisé dans les études de diffusion au sein des laboratoires de recherche pour obtenir des résultats reproductibles en exploitant sa gamme de résistivité stable et ses défauts de surface minimisés.
- Utilisé dans les montages expérimentaux pour évaluer les techniques de fabrication des semi-conducteurs afin d'assurer une caractérisation des matériaux de haute fidélité.

Plaque de silicium de type P (dopé B) de 300 mm Substrat de qualité test (100), DSP, 1-100 ohm-cm Emballage

La plaquette est scellée individuellement dans des supports antistatiques et placée dans un emballage à humidité contrôlée et à gaz inerte. Des inserts en mousse sur mesure protègent contre les chocs mécaniques et les vibrations pendant le transport. Le stockage nécessite un environnement propre et peu humide pour éviter l'oxydation et la contamination de la surface. Des options d'emballage personnalisées, y compris l'étiquetage spécialisé et la compartimentation, sont disponibles sur demande pour répondre à des exigences de manipulation spécifiques.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment le traitement DSP influence-t-il la performance des substrats dans les tests de semi-conducteurs ?
R1 : Le processus DSP réduit les défauts et les irrégularités de surface, ce qui minimise les effets de diffusion pendant la métrologie. Cela contribue à la stabilité des relevés de résistivité et à la cohérence des résultats des tests, même dans des conditions de traitement variables.

Q2 : Quelles mesures garantissent le contrôle des niveaux de dopage au bore sur l'ensemble de la plaquette ?
R2 : Les contrôles de processus en ligne et les techniques d'inspection à haute résolution surveillent la diffusion du bore pendant la fabrication. Ces méthodes permettent de vérifier que la résistivité reste comprise entre 1 et 100 ohm-cm, ce qui est essentiel pour les applications de qualité test.

Q3 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour préserver l'intégrité des plaquettes ?
R3 : Les plaquettes doivent être stockées dans un environnement à température contrôlée et à faible humidité pour éviter l'oxydation. Un emballage protecteur et antistatique garantit en outre que la surface reste exempte de contaminants et de dommages mécaniques.

Informations complémentaires

Les plaquettes de silicium servent de substrat de base pour les dispositifs semi-conducteurs en raison de leurs propriétés électriques fiables et de leur compatibilité avec les technologies de microfabrication. Les progrès des processus de dopage et des techniques de traitement de surface ont amélioré le rendement et les performances dans les environnements de production.

L'intégration du traitement DSP et de l'orientation cristallographique contrôlée dans la fabrication des plaquettes permet des applications précises de qualité test. Cette approche permet non seulement d'améliorer la précision des mesures, mais contribue également au développement plus large des innovations en matière de traitement des semi-conducteurs, tant dans le domaine commercial que dans celui de la recherche.