CY9488 100 mm Type P (dopé B) Substrat de plaquette de silicium Prime Grade (100), SSP, 10-20 ohm-cm

Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) de 100 mm, qualité première (100), SSP, 10-20 ohm-cm Description

Ce substrat de plaquette de silicium présente un diamètre de 100 mm, une surface de première qualité et une orientation cristallographique (100). Le dopage B établit une plage de résistivité de 10 à 20 ohm-cm, ce qui a un impact sur la concentration des porteurs et la performance des dispositifs. Le substrat est conçu pour les processus de fabrication de semi-conducteurs qui exigent une précision dimensionnelle et des caractéristiques électriques contrôlées. Sa faible densité de défauts et son dopage uniforme améliorent la compatibilité avec les équipements de microfabrication standard et les techniques de traitement.

Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) de 100 mm Prime Grade (100), SSP, 10-20 ohm-cm Applications

Électronique :
- Utilisé comme substrat dans la fabrication de circuits intégrés pour obtenir une activation définie du dopant en tirant parti d'une résistivité uniforme.
- Utilisé comme matériau de base dans les dispositifs CMOS pour garantir des propriétés électriques contrôlées grâce à une orientation cristallographique précise.

Industrie :
- Utilisé comme base dans les dispositifs MEMS pour obtenir une stabilité dimensionnelle en utilisant la finition de surface uniforme du substrat.
- Utilisé dans la production de cellules solaires pour faciliter le transport efficace des charges en capitalisant sur des niveaux de dopage cohérents.

Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) de 100 mm Prime Grade (100), SSP, 10-20 ohm-cm Emballage

Les plaquettes sont emballées dans des supports antistatiques et des boîtes doublées de mousse pour éviter les dommages mécaniques et la contamination. Elles sont scellées dans un emballage anti-humidité et stockées dans un environnement à température contrôlée. Des protocoles de manipulation stricts, y compris l'utilisation de salles blanches, permettent d'atténuer l'exposition aux particules. Des solutions d'emballage personnalisées sont disponibles pour répondre à des exigences spécifiques en matière de traitement et de transport.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment l'uniformité du dopage au bore affecte-t-elle les performances du substrat ?
R1 : L'uniformité du dopage au bore garantit une résistivité cohérente sur l'ensemble de la plaquette, ce qui est essentiel pour un comportement électrique prévisible dans les processus de semi-conducteurs. Cette uniformité minimise la variation des performances des dispositifs et favorise l'activation efficace du dopant au cours du traitement thermique.

Q2 : Quelles sont les mesures recommandées pour la manipulation de ce substrat ?
R2 : La manipulation nécessite des conditions de salle blanche et des précautions antistatiques pour éviter la contamination et les dommages mécaniques. Il est conseillé d'utiliser des pinces spécialisées pour les plaquettes et de maintenir un contrôle strict des niveaux de particules ambiantes afin de préserver l'intégrité du substrat.

Q3 : En quoi l'orientation cristallographique (100) est-elle utile à la fabrication des semi-conducteurs ?
R3 : L'orientation (100) fournit une structure de surface qui favorise des processus d'oxydation et de gravure optimaux, ce qui est vital pour la formation contrôlée d'oxyde de grille dans les dispositifs microélectroniques avancés.

Informations complémentaires

Les plaquettes de silicium constituent un élément fondamental de la microélectronique, servant de base à la fabrication de circuits intégrés et d'une variété de dispositifs semi-conducteurs. Les techniques de dopage contrôlé utilisées dans ces substrats sont essentielles pour obtenir les caractéristiques électriques souhaitées nécessaires aux applications électroniques de haute performance. Le maintien de l'uniformité de la distribution des dopants joue un rôle important dans la reproductibilité du processus.

Il est essentiel de comprendre l'influence de l'orientation cristallographique sur le traitement des semi-conducteurs. L'orientation (100), par exemple, favorise des réactions de surface cohérentes pendant l'oxydation et la gravure, ce qui favorise la fiabilité des dispositifs et leur mise à l'échelle dans les technologies de fabrication modernes.