CY9487 Substrat de plaquette de silicium intrinsèque de 100 mm de qualité supérieure (100), SSP, >20000 ohm-cm

Plaque de silicium intrinsèque de 100 mm Substrat Prime Grade (100), SSP, >20000 ohm-cm Description

Cette plaquette de silicium intrinsèque est fabriquée à partir de silicium monocristallin de haute pureté avec une orientation (100) alignée avec précision. Sa résistivité élevée de plus de 20000 ohm-cm réduit les concentrations de porteurs libres, minimisant ainsi les courants de fuite pendant le traitement des semi-conducteurs. Le faible niveau de défauts et l'état de surface uniforme du substrat facilitent la fabrication de dispositifs critiques, en garantissant une cohérence dimensionnelle et un comportement électrique prévisible au cours des étapes de traitement thermique et chimique.

Substrat de plaquette de silicium intrinsèque de 100 mm Prime Grade (100), SSP, >20000 ohm-cm Applications

1. électronique et fabrication de semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans la fabrication de circuits intégrés pour obtenir une dynamique contrôlée des porteurs de charge en tirant parti d'une résistivité élevée, ce qui minimise les fuites dans les dispositifs sensibles.
- Appliqué dans les processus de photolithographie pour obtenir une surface uniforme, permettant un transfert de modèle précis et une densité de défauts réduite.

2. recherche et développement
- Utilisé comme matériau de base dans les études expérimentales sur les semi-conducteurs pour analyser les propriétés intrinsèques du matériau, ce qui permet de mieux comprendre le comportement du silicium dans diverses conditions de traitement.
- Utilisé dans la fabrication de prototypes pour valider les innovations en matière de processus, réduisant la variabilité grâce à l'utilisation d'un substrat bien caractérisé.

Substrat de plaquette de silicium intrinsèque de 100 mm Prime Grade (100), SSP, >20000 ohm-cm Emballage

Emballé dans un conteneur antistatique approuvé pour les salles blanches avec des inserts en mousse découpés sur mesure, le wafer est scellé dans une enveloppe purgée à l'azote pour empêcher la contamination par l'humidité et les particules. Les conditions de stockage doivent maintenir un environnement à température contrôlée et à faible taux d'humidité. Des solutions d'emballage personnalisées, y compris le scellage sous vide et des plateaux de transport spécialisés, sont disponibles sur demande pour répondre à des exigences de manipulation spécifiques.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quelles sont les techniques de mesure qui confirment la résistivité élevée de la plaquette ?
R1 : La plaquette subit un test de sonde à quatre points et une cartographie de la résistivité de surface au cours de la production. Ces techniques garantissent que la résistivité est conforme à la spécification >20000 ohm-cm, validant ainsi la qualité intrinsèque requise pour les processus de fabrication des semi-conducteurs.

Q2 : Comment la qualité de la surface de la plaquette est-elle assurée pendant la fabrication ?
R2 : La qualité de la surface est contrôlée par profilométrie interférométrique et microscopie optique, qui détectent les contaminants et les irrégularités. Ce contrôle strict de la qualité permet de minimiser les défauts susceptibles d'affecter les performances du dispositif lors du traitement ultérieur de haute précision.

Q3 : Les paramètres du substrat peuvent-ils être personnalisés pour des applications spécifiques ?
R3 : Des options de personnalisation sont disponibles sur demande, y compris des protocoles d'épaisseur et de finition de surface sur mesure. Cette flexibilité permet de soutenir les développements en matière d'intégration de processus spécifiques aux dispositifs et d'optimisation des performances.

Informations complémentaires

Les plaquettes de silicium intrinsèque sont essentielles à la fabrication des semi-conducteurs en raison de leur concentration minimale en porteurs de charge. L'orientation cristallographique définie (100) permet d'obtenir une gravure et un dépôt uniformes lors de la fabrication des dispositifs, ce qui améliore la reproductibilité du processus. Ces plaquettes font partie intégrante des processus courants et expérimentaux, fournissant une plate-forme cohérente pour une variété d'applications de semi-conducteurs.

Les protocoles rigoureux de contrôle de la qualité utilisés pendant la fabrication soulignent l'importance des propriétés précises des matériaux dans les applications électroniques avancées. La compréhension de ces propriétés aide les ingénieurs et les chercheurs à optimiser les paramètres du processus pour améliorer les performances des dispositifs tout en garantissant que les plaquettes répondent aux normes critiques de l'industrie.