CY9486 Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) de 100 mm, qualité supérieure (100), SSP, 1-10 ohm-cm

Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) de 100 mm Prime Grade (100), SSP, 1-10 ohm-cm Description

Le substrat est fabriqué à partir de silicium monocristallin de haute pureté en utilisant un processus de dopage au bore conçu pour obtenir une résistivité dans une gamme de 1-10 ohm-cm. L'orientation de la surface (100) permet d'obtenir des conditions de traitement optimales pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Son diamètre de 100 mm assure la compatibilité avec l'équipement standard de traitement des plaquettes, et la finition SSP offre une surface lisse et sans défaut, essentielle pour les applications microélectroniques avancées.

Substrat de 100 mm pour plaquette de silicium de type P (dopé B) Prime Grade (100), SSP, 1-10 ohm-cm Applications

1. fabrication de produits électroniques et de semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans les circuits intégrés pour obtenir une uniformité dimensionnelle en tirant parti d'une distribution contrôlée des dopants.
- Utilisé comme base pour la fabrication de transistors afin de maintenir des caractéristiques électriques prévisibles, permettant un étalonnage précis des dispositifs.

2. recherche et développement
- Sert de plate-forme pour le développement de processus dans la recherche sur les semi-conducteurs afin de tester l'efficacité du dopage en tirant parti de sa surface lisse et à faible teneur en défauts.
- Utilisé dans les études de caractérisation des matériaux pour évaluer l'impact des niveaux de dopage sur les performances électriques, ce qui facilite l'analyse comparative.

Plaquette de silicium de type P (dopé B) de 100 mm Substrat Prime Grade (100), SSP, 1-10 ohm-cm Emballage

Les plaquettes sont emballées dans des supports à dissipation statique et scellées dans des plateaux anti-contamination afin de minimiser l'exposition aux particules et à l'humidité. Le stockage est maintenu à une température ambiante constante afin de préserver l'intégrité du substrat. Des matériaux de rembourrage supplémentaires protègent contre les chocs mécaniques pendant le transport, et des options de personnalisation des configurations d'emballage sont disponibles pour s'aligner sur des protocoles de manipulation spécifiques.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment la plage de résistivité de 1 à 10 ohm-cm affecte-t-elle l'intégration des processus des semi-conducteurs ?
R1 : La plage de résistivité spécifiée permet de contrôler la concentration des porteurs de charge, ce qui garantit un comportement cohérent du matériau pendant la fabrication du dispositif. Cela permet d'obtenir des caractéristiques électriques reproductibles nécessaires au traitement avancé des semi-conducteurs.

Q2 : Quels sont les avantages de l'orientation cristallographique (100) en matière de traitement ?
R2 : L'orientation (100) fournit un arrangement atomique uniforme qui permet des profils de gravure et de dopage prévisibles. Cela améliore la précision du transfert de modèle et la qualité des architectures de dispositifs dans la fabrication des semi-conducteurs.

Q3 : Comment la qualité de la surface est-elle maintenue pendant la fabrication ?
R3 : La qualité de la surface est assurée par un nettoyage méticuleux, des traitements thermiques de précision et une vérification spectroscopique. Ces étapes permettent de réduire la densité des défauts et de maintenir une surface lisse, essentielle pour les applications électroniques de haute performance.

Informations complémentaires

Les substrats de plaquettes de silicium sont des éléments fondamentaux de la fabrication des semi-conducteurs. Les techniques de dopage contrôlé utilisées dans ces substrats ajustent les propriétés électriques, influençant directement les performances des dispositifs. Il est essentiel de comprendre l'interaction entre la concentration de dopants et la résistivité qui en résulte pour optimiser le rendement des processus et l'uniformité des dispositifs.

L'orientation (100) des substrats de silicium joue un rôle déterminant dans les techniques de microfabrication standard, en fournissant une plate-forme reproductible pour divers procédés de semi-conducteurs. Une connaissance détaillée des traitements thermiques et des méthodes de caractérisation des surfaces permet d'atteindre les normes techniques exigées par l'industrie électronique.