CY9485 Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) de 200 mm de qualité supérieure (100), SSP, 1-100 ohm-cm

Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé au B) de 200 mm, qualité supérieure (100), SSP, 1-100 ohm-cm Description

Ce substrat est fabriqué à partir de silicium de haute pureté, dopé au bore pour obtenir une conductivité de type P et une plage de résistivité comprise entre 1 et 100 ohm-cm. L'orientation cristalline (100) facilite la compatibilité avec l'équipement standard de traitement des semi-conducteurs. Le diamètre de 200 mm garantit l'intégration dans les lignes de production actuelles, tandis que les techniques rigoureuses de vérification du dopage produisent des caractéristiques électriques uniformes essentielles à la performance des dispositifs.

Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) de 200 mm Prime Grade (100), SSP, 1-100 ohm-cm Applications

1. fabrication électronique
- Utilisation comme substrat de base dans les circuits intégrés pour obtenir un comportement électrique contrôlé en tirant parti d'un dopage au bore uniforme.
- Appliqué comme support de couche active dans les dispositifs CMOS pour optimiser la mobilité des porteurs de charge grâce à une orientation précise (100).

2. recherche et développement de procédés semi-conducteurs
- Utilisé comme échantillon de test dans le développement de processus pour des expériences de dopage, permettant d'obtenir des résultats expérimentaux reproductibles avec une résistivité contrôlée.
- Employé dans l'étalonnage des équipements pour les processus de gravure et de dépôt en capitalisant sur ses propriétés matérielles constantes.

Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) de 200 mm Prime Grade (100), SSP, 1-100 ohm-cm Emballage

Les plaquettes sont emballées individuellement dans des conteneurs antistatiques, de qualité salle blanche, avec un rembourrage en mousse pour minimiser les contraintes mécaniques. Elles sont scellées dans des sacs résistants à l'humidité et stockées dans des conditions de température contrôlée afin d'éviter toute contamination. Des options d'emballage personnalisées, y compris la purge de gaz inerte, sont disponibles pour répondre aux exigences spécifiques de manipulation pendant le transport et le stockage.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment le dopage au bore influence-t-il les performances du substrat ?
R1 : Le dopage au bore ajuste la résistivité entre 1 et 100 ohm-cm et améliore la conductivité de type P, garantissant des performances électriques optimales lors de la fabrication des dispositifs. Le niveau de dopage uniforme contribue également à un comportement cohérent sur toute la surface de la plaquette.

Q2 : Quels sont les avantages de l'orientation (100) pour le traitement des semi-conducteurs ?
R2 : L'orientation cristallographique (100) s'aligne sur les techniques de traitement standard, facilitant des processus d'oxydation et de gravure bien contrôlés. Cette orientation permet d'obtenir une précision dimensionnelle dans la microfabrication.

Q3 : Quels sont les éléments à prendre en compte pour le stockage afin de préserver l'intégrité des plaquettes ?
R3 : Les plaquettes doivent être stockées dans un environnement à température contrôlée et à faible taux d'humidité, dans un emballage antistatique. Il est essentiel d'éviter l'exposition aux contaminants et aux chocs mécaniques pour préserver l'intégrité du substrat.

Informations complémentaires

Les plaquettes de silicium, en particulier celles qui sont dopées au bore, jouent un rôle essentiel dans la production de dispositifs semi-conducteurs. Leur résistivité et leurs orientations cristallines contrôlées sont essentielles pour garantir un comportement électronique prévisible dans les dispositifs fabriqués. Les progrès récents des techniques de dopage et des mesures de contrôle de la qualité ont permis d'améliorer l'uniformité des matériaux et la fiabilité des performances.

Il est essentiel de comprendre l'interaction entre la concentration de dopants, l'orientation des cristaux et les propriétés du substrat pour optimiser la fabrication des semi-conducteurs. La recherche continue dans le domaine de la science des matériaux améliore l'intégration de ces substrats dans diverses applications industrielles, ce qui permet d'améliorer l'efficacité et l'évolutivité des dispositifs.