CY9484 Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) de 200 mm, qualité supérieure (100), SSP, 1-50 ohm-cm

Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) de 200 mm Prime Grade (100), SSP, 1-50 ohm-cm Description

Le substrat de silicium de type P (dopé B) de 200 mm de qualité supérieure (100), SSP, 1-50 ohm-cm est un substrat de silicium conçu avec un dopage au bore contrôlé et une orientation (100). La désignation SSP indique un polissage d'un seul côté pour une surface plus lisse. L'ajustement précis de la résistivité électrique (1-50 ohm-cm) rend ce substrat adapté aux circuits intégrés et autres dispositifs semi-conducteurs, assurant des performances constantes dans les environnements de processus sensibles aux dopants.

Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) de 200 mm Prime Grade (100), SSP, 1-50 ohm-cm Applications

1. fabrication de produits électroniques et de semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat de base dans la fabrication de circuits intégrés pour obtenir des caractéristiques électriques uniformes en tirant parti de son dopage au bore contrôlé.
- Utilisé comme plate-forme pour les capteurs dans les systèmes semi-conducteurs afin d'obtenir une modulation précise du signal grâce à son orientation cristallographique (100).

2) Dispositifs optoélectroniques et photovoltaïques
- Employé comme couche active dans les photodétecteurs pour améliorer la cohérence des porteurs de charge en utilisant sa plage de résistivité définie.
- Utilisé dans la production de cellules solaires pour améliorer l'efficacité de la collecte des porteurs en tirant parti de sa grande uniformité de surface et de sa finition polie d'un seul côté.

Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) de 200 mm Prime Grade (100), SSP, 1-50 ohm-cm Emballage

Chaque plaquette est fixée dans un support antistatique et rembourrée avec des inserts en mousse pour minimiser les contraintes mécaniques et la contamination de la surface. Les substrats sont enfermés dans un emballage résistant à l'humidité avec une atmosphère inerte et sont étiquetés pour le suivi. Ils doivent être stockés dans une salle blanche à température contrôlée afin de préserver leurs caractéristiques électriques et de surface. Des configurations d'emballage personnalisées sont disponibles pour répondre à des exigences de fabrication spécifiques.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment le dopage au bore contrôlé affecte-t-il l'intégration du processus ?
R1 : La concentration contrôlée en bore garantit que la résistivité électrique reste comprise entre 1 et 50 ohm-cm, ce qui facilite la prévisibilité des performances lors de la fabrication des dispositifs et améliore l'intégration avec les équipements de traitement des semi-conducteurs standard.

Q2 : Quelles sont les précautions de manipulation recommandées pour préserver l'intégrité du substrat ?
R2 : Il est conseillé d'utiliser des procédures de salle blanche avec des outils de manipulation antistatiques et de porter des vêtements appropriés pour contrôler la contamination. Cela permet de minimiser les dommages de surface et la contamination particulaire, et donc de maintenir les performances du substrat.

Q3 : Quelles sont les meilleures techniques d'inspection pour évaluer l'uniformité du substrat ?
R3 : La microscopie optique à haute résolution et la profilométrie de surface sont recommandées pour évaluer la distribution des dopants et la qualité du polissage de la surface. Ces techniques fournissent des données précises sur l'uniformité et la densité des défauts pour le contrôle du processus.

Informations complémentaires

Les substrats de plaquettes de silicium sont des éléments fondamentaux dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Un contrôle détaillé du dopage et de l'orientation des cristaux est essentiel pour optimiser les performances des dispositifs, car des variations mineures peuvent affecter le comportement électrique et le rendement. La compréhension des propriétés des matériaux et des techniques de traitement est essentielle pour les ingénieurs en recherche et développement et les spécialistes de l'approvisionnement qui souhaitent intégrer ces substrats dans des lignes de production avancées.

Le rôle des matériaux de substrat s'étend à de nombreuses applications dans les domaines de l'électronique et de l'optoélectronique. L'utilisation de méthodes de contrôle de la qualité ciblées, telles que l'inspection à haute résolution et l'analyse précise des dopants, permet d'atténuer les défauts et d'améliorer l'uniformité des dispositifs. Cet aperçu technique profite aux parties prenantes en alignant les propriétés des matériaux sur les capacités des processus dans la fabrication moderne des semi-conducteurs.