CY9483 Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) de première qualité (100), SSP, 10-20 ohm-cm

Substrat de silicium de type P (dopé B) Prime Grade (100), SSP, 10-20 ohm-cm Description

Le substrat de silicium de type P (dopé B) Prime Grade (100), SSP, 10-20 ohm-cm est fabriqué à partir de silicium de haute pureté et dopé au bore pour obtenir une conductivité de type P. Son orientation cristallographique (100) permet une croissance épitaxiale uniforme lors de la fabrication de semi-conducteurs. Son orientation cristallographique (100) permet une croissance épitaxiale uniforme pendant le traitement des semi-conducteurs. Avec une plage de résistivité de 10 à 20 ohm-cm, le substrat répond aux exigences électriques et structurelles de la fabrication de dispositifs avancés tout en maintenant une faible densité de défauts et des conditions de surface stables.

Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) Prime Grade (100), SSP, 10-20 ohm-cm Applications

Fabrication de produits électroniques et de semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans la fabrication de circuits intégrés pour obtenir une croissance constante de la couche épitaxiale en tirant parti de son orientation précise (100).
- Utilisé comme matériau de base pour les dispositifs semi-conducteurs de puissance afin de contrôler la conductivité grâce à un dopage au bore calibré.

Applications industrielles et de recherche
- Utilisé dans des études expérimentales pour l'analyse de la diffusion de dopants dans le silicium, garantissant des résultats quantifiables grâce à une résistivité uniforme.
- Utilisé dans les laboratoires de développement de procédés pour tester les traitements de surface avancés qui nécessitent un substrat stable et présentant peu de défauts.

Substrat de plaquette de silicium de type P (dopé B) Prime Grade (100), SSP, 10-20 ohm-cm Emballage

Les plaquettes sont fixées individuellement dans des supports antistatiques et placées dans des conteneurs rigides recouverts de mousse afin de minimiser l'impact physique et la contamination. Un film protecteur supplémentaire protège la surface des particules en suspension dans l'air. Il est recommandé de les stocker dans un environnement à température contrôlée et à faible taux d'humidité. Des options d'emballage personnalisées, y compris le scellage sous vide et l'étiquetage détaillé, sont disponibles pour répondre à des protocoles de manipulation spécifiques.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quelles sont les mesures appliquées pour contrôler l'uniformité du dopant dans ces plaquettes ?
R1 : SAM utilise des techniques avancées de diffusion du bore combinées à une métrologie de surface, telle que le balayage de la résistance électrique, pour maintenir une distribution uniforme du dopant, ce qui est essentiel pour maintenir la résistivité désignée de 10 à 20 ohm-cm.

Q2 : Comment l'orientation cristallographique (100) est-elle vérifiée ?
R2 : L'orientation est confirmée par des analyses de diffraction des rayons X (XRD) et de diffraction par rétrodiffusion d'électrons (EBSD). Ces méthodes permettent de s'assurer que le substrat est conforme aux normes rigoureuses requises pour les processus épitaxiaux ultérieurs.

Q3 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour préserver l'intégrité des plaquettes ?
R3 : Les plaquettes doivent être stockées dans un environnement à température régulée et à faible humidité, dans un emballage antistatique, afin d'éviter la contamination et les contraintes mécaniques, et de préserver ainsi les propriétés structurelles et électriques du substrat.

Informations complémentaires

Les substrats de plaquettes de silicium sont fondamentaux dans l'industrie des semi-conducteurs, car ils constituent la base de la fabrication des circuits intégrés et des dispositifs microélectroniques. L'orientation cristallographique et le dopage contrôlés permettent une intégration fiable des processus dans les opérations d'oxydation, de lithographie et de gravure. Le développement continu des techniques de traitement des matériaux permet d'améliorer les performances et le rendement des dispositifs dans les environnements industriels.

Les progrès réalisés dans le contrôle des dopants et la caractérisation des surfaces ont permis d'améliorer la cohérence et les performances des plaquettes de silicium. Des techniques telles que le XRD et le SEM offrent un aperçu approfondi des caractéristiques structurelles et morphologiques, ce qui permet aux ingénieurs d'affiner les paramètres de traitement pour optimiser les performances des dispositifs dans les laboratoires de recherche et dans les environnements de production.