CY9434 Plaquette de silicium avec 100 nm de dia. d'or 2 pouces x 525 μm d'épaisseur

Plaquette de silicium avec 100 nm d'or Dia. 2 pouces x 525 μm d'épaisseur Description

Ce produit consiste en une plaquette de silicium cristallin, uniformément recouverte d'une couche d'or de 100 nm par pulvérisation cathodique. Le diamètre de 2 pouces et l'épaisseur de 525 μm s'alignent sur l'outillage standard des semi-conducteurs, assurant la compatibilité avec les équipements de traitement établis. La couche d'or améliore la conductivité électrique tout en offrant une inertie chimique. Son dépôt contrôlé minimise les contraintes du film et les anomalies de surface, garantissant des performances précises pour la fabrication de dispositifs microélectroniques et de capteurs avancés.

Plaque de silicium avec 100 nm d'or Dia. 2 pouces x 525 μm d'épaisseur Applications

Fabrication de produits électroniques et de semi-conducteurs
- Utilisé comme couche conductrice dans les circuits intégrés pour obtenir des contacts électriques stables en utilisant les propriétés inertes de l'or.
- Appliqué dans les dispositifs de capteurs pour assurer des voies de faible résistance en tirant parti du dépôt uniforme sur les substrats de silicium.

Microfabrication industrielle
- Sert de substrat dans les dispositifs MEMS pour maintenir la stabilité et la cohérence des dimensions en tirant parti des dimensions standard des plaquettes de silicium.
- Fréquemment utilisé dans le cadre de la recherche pour développer des prototypes qui nécessitent des couches d'or précises pour améliorer l'intégrité du signal.

Plaque de silicium avec 100 nm de dia. d'or 2 pouces x 525 μm d'épaisseur Emballage

La plaquette est emballée individuellement dans un conteneur antistatique rembourré pour éviter les dommages mécaniques et les décharges électrostatiques. Elle est scellée dans du polyéthylène anti-humidité et soutenue par des inserts en mousse personnalisés. Le stockage recommandé dans un environnement à température contrôlée et à faible humidité minimise la contamination et l'oxydation. L'emballage peut être personnalisé avec des étiquettes et des compartiments supplémentaires pour répondre à des exigences de manipulation spécifiques.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quelles sont les méthodes d'inspection utilisées pour garantir l'uniformité de la couche d'or de 100 nm ?
R1 : L'uniformité de la surface est vérifiée à l'aide de la microscopie électronique à balayage (MEB) et de la microscopie à force atomique (AFM). Ces techniques permettent de détecter tout écart dans l'épaisseur du film ou tout défaut microstructurel, garantissant ainsi que le processus de dépôt respecte des tolérances techniques précises.

Q2 : Quel est l'impact de l'épaisseur de 525 μm sur les performances de la plaquette pendant le traitement ?
A2 : L'épaisseur de 525 μm offre une stabilité mécanique, minimisant le gauchissement pendant les cycles thermiques et permettant la compatibilité avec l'équipement standard de traitement des plaquettes. Cette dimension permet de maintenir l'intégrité structurelle au cours des étapes de microfabrication ultérieures.

Q3 : Existe-t-il des procédures de manipulation spécifiques recommandées pour les plaquettes de silicium recouvertes d'or ?
R3 : Oui, il est conseillé de manipuler la plaquette avec des outils antistatiques dans un environnement propre. Le fait de minimiser le contact direct permet d'éviter la contamination par les particules et les dommages de surface, ce qui est essentiel pour maintenir l'intégrité de la couche d'or lors des traitements ultérieurs.

Informations complémentaires

Les plaquettes de silicium sont des composants fondamentaux de la technologie des semi-conducteurs en raison de leurs propriétés matérielles bien caractérisées et de leur compatibilité avec un large éventail de processus de dépôt. L'intégration d'une couche d'or, dont l'épaisseur est contrôlée avec précision, ajoute des caractéristiques électriques et de surface bénéfiques, qui sont essentielles pour améliorer les performances des interconnexions dans les dispositifs microélectroniques.

La compréhension des interactions matérielles entre le silicium et les couches métalliques minces est essentielle au développement de dispositifs avancés. L'interaction de la dilatation thermique, des propriétés d'adhésion et de la qualité du dépôt sont des facteurs critiques pour la fiabilité à long terme des composants électroniques et des réseaux de capteurs.