CY9433 Plaquette de silicium avec 100 nm d'or Dia. 4 pouces x 525 μm d'épaisseur

Plaquette de silicium avec 100 nm d'or Dia. 4 pouces x 525 μm d'épaisseur Description

La plaquette de silicium avec 100 nm d'or Dia. 4 pouces x 525 μm d'épaisseur comprend un substrat de silicium uniformément recouvert d'un film d'or de 100 nm par dépôt physique en phase vapeur contrôlé. Le diamètre de 4 pouces associé à une épaisseur de 525 μm garantit la compatibilité avec l'équipement standard de traitement des semi-conducteurs. La couche d'or offre une faible résistivité électrique et une inertie chimique, ce qui en fait une plate-forme d'essai pour les mesures électriques et les études d'adhésion dans le cadre du prototypage de substrats.

Plaquette de silicium avec 100 nm d'or Dia. 4 pouces x 525 μm d'épaisseur Applications

1.électronique
- Utilisé comme substrat dans la fabrication de circuits intégrés pour obtenir des performances électriques définies en tirant parti du revêtement d'or uniforme.
- Appliqué dans les configurations d'étalonnage des capteurs pour réduire la résistance de contact en utilisant les propriétés uniformes du film métallique.

2)Recherche et développement
- Utilisé comme plaquette de test dans l'optimisation des processus pour contrôler l'uniformité du dépôt en tirant parti de la couche d'or contrôlée avec précision.
- Fréquemment utilisé comme matériau de référence dans les études de surface pour évaluer les caractéristiques de liaison et d'adhésion en tirant parti de l'interface d'or chimiquement inerte.

Plaquette de silicium avec 100 nm de dia. d'or 4 pouces x 525 μm d'épaisseur Emballage

La plaquette est protégée dans un conteneur antistatique avec un insert en mousse pour atténuer les chocs mécaniques et la contamination. Elle est enfermée dans une pochette purgée à l'azote pour minimiser l'oxydation et l'exposition aux particules. Ces mesures permettent de préserver l'intégrité du substrat pendant le transport et le stockage à long terme dans des environnements contrôlés.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment vérifiez-vous l'uniformité de la couche d'or de 100 nm ?
R1 : L'épaisseur de la couche d'or est confirmée par réflectométrie à rayons X et microscopie à force atomique. Ces techniques de mesure fournissent des données quantitatives sur l'uniformité du film, ce qui est essentiel pour garantir un comportement électrique correct dans les applications semi-conductrices.

Q2 : Quelle est la rugosité de surface observée sur ces plaquettes ?
R2 : La rugosité de la surface est caractérisée par la microscopie à force atomique, qui montre généralement des variations inférieures au nanomètre. Une faible rugosité de surface favorise un dépôt uniforme du film et des propriétés d'interface cohérentes pour la fabrication des dispositifs.

Q3 : Comment l'emballage protège-t-il la plaquette pendant la manipulation et l'expédition ?
R3 : La plaquette est placée dans un conteneur antistatique, purgé à l'azote, avec des inserts en mousse pour amortir les chocs et prévenir la contamination par les particules. Ces mesures contribuent à préserver l'état de surface et l'intégrité structurelle de la plaquette tout au long du transport.

Informations complémentaires

Les plaquettes de silicium servent de plate-forme fondamentale dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, en supportant divers processus de dépôt et de lithographie. L'application d'une fine couche d'or améliore la conductivité électrique et la stabilité chimique, facteurs essentiels pour des mesures électriques précises et des études de collage dans les environnements de recherche.

Le dépôt d'or sur le silicium exige un contrôle rigoureux des conditions de dépôt et des couches d'adhésion. Des techniques telles que la diffraction des rayons X et la microscopie à force atomique sont couramment employées pour évaluer l'intégrité du film. La compréhension de ces interactions entre matériaux contribue à améliorer le contrôle des processus et les performances des dispositifs en microélectronique.