CY8926 Film de diséléniure de tungstène sur substrat SiO2/Si Film WSe2 10x10 mm

Film de diséléniure de tungstène sur substrat SiO2/Si Film WSe2 10x10 mm Description

Ce film de diséléniure de tungstène (WSe₂) sur un substrat SiO₂/Si de 10×10 mm présente des propriétés électroniques et optiques exceptionnelles, ce qui en fait un choix polyvalent pour la recherche de pointe et la fabrication de dispositifs. Sa structure en couches atomiquement fines garantit une bande interdite directe sous forme de monocouche, ce qui permet d'améliorer la photoluminescence et la mobilité des porteurs. En outre, le réseau 2D stable facilite un transfert de charge efficace, ce qui permet d'obtenir des performances supérieures dans des domaines tels que la photovoltaïque, les photodétecteurs et l'électronique flexible.

Fabriqué selon des contrôles de qualité rigoureux, le film WSe₂ présente une épaisseur uniforme et une contamination minimale, répondant ainsi aux exigences des applications universitaires et industrielles. Son excellente stabilité chimique et thermique favorise la fiabilité lors d'expérimentations rigoureuses, tandis que l'alignement calibré du substrat garantit la précision lors de l'intégration des dispositifs. Avec ce film WSe₂, les chercheurs peuvent explorer en toute confiance les frontières des matériaux avancés et des technologies électroniques.

Film de diséléniure de tungstène sur substrat SiO2/Si Film WSe2 10x10 mm Applications

Les films de diséléniure de tungstène (WSe2) sur des substrats SiO2/Si offrent une solution polyvalente de semi-conducteur 2D avec des caractéristiques électriques, optiques et mécaniques remarquables. D'une dimension pratique de 10x10 mm, ces films permettent la fabrication de dispositifs précis. Leur structure en couches, l'accordabilité de leur bande interdite et la mobilité élevée des porteurs les rendent idéaux pour diverses applications de haute performance dans les domaines de l'électronique, des énergies renouvelables et de la recherche avancée.

1) Applications industrielles

-Fabrication de semi-conducteurs avancés : La mobilité élevée des porteurs du WSe2 facilite la production de micropuces industrielles plus rapides et plus efficaces.

-Modules photovoltaïques : Les propriétés de la bande interdite accordable permettent d'améliorer la conception des cellules solaires, ce qui se traduit par une augmentation de la production d'énergie.

-Capteurs chimiques : les interactions de surface robustes permettent une détection chimique précise dans les environnements de surveillance des processus.

2) Applications dans le domaine de la recherche

-Dispositifs quantiques : les couches atomiquement minces de WSe2 offrent une plateforme pour l'exploration des phénomènes quantiques de la prochaine génération dans les laboratoires.

-Études optoélectroniques : Les fortes caractéristiques de photoluminescence du WSe2 en font un matériau idéal pour étudier les interactions entre la lumière et la matière.

-Investigations en science des matériaux : Les chercheurs utilisent les WSe2 pour étudier les propriétés mécaniques et électroniques des matériaux 2D.

3) Applications commerciales

-Électronique grand public : L'excellente conduction électrique de ce film permet de créer des appareils électroniques plus petits, plus polyvalents et plus fiables.

-Dispositifs de collecte d'énergie : Sa capacité à optimiser la conversion de l'énergie solaire permet de concevoir des panneaux plus efficaces et plus compacts.

-Capteurs portables : les couches durables et flexibles de WSe2 permettent une surveillance avancée de la santé dans les smartwatches et les bracelets de fitness.

Film de diséléniure de tungstène sur substrat SiO2/Si Film WSe2 Emballage 10x10 mm

Le film WSe₂ est emballé dans un sac antistatique scellé sous vide avec des inserts en mousse pour minimiser les contraintes mécaniques. Chaque 10×10 mm de diséléniure de tungstène sur substrat SiO₂/Si est enfermé individuellement dans un conteneur en plastique de qualité salle blanche, assurant une protection contre l'humidité, la poussière et les dommages de surface. Pour une intégrité optimale, le produit doit être conservé dans un environnement déshydraté à une température inférieure à 25°C. D'autres mesures anti-contamination comprennent un emballage secondaire scellé. Des personnalisations, telles que d'autres dimensions ou d'autres choix de substrats, sont disponibles sur demande.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Film de diséléniure de tungstène sur substrat SiO2/Si Film WSe2 10x10 mm FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du film de diséléniure de tungstène sur substrat SiO2/Si WSe2 10x10 mm ?

A1 : L'une des principales propriétés du film de diséléniure de tungstène (WSe2) de 10x10 mm sur SiO2/Si est sa bande interdite proche de 1,2 eV, qui permet une absorption et une émission optiques efficaces pour des applications photoniques potentielles. Le film présente également un fort couplage spin-orbite, une grande stabilité chimique et thermique et une excellente qualité cristalline. Associée à la couche isolante de SiO2, cette structure soutient la recherche avancée sur les transistors et les capteurs dans le domaine de l'électronique.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Veillez à ce que les contraintes mécaniques soient minimales afin d'éviter les fissures ou la délamination. Le produit doit être stocké dans un environnement propre et sec, avec une température et une humidité stables, idéalement dans une atmosphère inerte ou un dessiccateur sous vide. Il est recommandé de manipuler l'échantillon avec des pinces non métalliques ou de porter des gants pour minimiser la contamination. Évitez tout contact direct avec des liquides ou des produits chimiques agressifs susceptibles de dégrader ou d'altérer les propriétés de la surface.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications applicables au film de diséléniure de tungstène sur substrat SiO2/Si WSe2 Film 10x10 mm ?

A3 : Ces films WSe2 sont généralement produits selon des protocoles de fabrication et d'inspection rigoureux afin de garantir l'uniformité de l'épaisseur, l'adhérence au substrat et un minimum de défauts. De nombreux fournisseurs adhèrent à la norme ISO 9001 pour la gestion de la qualité, mettant l'accent sur la traçabilité et la documentation tout au long du processus de production. Une conformité supplémentaire aux normes RoHS et REACH peut également être fournie, garantissant que le film répond aux exigences environnementales et de sécurité pour les applications commerciales et de recherche industrielle.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages du matériau

Les films de diséléniure de tungstène (WSe2) sur un substrat SiO2/Si présentent une cristallinité en couches exceptionnelle, ce qui les rend idéaux pour des applications électroniques et photoniques de haute performance. La configuration 10x10 mm garantit un profil de surface uniforme, ce qui est essentiel pour un contrôle précis du signal dans les structures de transistors avancés. L'arrangement atomique du WSe2 contribue à une faible densité de défauts, ce qui améliore le transport des porteurs et permet des vitesses de commutation impressionnantes lors de l'intégration dans les dispositifs semi-conducteurs de la prochaine génération.

Un film aussi fin offre également une stabilité chimique remarquable grâce à l'inertie inhérente au diséléniure de tungstène. Cette stabilité est essentielle lorsque les dispositifs sont soumis à des cycles de fonctionnement prolongés ou à des conditions environnementales difficiles. En outre, la synergie avec SiO2/Si fournit une interface cohérente qui aide à maintenir l'intégrité structurelle du film, permettant une distorsion minimale dans les processus de fabrication où la cohérence dimensionnelle est primordiale.

2. Applications dans les industries de pointe

Les laboratoires de recherche engagés dans la nanoélectronique de pointe utilisent ces films WSe2 pour développer des prototypes de circuits et de transistors dont l'évolutivité est considérablement améliorée. En exploitant la structure de bande du diséléniure de tungstène, les ingénieurs peuvent concevoir des dispositifs fonctionnant à des tensions plus basses, ce qui favorise l'efficacité énergétique et répond à la demande constante d'une plus longue durée de vie des batteries dans l'électronique portable.

En outre, ce film WSe2 de 10 x 10 mm est prometteur pour la photodétection et les innovations optoélectroniques, où les temps de réponse rapides sont essentiels. Dans les capteurs et les composants d'imagerie, la bande interdite directe et les coefficients d'absorption élevés du matériau permettent d'améliorer la sensibilité, ce qui garantit une collecte précise des données dans les systèmes d'imagerie industrielle et les instruments scientifiques avancés.