CY8924 CVD monocouche de diséléniure de molybdène sur substrat SiO2/Si Film MoSe2 10x10 mm

Film CVD monocouche de diséléniure de molybdène sur substrat SiO2/Si MoSe2 10x10 mm Description

Découvrez le summum de la recherche sur les semi-conducteurs bidimensionnels avec notre monocouche de diséléniure de molybdène CVD (MoSe2) sur substrat SiO2/Si, proposée dans un format pratique de 10×10 mm. Ce film de MoSe2 d'une épaisseur d'un atome est méticuleusement cultivé par dépôt chimique en phase vapeur afin d'offrir une uniformité exceptionnelle et une qualité cristalline élevée. Sa bande interdite directe et son excellente mobilité des porteurs de charge permettent un contrôle précis des comportements optiques et électroniques, ce qui le rend idéal pour la recherche avancée et le prototypage de dispositifs.

Conçu selon des normes de qualité rigoureuses, ce film monocouche de MoSe2 fait preuve d'une stabilité chimique et d'une reproductibilité robustes, garantissant des résultats cohérents lors de diverses expériences. Qu'il soit appliqué au développement de transistors, de photodétecteurs ou d'électronique flexible de la prochaine génération, notre produit se distingue par sa fiabilité et ses performances supérieures. Repoussez les limites de votre recherche avec ce matériau révolutionnaire à la pointe de la nanotechnologie.

Film de diséléniure de molybdène CVD monocouche sur substrat SiO2/Si MoSe2 10x10 mm Applications

Le diséléniure de molybdène (MoSe2) CVD monocouche sur substrat SiO2/Si est un matériau 2D de nouvelle génération connu pour ses propriétés semi-conductrices, optiques et mécaniques exceptionnelles. Sa large bande interdite et sa structure robuste permettent des fonctionnalités avancées dans de nombreuses industries. Avec des applications allant de l'électronique à la catalyse, ce film MoSe2 de haute qualité offre de nouvelles possibilités pour la recherche innovante, le développement de produits et la fabrication efficace.

1) Applications électroniques et semi-conducteurs

-Sert de matériau de canal ultrafin dans les transistors à haute performance, ce qui permet d'obtenir des circuits plus rapides et plus économes en énergie.

-Facilite la photodétection sensible pour les dispositifs d'imagerie de pointe, améliorant la résolution des caméras grand public et industrielles.

2) Applications médicales et de santé

-Permet des plates-formes de biodétection avancées pour des diagnostics rapides, améliorant la précision et la rapidité des tests sur les patients.

-S'intègre dans les systèmes de surveillance de la santé portables, offrant une observation continue des signes vitaux et une détection précoce des anomalies.

3. recherche et instruments scientifiques

-Fournit un substrat d'essai robuste pour les recherches sur les phénomènes quantiques 2D en électronique et en optoélectronique.

-Soutient les études fondamentales sur les matériaux de faible dimension, permettant aux chercheurs d'explorer de nouvelles architectures et fonctionnalités de dispositifs.

Film CVD monocouche de diséléniure de molybdène sur substrat SiO2/Si MoSe2 Emballage 10x10 mm

Chaque film de 10x10 mm de diséléniure de molybdène monocouche CVD sur substrat SiO2/Si est soigneusement emballé dans un conteneur antistatique scellé afin de préserver la qualité de l'échantillon. Entouré d'inserts en mousse et de gel de silice, il est protégé des vibrations, de l'humidité et des contaminants. Il est recommandé de le stocker dans un environnement sec et propre pour éviter toute dégradation. Des options d'emballage personnalisées sont disponibles sur demande pour répondre à des exigences spécifiques en matière de manutention et d'expédition.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Film CVD monocouche de diséléniure de molybdène sur substrat SiO2/Si MoSe2 10x10 mm FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du film de diséléniure de molybdène monocouche CVD sur substrat SiO2/Si MoSe2 10x10 mm ?

R1 : Ce produit est un film monocouche de MoSe2 déposé sur un substrat SiO2/Si, offrant une finesse exceptionnelle pour des études optiques et électroniques avancées. Il présente une bande interdite directe d'environ 1,55 eV, une mobilité élevée des porteurs et une morphologie de surface uniforme confirmée par la spectroscopie Raman et la microscopie à force atomique. Le substrat mesure 10 x 10 mm, ce qui en fait une plate-forme pratique pour la fabrication de dispositifs, la caractérisation des matériaux et la recherche fondamentale sur les semi-conducteurs bidimensionnels.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké pour en préserver l'intégrité ?

R2 : Une manipulation correcte implique le port de gants de salle blanche et l'utilisation de pinces non métalliques pour éviter de rayer la surface délicate de la monocouche. Conservez l'échantillon dans une chambre à faible humidité ou dans un dessiccateur à vide pour éviter l'adsorption d'humidité et de contaminants. Réduire au minimum l'exposition à la lumière directe et à la chaleur excessive afin de préserver les propriétés optiques et électriques. Un nettoyage en douceur à l'aide d'un solvant approprié est recommandé si nécessaire.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent au film MoSe2 CVD monocouche de diséléniure de molybdène sur substrat SiO2/Si 10x10 mm ?

R3 : La fabrication de ce film MoSe2 respecte généralement des normes internationales reconnues telles que la norme ISO 9001 pour les systèmes de gestion de la qualité et la norme ISO 14001 pour la gestion de l'environnement. Le substrat et les matériaux de la couche mince sont souvent testés conformément aux protocoles ASTM pertinents afin de vérifier l'uniformité de l'épaisseur, la pureté chimique et les propriétés optiques/électriques. Ces mesures contribuent à garantir des performances et une fiabilité constantes dans les applications commerciales et industrielles.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages du matériau

Le film MoSe2 (10x10 mm) de diséléniure de molybdène CVD monocouche sur substrat SiO2/Si se caractérise par une absorption optique exceptionnelle, ce qui le rend particulièrement adapté aux dispositifs photoniques. L'épaisseur uniforme de la monocouche contribue à une bande interdite stable et cohérente sur toute la surface, ce qui garantit des performances fiables dans diverses applications électroniques.

En raison de sa nature bidimensionnelle, cette monocouche présente une mobilité élevée des porteurs et une diffusion minimale, ce qui permet un transport efficace des charges dans les architectures de transistors. En outre, la structure cristalline robuste du film renforce sa stabilité environnementale, ce qui le rend remarquablement résistant à la dégradation dans les conditions ambiantes.

2. Applications dans les industries de pointe

Les instituts de recherche de pointe et les fabricants de semi-conducteurs intègrent de plus en plus de films MoSe2 (10x10 mm) de diséléniure de molybdène monocouche CVD sur substrat SiO2/Si dans les systèmes optoélectroniques de la prochaine génération, y compris les photodétecteurs à haute sensibilité et les transistors à effet de champ à faible puissance. La taille compacte et l'épaisseur uniforme de la monocouche permettent d'optimiser les performances tout en minimisant l'utilisation de matériaux, ce qui constitue un avantage dans la recherche de dispositifs plus petits et plus efficaces.

Les démonstrations de l'intégration réussie de ce film dans l'électronique souple mettent en évidence des applications prometteuses dans les nouveaux dispositifs portables, les capteurs et les écrans pliables. Le haut degré de contrôle des propriétés de surface permet une ingénierie précise des dispositifs, favorisant l'innovation dans divers domaines tels que l'instrumentation biomédicale, les télécommunications et l'électronique grand public.