CY8922 CVD monocouche de diséléniure de tungstène sur substrat SiO2/Si Film WSe2 10x10 mm

Film CVD monocouche de diséléniure de tungstène sur substrat SiO2/Si WSe2 10x10 mm Description

Découvrez les performances exceptionnelles de notre film CVD monocouche de diséléniure de tungstène (WSe2), déposé avec précision sur un substrat de saphir SiO₂/Si de 10×10 mm. Cette couche ultramince présente une uniformité remarquable, garantissant une épaisseur constante jusqu'à l'échelle atomique. Sa bande interdite directe et son fort couplage spin-orbite en font un matériau idéal pour les dispositifs électroniques et optoélectroniques avancés, tels que les transistors, les photodétecteurs et les circuits flexibles.

Conçue selon un processus de croissance rigoureux, notre monocouche de WSe2 répond à des normes de qualité strictes en matière de pureté, de cristallinité et de reproductibilité. Investissez dans une solution fiable, connue pour sa robustesse, sa mobilité et sa compatibilité avec diverses applications dans la recherche de pointe sur les semi-conducteurs et le développement de produits.

Diséléniure de tungstène monocouche CVD sur substrat SiO2/Si Film WSe2 10x10 mm Applications

Le diséléniure de tungstène monocouche (WSe2) cultivé par CVD sur un substrat SiO2/Si est un semi-conducteur 2D robuste connu pour sa structure stable en couches et sa bande interdite directe. Ce film de 10x10 mm présente des propriétés électroniques et optiques exceptionnelles, ce qui le rend tout à fait adapté à diverses applications de la prochaine génération. La finesse du matériau, associée à une excellente mobilité des porteurs et à l'absorption optique, permet d'obtenir des solutions très performantes dans de nombreux secteurs, de l'électronique à l'énergie en passant par les initiatives de recherche avancée.

1) Applications industrielles

-Capteurs chimiques à haute sensibilité dans les environnements pétrochimiques, tirant parti de l'excellente réactivité de surface du WSe2.

-Électronique automobile durable et performante, bénéficiant de la mobilité supérieure des porteurs du film.

-Équipements de fabrication avancés où des couches stables de semi-conducteurs améliorent l'efficacité des dispositifs.

2. applications de recherche

-Études fondamentales des matériaux 2D, exploration des effets quantiques et des structures de bandes électroniques propres au WSe

2.

-Développement de prototypes de dispositifs photoniques pour les communications optiques et la recherche sur les lasers.

-Recherche sur les architectures de semi-conducteurs de la prochaine génération qui exploitent l'extensibilité de la monocouche.

3) Applications commerciales

-Appareils intelligents portables intégrant des films WSe2 minces et flexibles pour améliorer le confort de l'utilisateur.

-Composants d'affichage haute résolution, tirant parti de la forte absorption optique et de la clarté.

-Électronique grand public nécessitant des transistors compacts et économes en énergie construits sur des semi-conducteurs ultraminces.

Diséléniure de tungstène en monocouche CVD sur substrat SiO2/Si Film WSe2 10x10 mm Emballage

Chaque film WSe₂ de 10×10 mm est soigneusement placé dans une pochette antistatique avec un rembourrage inerte, puis scellé sous vide pour minimiser l'exposition à l'humidité et aux particules. Il doit être stocké dans un environnement à faible humidité et sans poussière, idéalement sous azote ou argon, pour éviter l'oxydation. Un contrôle strict de la contamination, y compris l'utilisation de gants propres et de surfaces de manipulation stériles, est recommandé. Des options d'emballage personnalisables, y compris des couches de protection supplémentaires ou un étiquetage, sont disponibles sur demande.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Film CVD monocouche de diséléniure de tungstène sur substrat SiO2/Si WSe2 10x10 mm FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du diséléniure de tungstène monocouche CVD sur substrat SiO2/Si WSe2 Film 10x10 mm ?

A1 : Les films de diséléniure de tungstène (WSe2) monocouche obtenus par dépôt en phase vapeur sur un substrat SiO2/Si ou saphir de 10×10 mm présentent d'excellentes propriétés électriques et optiques, notamment une bande interdite directe d'environ 1,6 eV, une mobilité élevée des porteurs et une forte photoluminescence. Ils présentent également une stabilité chimique et une flexibilité mécanique remarquables. Ces attributs les rendent bien adaptés aux dispositifs optoélectroniques avancés, aux photodétecteurs et à l'électronique flexible, offrant de hautes performances avec une épaisseur réduite.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : En raison de leur sensibilité aux contaminants et aux contraintes mécaniques, ces films monocouches de WSe2 doivent être manipulés dans un environnement propre et peu humide. Évitez tout contact direct avec des doigts ou des pinces sans revêtement protecteur. Il est recommandé de les stocker dans un récipient antistatique, sous vide ou inerte, afin d'éviter les réactions de surface. Une manipulation délicate préserve l'intégrité du film et maximise les performances de l'appareil.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent au film WSe2 CVD monocouche de diséléniure de tungstène sur substrat SiO2/Si 10x10 mm ?

A3 : Ces films WSe2 CVD sont généralement conformes aux normes industrielles générales applicables aux matériaux en couches minces, telles que les normes ISO 9001 pour la gestion de la qualité et ISO 14001 pour la gestion de l'environnement. Les fournisseurs réputés peuvent également fournir des documents supplémentaires sur la pureté, l'uniformité et la traçabilité. La garantie d'une épaisseur constante de la monocouche, d'un minimum de défauts et du respect de protocoles métrologiques internes rigoureux permet de garantir des performances fiables pour les applications industrielles et de recherche de pointe.

Informations connexes

1. Propriétés et avantages du matériau

Le diséléniure de tungstène monocouche (WSe2) fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur sur un substrat SiO2/Si offre une combinaison remarquable de caractéristiques optiques et électroniques. La nature ultra-mince de ce film de 10x10 mm permet une configuration directe de la bande interdite, permettant une absorption et une émission efficaces de la lumière, ce qui est très bénéfique pour l'intégration des dispositifs optoélectroniques. Cette construction à couche unique garantit également une excellente mobilité des porteurs de charge, ce qui en fait un candidat exceptionnel pour les composants nécessitant une réponse électronique rapide et des pertes de conduction minimales.

Outre son extraordinaire uniformité, ce matériau présente une stabilité thermique et une résistance mécanique élevées. Ces attributs sont encore accentués par la forte liaison de l'interface avec le substrat, qui maintient la fiabilité du dispositif sur des cycles opérationnels prolongés. Comparé à des films plus épais ou polycristallins, le WSe2 monocouche présente une densité de défauts plus faible, une morphologie de surface plus lisse et une continuité de couche supérieure, ce qui améliore les performances des dispositifs et ouvre la voie à des structures électroniques innovantes.

2. Applications dans les industries de pointe

Dans divers secteurs industriels de pointe, le WSe2 monocouche obtenu par dépôt chimique en phase vapeur est extrêmement prometteur pour les futures percées technologiques. Sa bande interdite directe et ses effets excitoniques prononcés en font un candidat de choix pour les photodétecteurs et les diodes électroluminescentes de la prochaine génération, contribuant ainsi à la transmission rapide des données et à l'amélioration de la pureté des couleurs dans les technologies d'affichage. L'épaisseur du film à l'échelle atomique permet en outre de concevoir des réseaux de transistors à haute densité qui nécessitent une consommation d'énergie minimale.

Les équipes de R&D qui étudient l'électronique souple et portable apprécient également ce matériau pour sa capacité à se plier sans perdre en conductivité ou en efficacité optique. Cette adaptabilité ouvre de nouvelles perspectives dans le domaine des cadres de capteurs compacts, des dispositifs de surveillance des soins de santé et des systèmes de collecte d'énergie ultraminces. Ensemble, ces applications avancées soulignent l'importance du diséléniure de tungstène monocouche CVD pour façonner l'avenir de l'électronique, de la photonique et des circuits intégrés à l'échelle mondiale.