CY8921 Monocouche de diséléniure de tungstène CVD sur substrat de saphir plan C Film WSe2 10x10 mm

Film CVD monocouche de diséléniure de tungstène sur substrat de saphir plan C WSe2 10x10 mm Description

Ce film de diséléniure de tungstène (WSe₂) monocouche CVD de qualité supérieure est cultivé sur un substrat de saphir plan C de 10×10 mm, ce qui permet d'obtenir une couche semi-conductrice très uniforme et atomiquement fine. Le processus précis de dépôt chimique en phase vapeur garantit une excellente cristallinité, une faible densité de défauts et des joints de grains minimaux, ce qui en fait un produit idéal pour la recherche et le développement dans le domaine de l'électronique de la prochaine génération. Sa bande interdite directe et sa forte photoluminescence améliorent les performances des dispositifs optoélectroniques, tandis que la mobilité intrinsèquement élevée des porteurs et la flexibilité élargissent les cas d'utilisation dans les applications 2D émergentes.

Fabriqué selon des protocoles d'assurance qualité rigoureux, chaque film WSe₂ fait l'objet d'une caractérisation approfondie pour confirmer l'uniformité de l'épaisseur, l'intégrité structurelle et la pureté de la monocouche. Cette approche rigoureuse permet d'obtenir des résultats cohérents et reproductibles, ce qui fait de notre diséléniure de tungstène monocouche CVD sur substrat de saphir un choix exceptionnel pour la recherche de pointe dans les domaines de la photovoltaïque, des dispositifs de détection et des innovations nanoélectroniques.

Diséléniure de tungstène monocouche CVD sur substrat de saphir plan C Film WSe2 10x10 mm Applications

Conçu à l'aide de techniques CVD de pointe, le diséléniure de tungstène monocouche (WSe2) sur un substrat de saphir en plan C offre des performances électroniques et optiques exceptionnelles dans un format pratique de 10x10 mm. Ce matériau 2D ultrapur offre une mobilité supérieure des porteurs, un couplage spin-orbite fort et une flexibilité robuste, ce qui le rend bien adapté à la fabrication de dispositifs avancés. Sa structure cristalline de haute qualité garantit des performances fiables dans divers environnements, ce qui stimule l'innovation dans les domaines de l'électronique, de la recherche et des produits grand public.

1) Applications électroniques et semi-conducteurs

-Intégration dans des transistors ultraminces pour réduire l'encombrement du dispositif et améliorer les vitesses de commutation

-Utilisation dans des photodétecteurs à haute sensibilité en raison de sa forte absorption de la lumière et de son transport de charge efficace.

2. recherche et instruments scientifiques

-Étude de nouveaux phénomènes quantiques découlant de la structure de bande distincte du WSe2 monocouche

-Exploration de nouvelles propriétés optoélectroniques dans le cadre d'initiatives de R&D universitaires et industrielles

3) Innovations pour les consommateurs et l'industrie

-Incorporation potentielle dans des écrans flexibles ou des produits électroniques portables pour améliorer la durabilité et les performances

-Développement de capteurs pour la surveillance chimique et environnementale, en tirant parti de l'excellente sensibilité de la surface.

Monocouche CVD de diséléniure de tungstène sur substrat de saphir plan C Film WSe2 10x10 mm Emballage

Ce produit est soigneusement emballé dans une boîte de protection spéciale avec un rembourrage en mousse antistatique pour le protéger contre les chocs et les vibrations. Un boîtier en plastique robuste contenant un sachet déshydratant aide à maintenir la sécheresse, tandis qu'un sac en plastique scellé empêche la contamination par la poussière. Stockez-les dans un environnement frais et sec, à l'abri de la lumière directe du soleil. Un étiquetage personnalisé et des couches de protection spécialisées sont disponibles sur demande pour répondre à des exigences de manipulation particulières.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Film CVD monocouche de diséléniure de tungstène sur substrat de saphir plan C WSe2 10x10 mm FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du film WSe2 10x10 mm de diséléniure de tungstène monocouche CVD sur substrat de saphir en plan C ?

A1 : Ce film monocouche de WSe2 présente une structure atomiquement fine, offrant une bande interdite directe proche de 1,6 eV pour des performances optoélectroniques efficaces. Il présente une forte photoluminescence avec des énergies de liaison d'exciton élevées, ce qui le rend idéal pour les dispositifs photoniques et électroniques. Le substrat de saphir à plan c assure une excellente adaptation du réseau, améliorant la cristallinité et réduisant les défauts. Les propriétés typiques comprennent une épaisseur uniforme, une mobilité élevée des porteurs et un comportement thermomécanique stable pour une intégration fiable des dispositifs.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Manipulez le film monocouche WSe2 en suivant les protocoles des salles blanches afin d'éviter toute contamination particulaire. Portez des gants pour éviter tout contact direct avec la surface et utilisez des pinces non abrasives ou des pinces à vide pour minimiser les contraintes mécaniques. Stocker le substrat dans un environnement à faible humidité, idéalement sous gaz inerte ou sous vide, pour le protéger de l'oxydation. Maintenir des températures modérées et éviter l'exposition à une lumière excessive ou à des vapeurs chimiques qui pourraient dégrader le matériau.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent au film WSe2 10x10 mm CVD monocouche de diséléniure de tungstène sur substrat de saphir plan C ?

A3 : Ces films WSe2 sont généralement conformes aux protocoles industriels normalisés pour le dépôt de couches minces, tels que la norme ISO 9001 pour les systèmes de gestion de la qualité. La caractérisation optique, la spectroscopie Raman et la microscopie à force atomique permettent de vérifier l'épaisseur constante de la monocouche, la contamination minimale et la robustesse de la cristallinité. En outre, la traçabilité du produit et la documentation des paramètres de dépôt soutiennent des pratiques de fabrication fiables, garantissant des résultats reproductibles et la conformité aux attentes en matière de qualité commerciale et de recherche.

Informations connexes

1. Processus de fabrication

Le diséléniure de tungstène monocouche CVD sur un substrat de saphir plan C est fabriqué par une méthode de dépôt thermique méticuleusement contrôlée. Ce procédé consiste à introduire des ratios précis de précurseurs de tungstène et de sélénium dans une chambre de réaction dans des conditions de température et de pression optimisées. Le substrat de saphir à plan c est choisi pour son réseau cristallin stable, qui permet d'obtenir une monocouche uniforme de WSe2 sur une surface de 10 x 10 mm. Des instruments sophistiqués garantissent des taux de croissance constants, permettant la formation de couches de haute qualité tout en minimisant les défauts.

Dans un environnement soigneusement réglementé, le substrat est prétraité afin d'éliminer les contaminants et d'assurer une adhésion optimale du film de WSe2. Un aspect crucial de la procédure est le maintien de températures uniformes dans toute la chambre, ce qui permet une nucléation fiable et une expansion latérale de la monocouche de diséléniure de tungstène. En ajustant avec précision des variables telles que le flux de précurseurs, la composition du gaz porteur et les temps de montée en puissance, les fabricants peuvent obtenir une couche de haute pureté, atomiquement fine, qui présente des propriétés optiques et électroniques exceptionnelles, essentielles pour les applications des dispositifs avancés.

2. Applications dans les industries de pointe

Les secteurs de la photonique et de l'optoélectronique de pointe bénéficient considérablement des caractéristiques précises de ce film monocouche de WSe2. Sa structure de bande interdite directe dans le visible et le proche infrarouge permet une absorption et une émission efficaces de la lumière, ce qui le rend très approprié pour les photodétecteurs, les diodes électroluminescentes et d'autres composants optiques innovants. En outre, sa mobilité exceptionnelle des porteurs favorise l'amélioration des performances et la réduction de la consommation d'énergie dans les appareils électroniques modernes, ce qui suscite un intérêt accru de la part des fabricants désireux de repousser les limites technologiques.

La demande croissante de systèmes électroniques miniaturisés et flexibles a renforcé le rôle du film dans les secteurs nécessitant des solutions compactes et performantes. Dans des domaines tels que les écrans flexibles, les capteurs et les transistors de nouvelle génération, la monocouche WSe2 de 10 x 10 mm sur saphir peut être intégrée dans des composants clés qui exigent à la fois robustesse et polyvalence. En associant une géométrie ultra-mince à des propriétés électriques remarquables, cette couche de diséléniure de tungstène produite par dépôt en phase vapeur (CVD) ouvre la voie à des produits de pointe capables de s'imposer dans des environnements technologiques en constante évolution.