CY8580 Plaque de carbure de silicium Substrat SiC 12 in 4H Type SEMI (HPSI)

Substrat de Carbure de Silicium SiC 12 in 4H SEMI-type (HPSI) Description

Notre substrat en carbure de silicium (SiC) de 12 pouces, 4H, est méticuleusement conçu pour offrir des propriétés matérielles exceptionnelles essentielles aux dispositifs semi-conducteurs de puissance et de haute fréquence de la prochaine génération. Dotée de la technologie semi-isolante de haute pureté (HPSI), cette plaquette présente une conductivité thermique exceptionnelle, une excellente stabilité chimique et une mobilité supérieure des électrons. Ces attributs permettent de minimiser les pertes de puissance et d'augmenter l'efficacité dans les applications exigeantes, ce qui en fait un produit idéal pour l'électronique de puissance avancée, les amplificateurs RF et les systèmes de commutation à haute tension.

Chaque substrat est fabriqué conformément aux normes SEMI strictes, ce qui garantit une épaisseur constante, une faible densité de défauts et une qualité de surface exceptionnelle. Des inspections internes rigoureuses et des contrôles de processus stricts garantissent des performances et une fiabilité reproductibles. En choisissant notre substrat SiC 4H, vous accédez à un matériau de pointe conçu pour soutenir la fabrication de dispositifs de haute performance et permettre des percées technologiques dans les applications de semi-conducteurs à large bande passante.

Substrat SiC pour plaquettes de carbure de silicium 12 dans les applications de type SEMI (HPSI) 4H

Les substrats en carbure de silicium (SiC) 4H SEMI type HPSI 12 pouces se distinguent par leur conductivité thermique exceptionnelle, leur stabilité chimique et leurs capacités de large bande interdite. Ces caractéristiques distinctives permettent d'obtenir des performances supérieures dans les applications à haute puissance et à haute fréquence, ce qui les rend indispensables dans diverses industries civiles. Idéaux pour les environnements difficiles, ces substrats constituent la base de l'électronique de la prochaine génération, des systèmes d'énergie renouvelable et d'autres projets commerciaux de pointe.

1) Applications électroniques et semi-conducteurs

-Application 1 : fabrication de diodes et de transistors à haute tension pour une gestion efficace de l'énergie dans les circuits électroniques avancés.

-Application 2 : production de composants à haute fréquence dans les équipements de télécommunications pour une transmission plus rapide des données.

2) Technologie médicale et des soins de santé

-Application 1 : mise au point de capteurs et d'outils de diagnostic ultraprécis bénéficiant de la stabilité chimique du substrat

-Application 2 : création d'appareils d'imagerie compacts et performants conçus pour un diagnostic précis des patients.

3) Énergies renouvelables et systèmes industriels

-Application 1 : intégration dans les onduleurs solaires et les convertisseurs de puissance pour améliorer l'efficacité et la gestion thermique

-Application 2 : utilisation dans les machines à haute température et les équipements de traitement chimique pour une durabilité et une fiabilité accrues

Plaquette de carbure de silicium Substrat SiC 12 dans un emballage de type SEMI 4H (HPSI)

Chaque plaquette de carbure de silicium HPSI de 12 pouces 4H de type SEMI est soigneusement protégée dans un support de plaquette à sécurité ESD doublé de mousse pour la protéger contre les chocs mécaniques. Des sacs antistatiques à double couche et des sachets scellés empêchent la pénétration de l'humidité et la contamination par les particules. Le stockage est recommandé dans une salle blanche, avec un taux d'humidité de 40 à 60 % et des températures stables. Un étiquetage personnalisé, un code-barres ou des options d'emballage spécialisées sont disponibles sur demande, afin de garantir le plus haut niveau de protection et de traçabilité.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.

Plaquette de carbure de silicium Substrat SiC 12 en 4H Type SEMI (HPSI) FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés des plaquettes de carbure de silicium SiC Substrate 12 in 4H SEMI-type (HPSI) ?

R1 : La plaquette de carbure de silicium (SiC) de 12 pouces de type SEMI 4H (HPSI) est réputée pour sa conductivité thermique élevée, sa large bande interdite (environ 3,26 eV) et son excellente stabilité chimique. Sa structure cristalline hexagonale (4H) assure une mobilité supérieure des électrons, ce qui en fait un matériau idéal pour les applications à haute fréquence et à haute puissance. En outre, sa faible densité de défauts et ses propriétés semi-isolantes permettent de stabiliser les performances des dispositifs, de réduire les interférences de signaux et d'améliorer la fiabilité globale.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Pour préserver l'intégrité du substrat, il est essentiel de manipuler la plaquette avec des gants de salle blanche et d'utiliser des pinces ou des supports de plaquettes non métalliques pour minimiser la contamination par les particules. Évitez de l'exposer à la lumière directe du soleil ou à des températures extrêmes et conservez-la dans un conteneur sûr et exempt d'électricité statique. Conservez la plaquette dans un environnement peu humide pour éviter les défauts liés à l'humidité et garantir une qualité de surface constante et une viabilité prolongée du produit.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications applicables aux plaquettes de carbure de silicium SiC Substrate 12 in 4H de type SEMI (HPSI) ?

A3 : Les plaquettes de carbure de silicium SiC Substrate 12 in 4H de type SEMI (HPSI) sont généralement conformes aux normes SEMI M55, qui définissent des paramètres tels que les tolérances dimensionnelles, la qualité de surface et l'orientation des plaquettes. Les fabricants sont souvent certifiés ISO 9001 pour garantir des pratiques de gestion de la qualité. Des tests supplémentaires peuvent inclure une inspection des défauts par topographie aux rayons X ou par photoluminescence, afin de garantir une densité minimale des micropipes et une grande uniformité des cristaux. Ces mesures garantissent des performances fiables et répondent aux exigences spécifiques de l'industrie.

Informations connexes

1. Processus de fabrication

La fabrication d'une plaquette de carbure de silicium 12 in 4H de type SEMI (HPSI) implique une procédure de croissance cristalline raffinée qui garantit des caractéristiques de haute pureté et de semi-isolation. Tout d'abord, un équipement spécialisé est chargé de contrôler les paramètres de température et de pression, ce qui permet au matériau SiC de se former en couches uniformes. Cette technique, souvent facilitée par le dépôt chimique en phase vapeur, crée un substrat présentant une densité de défauts extrêmement faible. La plaquette acquiert ainsi l'intégrité structurelle requise pour les applications électroniques de haute performance.

Au cours de la post-croissance, des étapes de tranchage et de polissage de précision sont soigneusement mises en œuvre pour obtenir l'épaisseur et la surface lisse souhaitées. Différents niveaux d'inspection vérifient l'absence de microcristaux ou d'irrégularités de surface, ce qui garantit une contrainte minimale et une durabilité supérieure. Ces procédures de finition méticuleuses sont essentielles pour produire le format 12 pouces en conformité avec les normes SEMI, ouvrant ainsi la voie à des rendements constants et à une fiabilité accrue.

2. Applications dans les industries de pointe

Les systèmes de conversion d'énergie avancés s'appuient sur les propriétés électriques robustes des plaquettes de type 4H SEMI (HPSI) pour les composants tels que les diodes et les transistors à haute tension. L'excellente conductivité thermique du carbure de silicium permet à ces dispositifs de fonctionner efficacement sous haute tension, minimisant ainsi le besoin de systèmes de refroidissement encombrants. En outre, l'intensité supérieure du champ de rupture de la plaquette permet des vitesses de commutation ultra-rapides, ce qui est inestimable dans les modules d'alimentation de la prochaine génération pour les véhicules électriques et les technologies d'énergie renouvelable.

Les secteurs clés de l'aérospatiale et de la communication utilisent également ces plaquettes de SiC de grand diamètre pour accélérer le transfert des données et améliorer la stabilité opérationnelle. En raison de leur résistance inhérente aux rayonnements, elles sont bien adaptées aux initiatives relatives aux satellites et à l'espace lointain, où la longévité des dispositifs est primordiale. L'amélioration des performances dans des conditions extrêmes profite non seulement aux composants critiques des missions, mais établit également de nouvelles références dans des applications de recherche scientifique très exigeantes.