Plaque de carbure de silicium SiC Substrat 6 in 4H Type SEMI (HPSI) Description
La plaquette de carbure de silicium de 6 pouces 4H (HPSI) offre des propriétés matérielles exceptionnelles qui la rendent indispensable dans les applications électroniques et optoélectroniques de pointe. Sa structure semi-isolante de haute pureté et sa conductivité thermique supérieure contribuent à réduire les pertes d'énergie, à améliorer l'efficacité des dispositifs et à permettre un fonctionnement fiable sous des tensions élevées et à des températures extrêmes. La large bande interdite du 4H-SiC permet en outre des performances robustes et une dissipation d'énergie minimale.
Méticuleusement conçu pour répondre aux normes SEMI rigoureuses, ce substrat présente une uniformité d'épaisseur et une densité de défauts minimales. Chaque plaquette est soumise à des contrôles de qualité rigoureux afin de garantir une planéité constante et une finition de surface impeccable, ce qui facilite la fabrication de dispositifs à haut rendement. Grâce à ses caractéristiques de pointe et à sa fiabilité éprouvée, la plaquette SiC 4H de 6 pouces (HPSI) est le choix idéal pour les dispositifs de puissance, les composants micro-ondes et les circuits haute fréquence de la prochaine génération.
Substrat de carbure de silicium SiC Wafer 6 in 4H Applications de type SEMI (HPSI)
Le substrat en carbure de silicium (SiC) 6 en 4H de type SEMI (HPSI) se distingue par sa large bande interdite, sa stabilité chimique exceptionnelle et son excellente conductivité thermique, ce qui en fait un choix de premier ordre pour une variété d'applications avancées. Ses caractéristiques électriques robustes supportent des tensions et des températures élevées, ce qui permet d'améliorer les performances dans des environnements complexes. Ces propriétés supérieures permettent d'accroître la fiabilité, de réduire la consommation d'énergie et d'allonger la durée de vie.
1) Applications électroniques et semi-conducteurs
-Application 1 : transistors à haute fréquence pour l'infrastructure 5G et d'autres systèmes de communication, permettant de réduire les pertes de puissance et d'obtenir des performances fiables.
-Application 2 : modules de puissance dans les onduleurs d'énergie renouvelable, permettant une commutation efficace et une meilleure gestion thermique.
2) Applications médicales et de santé
-Application 1 : biocapteurs et dispositifs de diagnostic nécessitant des surfaces ultrapropres et biocompatibles présentant une grande stabilité chimique.
-Application 2 : instruments chirurgicaux de précision bénéficiant de la tolérance aux températures élevées et de la durabilité des plaquettes.
3) Applications industrielles et automobiles
-Application 1 : convertisseurs de haute puissance dans les chaînes de traction des véhicules électriques pour améliorer l'efficacité et réduire la production de chaleur.
-Application 2 : Capteurs de contrôle de processus robustes dans la fabrication de produits chimiques, où les environnements difficiles exigent une résistance supérieure des matériaux.
Substrat de carbure de silicium SiC Wafer 6 en emballage 4H de type SEMI (HPSI)
Chaque plaquette de carbure de silicium SiC Substrate 6" 4H de type SEMI (HPSI) est scellée individuellement dans des manchons dissipateurs d'électricité statique de qualité salle blanche afin de la protéger contre la contamination particulaire. Les plaquettes sont ensuite placées dans des supports de plaquettes garnis de mousse, ce qui évite les contraintes mécaniques et garantit un transport sûr. Elles doivent être stockées dans un environnement à faible humidité et à température contrôlée, entre 15 et 25 °C. Des sacs barrières supplémentaires sont disponibles sur demande pour un meilleur contrôle de la contamination. Des options d'emballage personnalisées, telles que le scellage sous vide ou l'étiquetage spécialisé, sont également proposées.
Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois, ou personnalisé.
Plaquette de carbure de silicium Substrat SiC 6 en 4H Type SEMI (HPSI) FAQs
Q1 : Quelles sont les principales propriétés de la plaquette de carbure de silicium SiC Substrate 6 in 4H SEMI-type (HPSI) ?
R1 : Cette plaquette présente une large bande interdite (environ 3,26 eV), une conductivité thermique élevée (de l'ordre de 3 à 4 W/cm-K) et une dureté mécanique exceptionnelle. Elle présente une excellente stabilité chimique, une faible densité de défauts (y compris une densité minimale de micropipes) et une force de champ de claquage supérieure. La structure de polytype 4H garantit une mobilité efficace des porteurs et est souvent privilégiée pour les applications de semi-conducteurs de puissance. Sa résistivité élevée permet également de minimiser les courants parasites dans les conceptions de dispositifs avancés.
Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?
R2 : Manipulez la plaquette en utilisant des gants ou des pinces pour salle blanche afin d'éviter toute contamination par des huiles ou des particules. Conservez-la dans un environnement dédié, à humidité contrôlée, avec un minimum de vibrations et des températures stables. Utilisez des emballages ou des conteneurs antistatiques conçus pour les plaquettes de semi-conducteurs. Évitez d'empiler des plaquettes non protégées afin d'éviter les contraintes mécaniques ou les dommages de surface. Un étiquetage et une traçabilité appropriés sont conseillés pour maintenir la qualité tout au long de la durée de stockage.
Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications qui s'appliquent aux plaquettes de carbure de silicium SiC Substrate 6 in 4H de type SEMI (HPSI) ?
R3 : La plupart des fabricants appliquent des systèmes de gestion de la qualité certifiés ISO 9001 afin de garantir une production cohérente et des contrôles de processus rigoureux. D'autres certifications spécifiques aux semi-conducteurs, telles que l'IATF 16949 pour les exigences automobiles, peuvent également s'appliquer. La conformité aux normes SEMI M55 pour les dimensions et les tolérances des plaquettes de SiC est essentielle. Certains fournisseurs soumettent leurs plaquettes à des programmes d'inspection approfondis, décrivant des paramètres tels que la densité des micropipes et la qualité de la surface, afin de répondre aux directives spécifiques de l'industrie et des clients.
Informations connexes
1. Propriétés et avantages des matériaux
Dans le paysage en évolution rapide des semi-conducteurs, la plaquette de carbure de silicium SiC Substrate 6 in 4H de type SEMI (HPSI) se distingue par sa remarquable conductivité thermique et sa tension de claquage élevée. Grâce à ces caractéristiques exceptionnelles, les fabricants peuvent atteindre une efficacité supérieure dans la performance des dispositifs, ce qui le rend très recherché pour l'électronique de puissance qui fonctionne dans des conditions extrêmes.
En raison de sa résistance mécanique robuste et de sa large bande interdite, cette plaquette de 6 pouces est particulièrement adaptée aux applications dans les modules de haute puissance, ce qui permet de minimiser les pertes d'énergie. La configuration de polytype 4H permet une mobilité exceptionnelle des électrons, ce qui améliore encore la fiabilité du produit en réduisant le risque de dégradation sous contrainte et en maintenant une fonctionnalité constante même à des températures élevées.
2. Applications dans les industries de pointe
Les technologies de pointe dans des domaines tels que l'aérospatiale, les énergies renouvelables et les télécommunications dépendent fortement des composants sophistiqués fabriqués à partir de substrats de carbure de silicium SiC Wafer 6 en 4H de type SEMI (HPSI). Les convertisseurs de puissance innovants utilisés dans les satellites et les infrastructures de recharge des véhicules électriques bénéficient grandement de la résilience supérieure de la plaquette, qui garantit une fiabilité à long terme et des coûts de maintenance réduits.
La demande pour ces plaquettes s'étend également aux systèmes à ultrasons et à micro-ondes, pour lesquels des performances stables à haute fréquence sont essentielles. Dans ces domaines spécialisés, les propriétés semi-isolantes de la plaquette permettent de réduire les interférences des signaux, ce qui en fait un choix solide pour les capteurs, les oscillateurs et les équipements de communication avancés qui fonctionnent dans des plages de température étendues.
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