CY8573 Plaque de carbure de silicium Substrat SiC 6 in 4H type N

Substrat de plaquette de carbure de silicium SiC 6 pouces 4H type N Description

Notre substrat en carbure de silicium (SiC) de type 4H N de 6 pouces offre des performances supérieures dans les applications à haute puissance, à haute température et à haute fréquence. Grâce à sa structure à large bande interdite et à son excellente conductivité thermique, ce substrat offre une fiabilité et une efficacité exceptionnelles dans l'électronique de puissance avancée, les dispositifs RF et les applications semi-conductrices de nouvelle génération. Son intégrité cristalline et son dopage uniforme garantissent des caractéristiques électriques cohérentes, permettant un fonctionnement robuste des dispositifs, même dans des environnements extrêmes.

Chaque plaquette est soumise à des contrôles de qualité rigoureux, notamment l'analyse des défauts cristallins et l'inspection de la surface, afin de répondre aux normes strictes de l'industrie. En maintenant un contrôle précis de l'épaisseur des plaquettes, de la concentration du dopage et de la planéité, nous garantissons la fiabilité et la stabilité du substrat au cours des différents processus de production. Faites confiance à nos plaquettes de carbure de silicium de qualité supérieure pour vous aider à obtenir de meilleures performances, une efficacité énergétique accrue et une longévité exceptionnelle de vos produits.

Plaque de carbure de silicium SiC Substrat 6 dans les applications de type N 4H

Les plaquettes de carbure de silicium (SiC) 6 en 4H de type N sont des substrats très avancés reconnus pour leurs performances électriques et thermiques distinctes. Ils présentent un excellent équilibre entre une large bande interdite, une conductivité thermique élevée et une stabilité chimique robuste. Grâce à ces propriétés uniques, les plaquettes de SiC sont indispensables à l'électronique de pointe et à un large éventail de processus industriels, permettant un fonctionnement efficace dans des conditions extrêmes et offrant une durabilité exceptionnelle dans des environnements exigeants.

1. électronique et dispositifs à semi-conducteurs

-Convertisseurs de haute puissance : La large bande interdite permet de gérer des tensions plus élevées, ce qui rend ces plaquettes idéales pour les systèmes de conversion d'énergie avancés.

-Transistors à haute fréquence : Les faibles pertes par conduction et l'excellente stabilité thermique permettent de concevoir des dispositifs efficaces et compacts.

-Technologies des capteurs : L'inertie chimique de ces plaquettes les rend adaptées aux capteurs exposés à des environnements industriels difficiles.

2. équipements médicaux et de soins de santé

-Systèmes d'imagerie : les performances électriques et la dissipation thermique supérieures permettent de construire des dispositifs d'imagerie sensibles et fiables.

-Instruments de surveillance des patients : La stabilité à long terme garantit des performances constantes et une durée de vie prolongée des appareils.

3) Applications automobiles et industrielles

-Modules de puissance pour véhicules électriques : L'amélioration de la gestion thermique et de la fiabilité contribue à rendre les systèmes de véhicules électriques plus efficaces.

-Entraînements de moteurs industriels : Amélioration de l'efficacité de commutation et réduction des pertes d'énergie dans la commande des moteurs à grande vitesse.

-Traitement chimique sévère : Excellente durabilité chimique et mécanique dans les environnements de fabrication chimiquement agressifs.

Substrat de carbure de silicium SiC Wafer 6 dans un emballage de type N 4H

Chaque plaquette de carbure de silicium de 6 pouces de type 4H N est emballée dans un sachet propre et antistatique pour éviter les décharges électrostatiques et protéger de l'humidité. Placée dans un conteneur antichoc, elle est rembourrée avec des inserts en mousse pour la protéger des dommages physiques et de la contamination. Les plaquettes doivent être stockées dans un environnement sec et à température contrôlée. Des options supplémentaires de scellage sous vide, de sacs purgés à l'azote et d'étiquetage personnalisé sont disponibles pour les besoins de manutention ou de transport spécifiques.

Emballage : Scellé sous vide, boîte en bois ou personnalisé.

Plaquette de carbure de silicium Substrat SiC 6 en 4H type N FAQs

Q1 : Quelles sont les principales propriétés du substrat de carbure de silicium SiC Substrate 6 in 4H de type N ?

R1 : Ce substrat présente une grande stabilité chimique et thermique, une large bande interdite (environ 3,26 eV) et une excellente tension de claquage. Sa structure cristalline 4H garantit une mobilité électronique supérieure et une faible concentration intrinsèque de porteurs. La plaquette présente également une dureté exceptionnelle, ce qui la rend résistante aux dommages physiques. Avec une conductivité thermique élevée et un décalage de dilatation thermique minimal, le SiC de type N 4H est idéal pour l'électronique de puissance, les dispositifs RF et d'autres applications semi-conductrices de haute performance.

Q2 : Comment ce produit doit-il être manipulé et stocké ?

R2 : Manipulez la plaquette avec des gants de salle blanche pour éviter toute contamination et tout résidu d'empreintes digitales. Utilisez des pinces non métalliques ou des pinces à vide pour éviter de rayer la surface. Conservez les plaquettes dans leur support d'origine ou dans un environnement propre et exempt d'électricité statique afin de protéger les surfaces polies et de réduire la contamination par les particules. Maintenez un environnement à température et à humidité contrôlées, généralement entre 20 et 25 °C et 40 et 50 % d'humidité relative, afin de préserver l'intégrité structurelle et électrique.

Q3 : Quelles sont les normes de qualité et les certifications applicables aux plaquettes de carbure de silicium SiC Substrate 6 in 4H N-type ?

R3 : Les fabricants réputés respectent les normes ISO 9001 pour la gestion globale de la qualité et ISO 14001 pour la responsabilité environnementale. Les plaquettes sont fabriquées dans des conditions rigoureuses de salle blanche, conformément aux spécifications SEMI en matière de tolérances dimensionnelles, de planéité, de densité des défauts et d'état de surface. La traçabilité par le biais de numéros de lots détaillés et de la documentation garantit la cohérence, tandis que des audits internes et externes fréquents vérifient la conformité avec les programmes de certification mondiaux et les exigences spécifiques de l'industrie pour les applications critiques des semi-conducteurs.

Informations connexes

1. Processus de fabrication

Lors de la production d'une plaquette de carbure de silicium de type N 4H de 6 pouces, les fabricants utilisent généralement des scies à fil diamanté de pointe pour découper les boules de SiC en vrac en substrats mesurés avec précision. Ce processus vise à minimiser les défauts de surface et à maintenir une épaisseur uniforme sur l'ensemble de la plaquette. En outre, des techniques de polissage mécanique, combinées à une planarisation chimico-mécanique (CMP), sont appliquées pour obtenir une surface ultra-lisse qui répond aux exigences rigoureuses de la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.

Des traitements thermiques intensifs suivent les étapes initiales de mise en forme et de polissage, garantissant la qualité des cristaux et l'uniformité du dopant sur l'ensemble du substrat. En contrôlant soigneusement la température, l'environnement et la composition atmosphérique dans des fours spécialisés, les fabricants améliorent la stabilité électrique et structurelle de la plaquette. Chaque étape est surveillée à l'aide de systèmes d'inspection avancés, ce qui permet des ajustements en temps réel qui contribuent à maintenir une qualité constante du substrat.

2. Applications dans les industries de pointe

Les exigences rigoureuses en matière de dispositifs de puissance à haute performance ont placé les plaquettes de SiC 4H de type N de 6 pouces à l'avant-garde de l'électronique de la prochaine génération. Leur large bande interdite et leur excellente conductivité thermique permettent des applications dans les convertisseurs de puissance, les systèmes de véhicules électriques et les onduleurs solaires où la réduction des pertes d'énergie et l'amélioration du fonctionnement à haute température sont essentielles. En outre, leur résistance mécanique robuste convient aux dispositifs qui fonctionnent dans des conditions extrêmes, minimisant ainsi le risque de défaillance du substrat.

Exploitant les avantages des caractéristiques supérieures du carbure de silicium, des industries telles que l'aérospatiale et les télécommunications s'appuient sur ces plaquettes pour assurer la fiabilité des composants de satellites et des infrastructures de transmission de données. Leur capacité à supporter des niveaux de tension élevés tout en maintenant de faibles courants de fuite prolonge considérablement la durée de vie des dispositifs. Par conséquent, les substrats SiC de type N 4H de 6 pouces sont devenus essentiels pour les efforts de pionniers dans des applications de grande envergure telles que les sondes spatiales profondes, les stations de base 5G et les systèmes radar à haute fréquence.